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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
MCNA55PD2200TB IXYS MCNA55PD2200TB 39.1461
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCNA55 Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MCNA55PD2200TB EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 2.2 kV 86 A 1.5 V 1000A, 1080a 95 Ma 55 A 1 scr, 1 diodo
IXGA30N120B3-TRL IXYS IXGA30N120B3-TRL 5.3818
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga30 Estándar 300 W TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXGA30N120B3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 960V, 30a, 5ohm, 15V 37 ns PT 1200 V 60 A 150 A 3.5V @ 15V, 30a 3.47mj (Encendido), 2.16mj (apaguado) 87 NC 16ns/127ns
CLB30I1200PZ-TUB IXYS Clb30i1200pz-tub 3.1172
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Ixys CLB30I1200PZ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab CLB30 Un 263HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CLB30I1200PZ-TUB EAR99 8541.30.0080 50 60 Ma 1.2 kV 47 A 1.3 V 300A, 325A 30 Ma 1.3 V 30 A Recuperación
IXTA1R6N100D2-TRL IXYS Ixta1r6n100d2-trl 2.0243
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Ixys Agotamiento Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IxtA1 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa1r6n100d2-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1000 V 1.6a (TJ) 0V 10ohm @ 800mA, 0V 4.5V @ 100 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 645 pf @ 25 V - 100W (TC)
IXA4I1200UC-TUB IXYS IXA4I1200UC-TUB 1.8237
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixa4i1200 Estándar 45 W Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXA4I1200UC-TUB EAR99 8541.29.0095 70 600V, 3a, 330ohm, 15V PT 1200 V 9 A 2.1V @ 15V, 3A 400 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 12 NC 70ns/250ns
IXFA12N65X2-TRL IXYS IXFA12N65X2-TRL 2.7510
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa12 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA12N65X2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 18.5 NC @ 10 V ± 30V 1134 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1 -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh40 Estándar 455 W TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXXH40N65C4D1 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V 62 ns PT 650 V 110 A 215 A 2.3V @ 15V, 40A 1.6MJ (Encendido), 420 µJ (apaguado) 68 NC 20ns/100ns
IXTA80N10T-TRL IXYS Ixta80n10t-trl 2.4137
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 Ixys Zanja Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta80 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-iesxa80n10t-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 14mohm @ 25A, 10V 5V @ 100 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3040 pf @ 25 V - 230W (TC)
MDMA60B1200MB IXYS MDMA60B1200MB 19.4230
RFQ
 ECAD 4401 0.00000000 Ixys - Caja Activo - - - MDMA60 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MDMA60B1200MB EAR99 8541.30.0080 10 - -
MTI85W100GC-SMD IXYS MTI85W100GC-SMD 29.1277
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-SMD, Ala de Gaviota MTI85W100 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MTI85W100GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 6 Canal N (Puente 3 Formas) 100V 120a (TC) 4mohm @ 80a, 10v 3.5V @ 150 µA 88nc @ 10V - -
DSB15IM30UC-TUB IXYS DSB15IM30UC-TUB -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DSB15IM30 Schottky Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DSB15IM30UC-TUB EAR99 8541.10.0080 70 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 510 MV @ 15 A 5 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 292pf @ 24V, 1MHz
IXYN120N65B3D1 IXYS Ixyn120n65b3d1 -
RFQ
 ECAD 4394 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn120 Estándar 830 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYN120N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 50A, 2ohm, 15V 28 ns PT 650 V 250 A 770 A 1.9V @ 15V, 100A 1.34mj (Encendido), 1.5mj (apaguado) 250 NC 30ns/168ns
DMA10IM1600UZ-TRL IXYS DMA10IM1600UZ-TRL 0.7616
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMA10 Estándar Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DMA10IM1600UZ-TRLTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.26 v @ 10 a 10 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 4PF @ 400V, 1MHz
IXXH140N65B4 IXYS Ixxh140n65b4 16.5613
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh140 Estándar 1200 W TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXXH140N65B4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 4.7OHM, 15V 105 ns PT 650 V 340 A 840 A 1.9V @ 15V, 120a 5.75mj (Encendido), 2.67MJ (apaguado) 250 NC 54ns/270ns
IXTY1R4N120P-TRL IXYS Ixty1r4n120p-trl 2.0793
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 Ixys Polar Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixty1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXTY1R4N120P-TRLTR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 1200 V 1.4a (TC) 10V 13ohm @ 700mA, 10V 4.5V @ 100 µA 24.8 NC @ 10 V ± 30V 666 pf @ 25 V - 86W (TC)
