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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IXFN44N50Q IXYS IXFN44N50Q -
RFQ
 ECAD 6857 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn44 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 500 V 44a (TC) 10V 120mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 25 V - 500W (TC)
VBO105-14NO7 IXYS VBO105-14NO7 -
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-C VBO105 Estándar PWS-C descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.6 V @ 150 A 300 µA @ 1400 V 107 A Fase única 1.4 kV
IXFP36N20X3 IXYS Ixfp36n20x3 4.6800
RFQ
 ECAD 387 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP36 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 36A (TC) 10V 45mohm @ 18a, 10v 4.5V @ 500 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1425 pf @ 25 V - 176W (TC)
VBO125-08NO7 IXYS VBO125-08NO7 -
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-C VBO125 Estándar PWS-C - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.07 v @ 50 a 200 µA @ 800 V 124 A Fase única 800 V
IXTP8N70X2 IXYS Ixtp8n70x2 4.2700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTP8N70X2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 700 V 8a (TC) 10V 500mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 10 V - 150W (TC)
IXFT1874 TR IXYS Ixft1874 tr -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Obsoleto Ixft1874 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 -
IXGX100N170 IXYS IXGX100N170 39.8540
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixgx100 Estándar 830 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - Escrutinio 1700 V 170 A 600 A 3V @ 15V, 100A - 425 NC -
IXFH26N100X IXYS Ixfh26n100x 19.7800
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH26 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 26a (TC) 10V 320mohm @ 13a, 10v 6V @ 4MA 113 NC @ 10 V ± 30V 3290 pf @ 25 V - 860W (TC)
IXTP20N65X2 IXYS Ixtp20n65x2 5.0500
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 238-ixtp20n65x2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 185mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 290W (TC)
IXTN8N150L IXYS Ixtn8n150l 53.8500
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Ixys Lineal Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixtn8 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1500 V 7.5a (TC) 20V 3.6ohm @ 4a, 20V 8V @ 250 µA 250 NC @ 15 V ± 30V 8000 pf @ 25 V - 545W (TC)
IXFH400N075T2 IXYS IXFH400N075T2 16.0900
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH400 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 75 V 400A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 420 NC @ 10 V ± 20V 24000 pf @ 25 V - 1000W (TC)
IXFP14N55X2 IXYS Ixfp14n55x2 5.8746
RFQ
 ECAD 6048 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo - - - IXFP14 - - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFP14N55X2 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
IXTA08N120P-TRL IXYS Ixta08n120p-trl 2.5952
RFQ
 ECAD 1599 0.00000000 Ixys Polar Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta08 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa08n120p-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1200 V 800 mA (TC) 10V 25ohm @ 400mA, 10V 4.5V @ 50 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 333 pf @ 25 V - 50W (TC)
IXFN20N120 IXYS IXFN20N120 -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn20 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 20A (TC) 10V 750mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 8MA 160 NC @ 10 V ± 30V 7400 pf @ 25 V - 780W (TC)
HTZ160C14K IXYS HTZ160C14K -
RFQ
 ECAD 2067 0.00000000 Ixys HTZ160C Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ160 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 14400 V 1.7a 12 V @ 2 A 500 µA @ 14400 V
MCA550-12IO2 IXYS MCA550-12IO2 -
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Ixys * Banda Obsoleto - ROHS3 Cumplante 238-MCA550-12IO2 EAR99 8541.30.0080 1
MII150-12A4 IXYS MII150-12A4 -
RFQ
 ECAD 4306 0.00000000 Ixys - Caja Activo 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y3-DCB MII150 760 W Estándar Y3-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Medio puente Escrutinio 1200 V 180 A 2.7V @ 15V, 100A 7.5 Ma No 6.6 NF @ 25 V
IXGH60N60C2 IXYS IXGH60N60C2 -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh60 Estándar 480 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 2ohm, 15V PT 600 V 75 A 300 A 2.5V @ 15V, 50A 480 µJ (apaguado) 146 NC 18ns/95ns
IXGN50N60B IXYS Ixgn50n60b -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixgn50 300 W Estándar Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 Soltero - 600 V 75 A 2.3V @ 15V, 50A 200 µA No 4.1 NF @ 25 V
CLA60MT1200NHR IXYS CLA60MT1200NHR 10.5573
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 Ixys Dt-triac ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 CLA60 ISO247 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CLA60MT1200NHR EAR99 8541.30.0080 30 Soltero 60 Ma Estándar 1.2 kV 66 A 1.3 V 380a, 410a 60 Ma
W6672TJ320 IXYS W6672TJ320 -
RFQ
 ECAD 2462 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Monte del Chasis Un 200af W6672 Estándar Un 200af descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W6672TJ320 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1750 V 1.37 V @ 5000 A 52 µs 100 mA @ 1750 V -40 ° C ~ 160 ° C 6672a -
LSIC1MO120T0160-TU IXYS LSIC1MO120T0160-TU 8.1853
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA LSIC1MO120 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Un 263-7 descascar 238-LSIC1MO120T0160-TU EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 1200 V 22a (TC) - - - - - -
IXTH50P085 IXYS Ixth50p085 -
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth50 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado IXTH50P085-NDR EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 85 V 50A (TC) 10V 55mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXGP8N100 IXYS Ixgp8n100 -
RFQ
 ECAD 1653 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixgp8 Estándar 54 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 800V, 8a, 120ohm, 15V PT 1000 V 16 A 32 A 2.7V @ 15V, 8a 2.3MJ (apaguado) 26.5 NC 15ns/600ns
IXBT12N300HV IXYS IXBT12N300HV 37.6500
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXBT12 Estándar 160 W TO-268HV (IXBT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1250V, 12a, 10ohm, 15V 1.4 µs - 3000 V 30 A 100 A 3.2V @ 15V, 12A - 62 NC 64ns/180ns
DLA60I1200HA IXYS Dla60i1200ha 7.0400
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 DLA60 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.19 v @ 60 a 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 60A 33pf @ 400V, 1MHz
W1730JK280 IXYS W1730JK280 -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Apretar Do-200ab, B-PUK W1730 Estándar W113 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W1730JK280 EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2800 V 1.2 V @ 1000 A 30 Ma @ 2800 V -40 ° C ~ 160 ° C 1730A -
MCMA65PD1600TB IXYS MCMA65PD1600TB 29.8897
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCMA65 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 105 A 1.5 V 1150a, 1240a 95 Ma 65 A 1 scr, 1 diodo
MDD142-16N1 IXYS MDD142-16N1 57.1300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis Y4-M6 MDD142 Estándar Y4-M6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MDD14216N1 EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 165a 1.3 V @ 300 A 20 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
VID25-06P1 IXYS VID25-06P1 -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis ECO-PAC2 A través de 82 W Estándar ECO-PAC2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 Soltero Escrutinio 600 V 24.5 A 2.9V @ 15V, 25A 600 µA Si 8 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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