SIC
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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IXTA88N085T7 IXYS Ixta88n085t7 -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Ixta88 Mosfet (Óxido de metal) To-263-7 (ixta) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 85 V 88a (TC) 10V 11mohm @ 25A, 10V 4V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 3140 pf @ 25 V - 230W (TC)
DSEI30-10A IXYS DSEI30-10A 5.3600
RFQ
 ECAD 5965 0.00000000 Ixys - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 DSEI30 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2.4 V @ 36 A 50 ns 750 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VBO22-16NO8 IXYS VBO22-16NO8 14.1600
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, FO-B VBO22 Estándar Engañario descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 2.2 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 21 A Fase única 1.6 kV
FII40-06D IXYS FII40-06D -
RFQ
 ECAD 9858 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 Fii40 125 W Estándar Isoplus I4-Pac ™ - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 Medio puente Escrutinio 600 V 40 A 2.2V @ 15V, 25A 600 µA No 1.6 NF @ 25 V
VBO30-08NO7 IXYS VBO30-08NO7 -
RFQ
 ECAD 9418 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-A VBO30 Estándar PWS-A - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 15 A 40 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
VBO36-16NO8 IXYS VBO36-16NO8 15.8800
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, FO-B VBO36 Estándar Engañario descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.7 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 30 A Fase triple 1.6 kV
DHG50X650NA IXYS DHG50X650NA 38.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Ixys DHG 50X650NA Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Dhg50 Estándar Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-DHG50X650NA EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 650 V 25A 2.03 v @ 25 a 35 ns -
FBO40-12N IXYS FBO40-12N 20.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 FBO40 Estándar Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -FBO40-12N EAR99 8541.10.0080 25 1.17 v @ 20 a 40 µA @ 1200 V 40 A Fase única 1.2 kV
DSI35-12A IXYS DSI35-12A -
RFQ
 ECAD 5640 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental DSI35 Avalancha Do-203ab descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.55 V @ 150 A 4 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 49A -
DSA300I45NA IXYS DSA300I45NA -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita DSA300 Schottky Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 840 MV @ 300 A 3 Ma @ 45 V 300A 16500pf @ 5V, 1MHz
DSSK20-0045B IXYS DSSK20-0045B -
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 DSSK20 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 10A 510 MV @ 10 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
VBE17-12NO7 IXYS VBE17-12NO7 17.8900
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Ixys - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Eco-Pac1 VBE17 Estándar Eco-Pac1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VBE1712NO7 EAR99 8541.10.0080 25 2.92 v @ 10 a 60 µA @ 1200 V 19 A Fase única 1.2 kV
IXTK400N15X4 IXYS Ixtk400n15x4 59.8300
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Ixys Ultra x4 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtk400 Mosfet (Óxido de metal) Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -1402-ixtk400n15x4 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 150 V 400A (TC) 10V 3.1mohm @ 100a, 10v 4.5V @ 1MA 430 NC @ 10 V ± 20V 14500 pf @ 25 V - 1500W (TC)
IXBF42N300 IXYS IXBF42N300 62.9512
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -Pac ™ -5 (3 cables) Ixbf42 Estándar 240 W Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 1500V, 42a, 20ohm, 15V 1.7 µs - 3000 V 60 A 380 A 3V @ 15V, 42a - 200 NC 72ns/445ns
DSA70C150HB IXYS DSA70C150HB -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 DSA70C150 Schottky Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 35a 900 MV @ 35 A 680 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXFT14N100 IXYS Ixft14n100 -
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft14 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 14a (TC) 10V 750mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 4MA 220 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 360W (TC)
FUO22-12N IXYS Fuo22-12n 20.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 FUO22 Estándar Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.62 v @ 30 a 10 µA @ 1200 V 28 A Fase triple 1.2 kV
IXFR44N80P IXYS IXFR44N80P 22.8100
RFQ
 ECAD 8622 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR44 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 25A (TC) 10V 200mohm @ 22a, 10v 5V @ 8MA 200 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 300W (TC)
MDO1200-14N1 IXYS MDO1200-14N1 -
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto Monte del Chasis Y1-CU MDO1200 Estándar Y1-CU - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V - -
DSEP6-06BS-TRL IXYS DSEP6-06BS-TRL 0.7412
RFQ
 ECAD 1822 0.00000000 Ixys Hiperfred ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DSEP6 Estándar Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.66 v @ 6 a 15 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 5PF @ 400V, 1MHz
MCD72-16IO1B IXYS MCD72-16IO1B 39.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD72 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Mcd72-16io1b EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 180 A 2.5 V 1700A, 1800A 150 Ma 115 A 1 scr, 1 diodo
VVZ24-12IO1 IXYS VVZ24-12IO1 -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Kamm VVZ Puente, 3 Formas - SCR/Diodos - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5 100 mA 1.2 kV 16 A 1 V 300a, 320a 65 Ma 21 A 3 scr, 3 diodos
IXFH76N07-12 IXYS IXFH76N07-12 7.9857
RFQ
 ECAD 2866 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH76 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 70 V 76a (TC) 10V 12mohm @ 40a, 10V 3.4V @ 4MA 240 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTH10P50 IXYS Ixth10p50 -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth10 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado IXTH10P50-NDR EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 500 V 10a (TC) 10V 900mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 4700 pf @ 25 V - 300W (TC)
MCD95-14IO8B IXYS MCD95-14IO8B 37.9700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD95 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Mcd95-14io8b EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.4 kV 180 A 2.5 V 2250a, 2400a 150 Ma 116 A 1 scr, 1 diodo
MDD312-14N1 IXYS MDD312-14N1 155.9600
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis Y1-CU MDD312 Estándar Y1-CU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1400 V 310A 1.32 V @ 600 A 30 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
MCD95-16IO1B IXYS MCD95-16IO1B 41.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD95 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCD9516IO1B EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 180 A 2.5 V 2250a, 2400a 150 Ma 116 A 1 scr, 1 diodo
VW2X45-08IO1 IXYS VW2X45-08IO1 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo VW2X45 Controlador DE 2 FIBUSOS: TODOS LOS SCR descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 800 V 32 A 1.5 V 300a, 320a 100 mA 20 A 4 SCRS
MCO75-12IO1 IXYS MCO75-12IO1 28.8230
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MCO75 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 200 MA 1.2 kV 121 A 1.5 V 1070a, 1150a 100 mA 77 A 1 SCR
DSAI75-16B IXYS DSAI75-16B -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Dsai75 Avalancha Do-203ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.17 V @ 150 A 6 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 110A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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