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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
IXTP75N10P IXYS Ixtp75n10p 4.9700
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXTP75N10P EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 75A (TC) 10V 25mohm @ 500 mA, 10V 5.5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXFR26N120P IXYS IXFR26N120P 35.1193
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR26 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 15A (TC) 10V 500mohm @ 13a, 10v 6.5V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 14000 pf @ 25 V - 320W (TC)
IXFV16N80PS IXYS IXFV16N80PS -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Más-220smd Ixfv16 Mosfet (Óxido de metal) Más-220smd descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 16a (TC) 10V 600mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 71 NC @ 10 V ± 30V 4600 pf @ 25 V - 460W (TC)
IXTA220N04T2-7 IXYS Ixta220n04t2-7 6.4098
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Ixta220 Mosfet (Óxido de metal) To-263-7 (ixta) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Ixta220n04t27 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 220a (TC) 10V 3.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 20V 6820 pf @ 25 V - 360W (TC)
DPG120C300QB IXYS DPG120C300QB 10.3300
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 Ixys Hiperfred² ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 DPG120 Estándar Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 60A 1.4 V @ 60 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXFT42N50P2 IXYS Ixft42n50p2 11.2400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft42 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixft42n50p2 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 42a (TC) 10V 145mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 4MA 92 NC @ 10 V ± 30V 5300 pf @ 25 V - 830W (TC)
IXTH12N65X2 IXYS IXTH12N65X2 5.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH12 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 180W (TC)
VBO30-12NO7 IXYS VBO30-12NO7 -
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-A VBO30 Estándar PWS-A - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 15 A 40 µA @ 1200 V 35 A Fase única 1.2 kV
IXFN72N55Q2 IXYS IXFN72N55Q2 -
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn72 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 550 V 72a (TC) 10V 72mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 8MA 258 NC @ 10 V ± 30V 10500 pf @ 25 V - 890W (TC)
IXGA48N60A3 IXYS IXGA48N60A3 6.2000
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixga48 Estándar 300 W Un 263AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXGA48N60A3 EAR99 8541.29.0095 50 480V, 32a, 5ohm, 15V PT 600 V 120 A 300 A 1.35V @ 15V, 32a 950 µJ (Encendido), 2.9mj (apaguado) 110 NC 25ns/334ns
IXFH26N65X3 IXYS Ixfh26n65x3 6.5773
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFH26 - 238-IXFH26N65X3 30
DSA10I100PM IXYS Dsa10i100pm -
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Dsa10i100 Schottky Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 890 MV @ 10 A 200 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
IXFR80N50Q3 IXYS IXFR80N50Q3 37.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR80 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 50A (TC) 10V 72mohm @ 40a, 10v 6.5V @ 8MA 200 NC @ 10 V ± 30V 10000 pf @ 25 V - 570W (TC)
IXBT20N360HV IXYS IXBT20N360HV 76.3097
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXBT20 Estándar 430 W Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1500V, 20a, 10ohm, 15V 1.7 µs - 3600 V 70 A 220 A 3.4V @ 15V, 20a 15.5MJ (Encendido), 4.3mj (apaguado) 110 NC 18ns/238ns
IXGX55N120A3D1 IXYS IXGX55N120A3D1 -
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixgx55 - MÁS247 ™ -3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - - - - -
IXFE73N30Q IXYS Ixfe73n30q -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfe73 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 300 V 66a (TC) 10V 46mohm @ 36.5a, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 V ± 20V 6400 pf @ 25 V - 400W (TC)
IXFK180N25T IXYS Ixfk180n25t 20.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixfk180 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 250 V 180A (TC) 10V 12.9mohm @ 60a, 10v 5V @ 8MA 345 NC @ 10 V ± 20V 28000 pf @ 25 V - 1390W (TC)
IXFK220N20X3 IXYS Ixfk220n20x3 20.7100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK220 Mosfet (Óxido de metal) Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 200 V 220a (TC) 10V 6.2mohm @ 110a, 10V 4.5V @ 4MA 204 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFK90N20 IXYS IXFK90N20 15.3652
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK90 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado IXFK90N20-NDR EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 200 V 90A (TC) 10V 23mohm @ 45a, 10v 4V @ 8MA 380 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFB70N60Q2 IXYS IXFB70N60Q2 30.0952
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q2 Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFB70 Mosfet (Óxido de metal) MÁS264 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 70A (TC) 10V 88mohm @ 35a, 10v 5.5V @ 8MA 265 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 890W (TC)
HTZ160C17K IXYS HTZ160C17K -
RFQ
 ECAD 6015 0.00000000 Ixys HTZ160C Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ160 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 16800 V 1.7a 12 V @ 2 A 500 µA @ 16800 V
IXTP08N50D2 IXYS Ixtp08n50d2 2.4900
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 Ixys Agotamiento Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp08 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 800 mA (TC) - 4.6ohm @ 400mA, 0V - 12.7 NC @ 5 V ± 20V 312 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 60W (TC)
MCD44-14IO1B IXYS MCD44-14IO1B -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD44 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 1.4 kV 80 A 1.5 V 1150a, 1230a 100 mA 51 A 1 scr, 1 diodo
VUO36-14NO8 IXYS VUO36-14NO8 15.3300
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 5 Cuadrado, FO-B VUO36 Estándar Engañario descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Vuo36-14no8 EAR99 8541.10.0080 1 1.04 v @ 15 a 40 µA @ 1400 V 27 A Fase triple 1.4 kV
DSEP2X61-12B IXYS DSEP2X61-12B 30.6460
RFQ
 ECAD 7378 0.00000000 Ixys DSEP2X61-12B Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita DSEP2X61 Estándar Sot-227b - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-DSEP2X61-12B EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 60A 2.9 V @ 60 A 70 ns 200 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXGP24N60C4D1 IXYS IXGP24N60C4D1 -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXGP24 Estándar 190 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 360v, 24a, 10ohm, 15V 30 ns PT 600 V 56 A 130 A 2.7V @ 15V, 24a 350 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado) 64 NC 22ns/192ns
DSEI2X30-06P IXYS DSEI2X30-06P -
RFQ
 ECAD 1267 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto Monte del Chasis Eco-Pac1 Dsei2x Estándar Eco-Pac1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 30A 1.6 V @ 30 A 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C
MCA500-18IO1 IXYS MCA500-18IO1 -
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 Ixys - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis WC-500 MCA500 Ánodo Común: Todos los SCRS descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 1 A 1.8 kV 1294 A 3 V 16500A @ 50Hz 300 mA 545 A 2 SCRS
IXFN24N90Q IXYS Ixfn24n90q -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo - Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn24 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 900 V 24a (TC) - - - 500W (TC)
FMM110-015X2F IXYS FMM110-015X2F -
RFQ
 ECAD 7604 0.00000000 Ixys Gigamos ™, Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 FMM110 Mosfet (Óxido de metal) 180W Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 2 Canal N (Dual) 150V 53A 20mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250 µA 150nc @ 10V 8600pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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