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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo
DMA50P1600HB IXYS DMA50P1600HB 6.0153
RFQ
 ECAD 5555 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 DMA50 Estándar TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DMA50P1600HB EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.3 V @ 50 A 40 µA @ 1600 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 19PF @ 400V, 1MHz
MCNA55PD2200TB IXYS MCNA55PD2200TB 39.1461
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCNA55 Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MCNA55PD2200TB EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 2.2 kV 86 A 1.5 V 1000A, 1080a 95 Ma 55 A 1 scr, 1 diodo
IXGA30N120B3-TRL IXYS IXGA30N120B3-TRL 5.3818
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga30 Estándar 300 W TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXGA30N120B3-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 960V, 30a, 5ohm, 15V 37 ns PT 1200 V 60 A 150 A 3.5V @ 15V, 30a 3.47mj (Encendido), 2.16mj (apaguado) 87 NC 16ns/127ns
CLB30I1200PZ-TUB IXYS Clb30i1200pz-tub 3.1172
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Ixys CLB30I1200PZ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab CLB30 Un 263HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-CLB30I1200PZ-TUB EAR99 8541.30.0080 50 60 Ma 1.2 kV 47 A 1.3 V 300A, 325A 30 Ma 1.3 V 30 A Recuperación
IXTA1R6N100D2-TRL IXYS Ixta1r6n100d2-trl 2.0243
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Ixys Agotamiento Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IxtA1 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iesxa1r6n100d2-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1000 V 1.6a (TJ) 0V 10ohm @ 800mA, 0V 4.5V @ 100 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 645 pf @ 25 V - 100W (TC)
IXA4I1200UC-TUB IXYS IXA4I1200UC-TUB 1.8237
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixa4i1200 Estándar 45 W Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXA4I1200UC-TUB EAR99 8541.29.0095 70 600V, 3a, 330ohm, 15V PT 1200 V 9 A 2.1V @ 15V, 3A 400 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 12 NC 70ns/250ns
IXFA12N65X2-TRL IXYS IXFA12N65X2-TRL 2.7510
RFQ
 ECAD 7147 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa12 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA12N65X2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 18.5 NC @ 10 V ± 30V 1134 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXXH40N65C4D1 IXYS IXXH40N65C4D1 -
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh40 Estándar 455 W TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXXH40N65C4D1 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V 62 ns PT 650 V 110 A 215 A 2.3V @ 15V, 40A 1.6MJ (Encendido), 420 µJ (apaguado) 68 NC 20ns/100ns
IXTA80N10T-TRL IXYS Ixta80n10t-trl 2.4137
RFQ
 ECAD 7279 0.00000000 Ixys Zanja Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta80 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-iesxa80n10t-trltr EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 14mohm @ 25A, 10V 5V @ 100 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3040 pf @ 25 V - 230W (TC)
MDMA60B1200MB IXYS MDMA60B1200MB 19.4230
RFQ
 ECAD 4401 0.00000000 Ixys - Caja Activo - - - MDMA60 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MDMA60B1200MB EAR99 8541.30.0080 10 - -
MTI85W100GC-SMD IXYS MTI85W100GC-SMD 29.1277
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-SMD, Ala de Gaviota MTI85W100 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MTI85W100GC-SMD EAR99 8541.29.0095 13 6 Canal N (Puente 3 Formas) 100V 120a (TC) 4mohm @ 80a, 10v 3.5V @ 150 µA 88nc @ 10V - -
DSB15IM30UC-TUB IXYS DSB15IM30UC-TUB -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DSB15IM30 Schottky Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DSB15IM30UC-TUB EAR99 8541.10.0080 70 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 510 MV @ 15 A 5 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 292pf @ 24V, 1MHz
IXYN120N65B3D1 IXYS Ixyn120n65b3d1 -
RFQ
 ECAD 4394 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn120 Estándar 830 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYN120N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 50A, 2ohm, 15V 28 ns PT 650 V 250 A 770 A 1.9V @ 15V, 100A 1.34mj (Encendido), 1.5mj (apaguado) 250 NC 30ns/168ns
DFE240X600NA IXYS DFE240X600NA 39.2000
RFQ
 ECAD 7897 0.00000000 Ixys DFE240X600NA Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita DFE240 Estándar Sot-227b - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 238-DFE240X600NA EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 120a 1.3 V @ 120 A 80 ns 3 Ma @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXA4IF1200UC-TUB IXYS IxA4IF1200UC-TUB 2.6383
