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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IXFR12N100Q IXYS IXFR12N100Q -
RFQ
 ECAD 3213 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR12 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 10a (TC) 10V 1.1ohm @ 6a, 10v 5.5V @ 4MA 90 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXXX110N65B4H1 IXYS IXXX110N65B4H1 18.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixxx110 Estándar 880 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 55A, 2ohm, 15V 100 ns PT 650 V 240 A 630 A 2.1V @ 15V, 110A 2.2MJ (Encendido), 1.05mj (apaguado) 183 NC 38ns/156ns
MMIX1F44N100Q3 IXYS MMIX1F44N100Q3 50.8870
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 24-POWERSMD, 21 cables Mmix1f44 Mosfet (Óxido de metal) 24-smpd descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 N-canal 1000 V 30A (TC) 10V 245mohm @ 22a, 10v 6.5V @ 8MA 264 NC @ 10 V ± 30V 13600 pf @ 25 V - 694W (TC)
IXYH16N170C IXYS Ixyh16n170c 10.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixyh16 Estándar 310 W TO-247 (ixyh) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 850V, 16A, 10ohm, 15V 19 ns - 1700 V 40 A 100 A 3.8V @ 15V, 16A 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) 56 NC 11ns/140ns
IXFR200N10P IXYS IXFR200N10P 18.9800
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Caja Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR200 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 133a (TC) 10V 9mohm @ 100a, 10v 5V @ 8MA 235 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFA34N65X3 IXYS Ixfa34n65x3 8.5300
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa34 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXFA34N65X3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 34a (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10v 5.2V @ 2.5MA 29 NC @ 10 V ± 20V 2025 pf @ 25 V - 446W (TC)
MEA75-12DA IXYS MEA75-12DA 35.4500
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Ixys - Una granela Activo Monte del Chasis To40aa MEA75 Estándar To40aa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -MEA75-12DA EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 1200 V 75a 2.17 V @ 100 A 300 ns 2 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFH12N100F IXYS IXFH12N100F 12.0100
RFQ
 ECAD 1694 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase F Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH12 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 12a (TC) 10V 1.05ohm @ 6a, 10v 5.5V @ 4MA 77 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 300W (TC)
FII24N170AH1 IXYS FII24N170AH1 -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -4, AISLADO Fii24n17 140 W Estándar Isoplus I4-Pac ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 Medio puente Escrutinio 1700 V 18 A 6V @ 15V, 16A 100 µA No 2.4 NF @ 25 V
DSA1I100SA IXYS DSA1I100SA -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Dsa1i100 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 1 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
IXFC26N50P IXYS Ixfc26n50p -
RFQ
 ECAD 6595 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Isoplus220 ™ Ixfc26n50 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus220 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 13a, 10v 5.5V @ 4MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 130W (TC)
MTI85W100GC-SMD IXYS MTI85W100GC-SMD 29.1277
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-SMD, Ala de Gaviota MTI85W100 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MTI85W100GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 6 Canal N (Puente 3 Formas) 100V 120a (TC) 4mohm @ 80a, 10v 3.5V @ 150 µA 88nc @ 10V - -
IXGA7N60CD1 IXYS IXGA7N60CD1 -
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Ixys Hiperfast ™, Lightspeed ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga7 Estándar 75 W Un 263AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480v, 7a, 18ohm, 15V 35 ns - 600 V 14 A 30 A 2.5V @ 15V, 7a 120 µJ (apaguado) 25 NC 10ns/65ns
GWM160-0055X1-SLSAM IXYS GWM160-005555X1-SLSAM -
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-smd, planos de cables GWM160 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 6 Canal N (Puente 3 Formas) 55V 150a 3.3mohm @ 100a, 10V 4.5V @ 1MA 105nc @ 10V - -
IXTA80N075L2 IXYS Ixta80n075l2 13.9200
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta80 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IstA80N075L2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 24mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 250 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 357W (TC)
VUO80-18NO1 IXYS VUO80-18NO1 35.1342
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis V1-A VUO80 Estándar V1-A descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 24 1.14 v @ 30 a 40 µA @ 1800 V 82 A Fase triple 1.8 kV
VUO121-16NO1 IXYS VUO121-16NO1 68.5500
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis E2 VUO121 Estándar E2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6 1.19 v @ 40 a 100 µA @ 1600 V 118 A Fase triple 1.6 kV
DSEI25-06AS-TUB IXYS DSEI25-06As-TUB 3.9500
RFQ
 ECAD 5955 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DSEI25 Estándar TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-DSEI25-06As-TUB EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.31 v @ 25 a 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 25A 20pf @ 400V, 1 MHz
IXTV30N50PS IXYS Ixtv30n50ps -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Más-220smd Ixtv30 Mosfet (Óxido de metal) Más-220smd descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 4150 pf @ 25 V - 460W (TC)
W1032LC500 IXYS W1032LC500 -
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Apretar Do-200ab, B-PUK W1032 Estándar W4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W1032LC500 EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 5000 V 2.7 V @ 2420 A 30 µs 30 mA @ 5000 V -40 ° C ~ 150 ° C 1032a -
IXTA180N085T IXYS Ixta180n085t -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta180 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 85 V 180A (TC) 10V 5.5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 7500 pf @ 25 V - 430W (TC)
IXA20RG1200DHG-TRR IXYS Ixa20rg1200dhg-trr 12.7242
RFQ
 ECAD 4369 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 9-smd Ixa20 Estándar 125 W Isoplus-smpd ™ .b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 600V, 15a, 56ohm, 15V PT 1200 V 32 A 2.1V @ 15V, 15a 1.55mj (Encendido), 1.7mj (apaguado) 48 NC -
IXFA16N50P IXYS Ixfa16n50p 3.6441
RFQ
 ECAD 6375 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa16 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 400mohm @ 8a, 10v 5.5V @ 2.5mA 43 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTT68P20T IXYS Ixtt68p20t 20.6800
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt68 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 200 V 68a (TC) 10V 55mohm @ 34a, 10v 4V @ 250 µA 380 NC @ 10 V ± 15V 33400 pf @ 25 V - 568W (TC)
IXTP44N25T IXYS Ixtp44n25t -
RFQ
 ECAD 1837 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo - A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp44 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 44a (TC) - - - -
DMA50I800HA IXYS DMA50I800HA 3.7653
RFQ
 ECAD 4029 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 DMA50 Estándar To-247 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DMA50I800HA EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 50 A 40 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 19PF @ 400V, 1MHz
IXSH30N60U1 IXYS Ixsh30n60u1 -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixsh30 Estándar 200 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480V, 30A, 4.7OHM, 15V 50 ns - 600 V 50 A 100 A 2.5V @ 15V, 30a 2.5MJ (apaguado) 110 NC 60ns/400ns
IXGR60N60C3C1 IXYS IXGR60N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgr60 Estándar 170 W Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480v, 40a, 3ohm, 15V PT 600 V 75 A 260 A 2.5V @ 15V, 40A 830 µJ (Encendido), 450 µJ (apaguado) 115 NC 24ns/70ns
IXTT12N150 IXYS Ixtt12n150 17.0700
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt12 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 12a (TC) 10V 2ohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 30V 3720 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXTA62N15P-TRL IXYS Ixta62n15p-trl 3.2181
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 Ixys Polar Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta62 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-Eiesta62n15p-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 62a (TC) 10V 40mohm @ 31a, 10v 5.5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 350W (TC)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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