IXFA72N30X3-TRL IXYS IXFA72N30X3-TRL 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa72 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA72N30X3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 300 V 72a (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10v 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 25 V - 390W (TC)
MIXG180W1200TEH IXYS Mixg180w1200teh 194.0440
RFQ
 ECAD 2149 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Mixg180 935 W Estándar E3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MIXG180W1200TEH EAR99 8541.29.0095 5 Inversor trifásico - 1200 V 280 A 2V @ 15V, 150a 500 µA Si 8.5 nf @ 100 V
IXGA48N60C3-TRL IXYS IXGA48N60C3-TRL 3.1631
RFQ
 ECAD 8261 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga48 Estándar 300 W TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXGA48N60C3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 400V, 30a, 3ohm, 15V 26 ns PT 600 V 75 A 250 A 2.5V @ 15V, 30a 410 µJ (Encendido), 230 µJ (apaguado) 77 NC 19ns/60ns
IXTT1N250HV-TRL IXYS Ixtt1n250hv-trl 37.8644
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt1 Mosfet (Óxido de metal) TO-268HV (IXTT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 238-ixtt1n250HV-TRLTR EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 2500 V 1.5a (TC) 10V 40ohm @ 750mA, 10V 4V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1660 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXFA5N100P-TRL IXYS IXFA5N100P-TRL 3.6333
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa5n100 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA5N100P-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1000 V 5A (TC) 10V 2.8ohm @ 2.5a, 10V 6V @ 250 µA 33.4 NC @ 10 V ± 30V 1830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXTH30N25L2 IXYS IXTH30N25L2 19.6670
RFQ
 ECAD 8977 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH30 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXTH30N25L2 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 30A (TC) 10V 140mohm @ 15a, 10v 4.5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 355W (TC)
MDMA425P1600PT-PC IXYS MDMA425P1600PT-PC 147.9679
RFQ
 ECAD 9295 0.00000000 Ixys - Caja Activo MDMA425 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MDMA425P1600PT-PC 24 - - - -
DMA50I1200HA IXYS DMA50I1200HA 3.9120
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 DMA50 Estándar To-247 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DMA50I1200HA EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.3 V @ 50 A 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 19PF @ 400V, 1MHz
IXYA30N120A4HV IXYS Ixya30n120a4hv 7.6136
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixya30 Estándar 500 W Un 263HV - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYA30N120A4HV EAR99 8541.29.0095 50 960V, 25a, 5ohm, 15V 42 ns PT 1200 V 106 A 184 A 1.9V @ 15V, 25A 4MJ (Encendido), 3.4MJ (apagado) 57 NC 15ns/235ns
MTC120W55GC-SMD IXYS MTC120W55GC-SMD 28.2508
RFQ
 ECAD 2221 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - - - MTC120 - - descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MTC120W55GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 - - -
MDMA60UC1600VC IXYS MDMA60UC1600VC 45.4140
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Paquete V1-B MDMA60 Puente, 3 Formas - SCR/Diodos - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MDMA60UC1600VC EAR99 8541.30.0080 10 100 mA 1.6 kV 79 A 1.5 V 800a, 865a 78 Ma 50 A 1 scr, 6 diodos
IXXN340N65B4 IXYS Ixxn340n65b4 65.9640
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 Ixys GenX4 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixxn340 Estándar 1500 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 238-IXXN340N65B4 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100a, 1ohm, 15V 65 ns PT 650 V 520 A 1200 A 1.7v @ 15V, 160a 4.4mj (Encendido), 2.2MJ (apagado) 553 NC 62ns/245ns
IXGP28N60A3M IXYS IXGP28N60A3M -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA IXGP28 Estándar 64 W Pestaña aislada de 220 - 238-IXGP28N60A3M EAR99 8541.29.0095 50 480V, 24a, 10ohm, 15V 26 ns PT 600 V 38 A 200 A 1.4V @ 15V, 24a - 66 NC 18ns/300ns
IXGA48N60A3-TRL IXYS IXGA48N60A3-TRL 6.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga48 Estándar 300 W TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 480V, 32a, 5ohm, 15V 30 ns PT 600 V 120 A 300 A 1.35V @ 15V, 32a 950 µJ (Encendido), 2.9mj (apaguado) 110 NC 25ns/334ns
IXFQ8N85X IXYS Ixfq8n85x 4.5552
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq8n85 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFQ8N85X EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 850 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10v 5.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 654 pf @ 25 V - 200W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

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