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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IXFA12N50P IXYS Ixfa12n50p 4.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa12 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFA12N50P EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 5.5V @ 1MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 200W (TC)
DSSK30-018A IXYS DSSK30-018A -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 DSSK30 Schottky Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DSSK30018A EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 180 V 15A 860 MV @ 15 A 300 µA @ 180 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXTE250N10 IXYS Ixte250n10 -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixte250 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 100 V 250a - - - 730W
IXGN60N60C2D1 IXYS IXGN60N60C2D1 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixgn60 480 W Estándar Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 600 V 75 A 2.5V @ 15V, 50A 650 µA No 4.75 NF @ 25 V
IXGP24N60C4 IXYS IXGP24N60C4 -
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXGP24 Estándar 190 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 360v, 24a, 10ohm, 15V PT 600 V 56 A 130 A 2.7V @ 15V, 24a 400 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 64 NC 21ns/143ns
IXGX120N120B3 IXYS IXGX120N120B3 -
RFQ
 ECAD 5689 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Activo - A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixgx120 Estándar 830 W MÁS247 ™ -3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 100a, 2ohm, 15V PT 1200 V 200 A 370 A 3V @ 15V, 100A 5.5mj (Encendido), 5.8mj (apaguado) 470 NC 36NS/275NS
IXGQ180N33TC IXYS IXGQ180N33TC -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 IXGQ180 Estándar Un 3p - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - - 330 V 180 A - - -
MIXA30W1200TML IXYS Mixa30w1200tml -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis E1 Mixa30 150 W Estándar E1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico con freno PT 1200 V 43 A 2.1V @ 15V, 25A 150 µA Si
IXBX75N170A IXYS Ixbx75n170a 61.1397
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixbx75 Estándar 1040 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1360V, 42a, 1ohm, 15V 360 ns - 1700 V 110 A 300 A 6V @ 15V, 42a 3.8mj (apaguado) 358 NC 26ns/418ns
MDD310-16N1 IXYS MDD310-16N1 127.0000
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis Y2-DCB MDD310 Estándar Y2-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 305a 1.2 V @ 600 A 40 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFA10N60P-TRL IXYS IXFA10N60P-TRL 4.3100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tape & Reel (TR) Activo Ixfa10 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800
IXTA60N10T IXYS Ixta60n10t 2.8900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta60 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 60A (TC) 10V 18mohm @ 25A, 10V 4.5V @ 50 µA 49 NC @ 10 V ± 30V 2650 pf @ 25 V - 176W (TC)
IXFK73N30 IXYS Ixfk73n30 -
RFQ
 ECAD 8280 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK73 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado IXFK73N30-NDR EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 300 V 73a (TC) 10V 45mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 8MA 360 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFN520N075T2 IXYS IXFN520N075T2 35.8100
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita IXFN520 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 75 V 480a (TC) 10V 1.9mohm @ 100a, 10v 5V @ 8MA 545 NC @ 10 V ± 20V 41000 pf @ 25 V - 940W (TC)
DCG100X1200NA IXYS DCG100X1200NA 156.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita DCG100 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 49A 1.8 V @ 50 A 0 ns 500 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C
IXTQ44N30T IXYS Ixtq44n30t -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq44 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 44a (TC) - - - -
DNA30E2200PZ-TUB IXYS DNA30E2200PZ-TUB 4.9618
RFQ
 ECAD 6288 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DNA30E2200 Estándar Un 263HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 238-DNA30E2200PZ-TUB EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2200 V 1.26 v @ 30 a 40 µA @ 2200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 7pf @ 700V, 1 MHz
IXTV96N25T IXYS Ixtv96n25t -
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 220-3, Pestaña Corta Ixtv96 Mosfet (Óxido de metal) Más220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 96a (TC) 10V 29mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 30V 6100 pf @ 25 V - 625W (TC)
R2475ZD28N IXYS R2475ZD28N -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200af R2475 W46 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-R2475ZD28N EAR99 8541.30.0080 6 1 A 2.8 kV 4978 A 3 V 34100A @ 50Hz 300 mA 2.8 V 2475 A 300 mA Recuperación
CMA80E1400HB IXYS CMA80E1400HB 6.5000
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 Ixys - Tubo Activo CMA80 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CMA80E1400HB EAR99 8541.30.0080 30
VVZB135-16NO1 IXYS VVZB135-16NO1 -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis E2 VVZB Puente, 3 Formas - SCRS/Diodos - IGBT Con Diodo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 6 100 mA 1.6 kV 1.5 V - 78 Ma 135 A 3 scr, 3 diodos
IXTH21N50Q IXYS IXTH21N50Q -
RFQ
 ECAD 4838 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH21 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 21a (TC) 10V 250mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFV12N90PS IXYS IXFV12N90PS -
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Más-220smd Ixfv12 Mosfet (Óxido de metal) Más-220smd descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 12a (TC) 10V 900mohm @ 6a, 10v 6.5V @ 1MA 56 NC @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 380W (TC)
IXFN120N65X2 IXYS Ixfn120n65x2 39.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn120 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 650 V 108a (TC) 10V 24mohm @ 54a, 10V 5.5V @ 8MA 225 NC @ 10 V ± 30V 15500 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXRP15N120 IXYS Ixrp15n120 -
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixrp15 Estándar 300 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 10a, 47ohm, 15V 300 ns Escrutinio 1200 V 25 A 2.95V @ 15V, 10a 1.1MJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 36 NC -
MLO110-14IO7 IXYS Mlo110-14io7 -
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Mlo110 Controlador de 1 fase - scr/diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 25 100 mA 1.4 kV 81 A 1.5 V 1000A, 1070a 100 mA 51 A 1 scr, 1 diodo
IXFX120N30T IXYS Ixfx120n30t 13.2463
RFQ
 ECAD 9460 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx120 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixfx120n30t EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 120a (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10v 5V @ 4MA 265 NC @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFH220N20X3 IXYS Ixfh220n20x3 20.3100
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH220 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 220a (TC) 10V 6.2mohm @ 110a, 10V 4.5V @ 4MA 204 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXTT34N65X2HV IXYS Ixtt34n65x2hv 7.0695
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt34 Mosfet (Óxido de metal) TO-268HV (IXTT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 34a (TC) 10V 96mohm @ 17a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 540W (TC)
MCMA700PD1600CB IXYS MCMA700PD1600CB 226.5767
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis Reemplazar MCMA700 Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MCMA700PD1600CB EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 1.6 kV 1200 A 2 V 19000A, 20500A 300 mA 700 A 1 scr, 1 diodo
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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