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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
IXFR58N20 IXYS IXFR58N20 -
RFQ
 ECAD 3669 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR58 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 50A (TC) 10V 40mohm @ 29a, 10v 4V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTB62N50L IXYS Ixtb62n50l 59.2500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Ixys Lineal Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtb62 Mosfet (Óxido de metal) MÁS264 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 62a (TC) 20V 100mohm @ 31a, 20V 5.5V @ 250 µA 550 NC @ 20 V ± 30V 11500 pf @ 25 V - 800W (TC)
IXTY1R6N50D2 IXYS Ixty1r6n50d2 3.0700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Ixys Agotamiento Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixty1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 500 V 1.6a (TC) - 2.3ohm @ 800mA, 0V - 23.7 NC @ 5 V ± 20V 645 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 100W (TC)
IXTH96N25T IXYS Ixth96n25t 6.1857
RFQ
 ECAD 2981 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth96 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 96a (TC) 10V 29mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 30V 6100 pf @ 25 V - 625W (TC)
IXFP76N15T2 IXYS IXFP76N15T2 5.1000
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP76 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 76a (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4.5V @ 250 µA 97 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXFE44N50Q IXYS Ixfe44n50q -
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfe44 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 500 V 39A (TC) 10V 120mohm @ 22a, 10v 4V @ 4MA 190 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXFH60N20 IXYS IXFH60N20 -
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixfh60 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 60A (TC) 10V 33mohm @ 30a, 10V 4V @ 4MA 155 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFH16N80P IXYS IXFH16N80P 9.3000
RFQ
 ECAD 3692 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH16 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 16a (TC) 10V 600mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 71 NC @ 10 V ± 30V 4600 pf @ 25 V - 460W (TC)
IXFK150N30P3 IXYS Ixfk150n30p3 21.8100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK150 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixfk150n30p3 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 300 V 150A (TC) 10V 19mohm @ 75a, 10v 5V @ 8MA 197 NC @ 10 V ± 20V 12100 pf @ 25 V - 1300W (TC)
VUE35-06NO7 IXYS VUE35-06NO7 21.4800
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Eco-Pac1 VUE35 Estándar Eco-Pac1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 2.01 v @ 15 a 100 µA @ 600 V 56 A Fase triple 600 V
IXTK120N20P IXYS Ixtk120n20p 11.6268
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtk120 Mosfet (Óxido de metal) To-264 (ixtk) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 200 V 120a (TC) 10V 22mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 250 µA 152 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 714W (TC)
IXFX120N30P3 IXYS Ixfx120n30p3 18.3200
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx120 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixfx120n30p3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 120a (TC) 10V 27mohm @ 60a, 10v 5V @ 4MA 150 NC @ 10 V ± 20V 8630 pf @ 25 V - 1130W (TC)
DPG30P300PJ IXYS Dpg30p300pj 8.7400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Isoplus220 ™ DPG30P300 Estándar Isoplus220 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 300 V 30A 1.28 V @ 30 A 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
CS19-08HO1S-TRL IXYS CS19-08HO1S-TRL 4.5700
RFQ
 ECAD 770 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab CS19 Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 800 50 Ma 800 V 29 A 1.5 V 160a, 180a 28 MA 1.6 V 13 A 5 Ma Recuperación
IXTH220N20X4 IXYS IXTH220N20X4 19.0800
RFQ
 ECAD 301 0.00000000 Ixys Ultra x4 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH220 Mosfet (Óxido de metal) ISO A 247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-Ixth220n20x4 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 220a (TC) 10V 5.5mohm @ 110a, 10V 4.5V @ 250 µA 157 NC @ 10 V ± 20V 12300 pf @ 25 V - 800W (TC)
IXTP12N65X2M IXYS Ixtp12n65x2m 2.9501
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Ixtp12 Mosfet (Óxido de metal) Pestaña aislada de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 40W (TC)
IXFV16N80P IXYS Ixfv16n80p -
RFQ
 ECAD 6106 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 220-3, Pestaña Corta Ixfv16 Mosfet (Óxido de metal) Más220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 16a (TC) 10V 600mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 71 NC @ 10 V ± 30V 4600 pf @ 25 V - 460W (TC)
MDK600-16N1 IXYS MDK600-16N1 -
RFQ
 ECAD 2281 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto Monte del Chasis Módulo MDK600 Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1600 V 883A 880 MV @ 500 A 18 µs 50 mA @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFJ15N100Q IXYS IXFJ15N100Q -
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Ixfj15 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 30 -
DSB60C45PB IXYS DSB60C45PB -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 DSB60C45 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 630 MV @ 30 A 10 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
IXSK40N60BD1 IXYS Ixsk40n60bd1 -
RFQ
 ECAD 7512 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixsk40 Estándar 280 W To-264aa (ixsk) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 480V, 40A, 2.7OHM, 15V 35 ns - 600 V 75 A 150 A 2.2V @ 15V, 40A 1.8mj (apaguado) 190 NC 50ns/110ns
DMA10P1600PZ-TRL IXYS DMA10P1600PZ-TRL 3.1264
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab DMA10 Estándar Un 263HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DMA10P1600PZ-TRLTR EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.26 v @ 10 a 10 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 4PF @ 400V, 1MHz
GWM120-0075X1-SL IXYS GWM120-0075X1-SL -
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-smd, planos de cables GWM120 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 28 6 Canal N (Puente 3 Formas) 75V 110A 4.9mohm @ 60a, 10V 4V @ 1MA 115nc @ 10V - -
IXFH60N50P3 IXYS IXFH60N50P3 11.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixfh60 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 625876 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 60A (TC) 10V 100mohm @ 30a, 10v 5V @ 4MA 96 NC @ 10 V ± 30V 6250 pf @ 25 V - 1040W (TC)
MDD710-22N2 IXYS MDD710-22N2 -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto Módulo MDD710 Estándar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 2200 V 708a 50 mA @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXGH10N170 IXYS IXGH10N170 9.3800
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh10 Estándar 110 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - Escrutinio 1700 V 20 A 70 A 4V @ 15V, 10a - 32 NC -
IXTT75N10L2 IXYS Ixtt75n10l2 18.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt75 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTT75N10L2 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 75A (TC) 10V 21mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 250 µA 215 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXFN130N30 IXYS Ixfn130n30 42.4320
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn130 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado IXFN130N30-NDR EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 300 V 130A (TC) 10V 22mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 8MA 380 NC @ 10 V ± 20V 14500 pf @ 25 V - 700W (TC)
IXFH96N15P IXYS Ixfh96n15p 6.7303
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Caja Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixfh96 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 150 V 96a (TC) 10V 24mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 110 NC @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFH120N20P IXYS IXFH120N20P 12.5700
RFQ
 ECAD 8173 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Caja Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH120 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 120a (TC) 10V 22mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 152 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 714W (TC)
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