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ixa4if1200 Estándar 45 W Un 252AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXA4IF1200UC-TUB EAR99 8541.29.0095 70 600V, 3a, 330ohm, 15V PT 1200 V 9 A 2.1V @ 15V, 3A 400 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 12 NC 70ns/250ns
IXFA130N10T2-TRL IXYS IXFA130N10T2-TRL 3.5036
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa130 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXFA130N10T2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 130A (TC) 10V 10.1mohm @ 65a, 10v 4.5V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 360W (TC)
MDMA360UB1600P-PC IXYS MDMA360UB1600P-PC 124.0982
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Ixys - Caja Activo - - - MDMA360 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-MDMA360UB1600P-PC EAR99 8541.30.0080 28 - -
IXTA200N055T2-TRL IXYS Ixta200n055t2-trl 2.6471
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta200 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-ItA200N055T2-TRLTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 200a (TC) 10V 4.2mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 109 NC @ 10 V ± 20V 6970 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFP18N65X2 IXYS IXFP18N65X2 5.2200
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXFP18N65X2 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 18a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10v 5V @ 1.5MA 29 NC @ 10 V ± 30V 1520 pf @ 25 V - 290W (TC)
DCG20B650LB-TRR IXYS DCG20B650LB-TRR -
RFQ
 ECAD 8024 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 9-POWERSMD DCG20 Silicon Carbide Schottky 9-SMPD-B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DCG20B650LB-TRRTR 0000.00.0000 200 Fase única
DPF15I600APA IXYS Dpf15i600apa 2.0368
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - - DPF15 - - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DPF15I600APA 50 - - - -
IXYH55N120A4 IXYS Ixyh55n120a4 13.0000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixyh55 Estándar 650 W TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYH55N120A4 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 5ohm, 15V 35 ns PT 1200 V 175 A 350 A 1.8v @ 15V, 55a 2.3mj (Encendido), 5.3mj (apagado) 110 NC 23ns/300ns
MCC240-60IO2 IXYS MCC240-60IO2 -
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-MCC240-60IO2 EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 6 kV 376 A 2.5 V 44000A @ 50Hz 300 mA 240 A 2 SCRS
W6672TE350 IXYS W6672TE350 -
RFQ
 ECAD 4252 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Monte del Chasis Un 200af W6672 Estándar Un 200af descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W6672TE350 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1900 V 1.37 V @ 5000 A 52 µs 100 mA @ 1900 V -40 ° C ~ 160 ° C 6672a -
W6672TE320 IXYS W6672TE320 -
RFQ
 ECAD 4935 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Monte del Chasis Un 200af W6672 Estándar Un 200af descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W6672TE320 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1750 V 1.37 V @ 5000 A 52 µs 100 mA @ 1750 V -40 ° C ~ 160 ° C 6672a -
W7395ED480 IXYS W7395ED480 -
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Monte del Chasis Do-200ae W7395 Estándar W112 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W7395ED480 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2880 V 1.4 V @ 7000 A 69 µs 120 Ma @ 2880 V -40 ° C ~ 160 ° C 7395a -
W6672TJ320 IXYS W6672TJ320 -
RFQ
 ECAD 2462 0.00000000 Ixys - Caja Descontinuado en sic Monte del Chasis Un 200af W6672 Estándar Un 200af descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-W6672TJ320 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1750 V 1.37 V @ 5000 A 52 µs 100 mA @ 1750 V -40 ° C ~ 160 ° C 6672a -
IXTA86N20X4 IXYS Ixta86n20x4 11.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys Ultra x4 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta86 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-iesxa86n20x4 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 86a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10v 4.5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXTA94N20X4 IXYS Ixta94n20x4 12.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Ultra x4 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IxTa94 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-iesxa94n20x4 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 94a (TC) 10V 10.6mohm @ 47a, 10v 4.5V @ 250 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 5050 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTA100N15X4 IXYS Ixta100n15x4 10.6400
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 Ixys Ultra x4 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta100 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 100A (TC) 10V 11.5mohm @ 50A, 10V 4.5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 3970 pf @ 25 V - 375W (TC)
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