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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC
IXBT12N300 IXYS IXBT12N300 23.7863
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXBT12 Estándar 160 W Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - 1.4 µs - 3000 V 30 A 100 A 3.2V @ 15V, 12A - 62 NC -
IXFR200N10P IXYS IXFR200N10P 18.9800
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Caja Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR200 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 133a (TC) 10V 9mohm @ 100a, 10v 5V @ 8MA 235 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 300W (TC)
MDD95-20N1B IXYS MDD95-20N1B 40.1289
RFQ
 ECAD 9237 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis To40aa MDD95 Estándar To40aa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 2000 V 120a 1.43 V @ 300 A 15 Ma @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXFH26N100X IXYS Ixfh26n100x 19.7800
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH26 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 26a (TC) 10V 320mohm @ 13a, 10v 6V @ 4MA 113 NC @ 10 V ± 30V 3290 pf @ 25 V - 860W (TC)
FMM60-02TF IXYS FMM60-02TF 18.8696
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 Fmm60 Mosfet (Óxido de metal) 125W Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 2 Canal N (Dual) 200V 33a 40mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250 µA 90nc @ 10V 3700pf @ 25V -
IXTP120N075T2 IXYS Ixtp120n075t2 4.0400
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp120 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 7.7mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 4740 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXTQ30N50P IXYS Ixtq30n50p -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq30 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 4150 pf @ 25 V - 460W (TC)
FMM65-015P IXYS FMM65-015P -
RFQ
 ECAD 9046 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 Fmm65 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 2 Canal N (Dual) 150V 65a 22mohm @ 50A, 10V 4V @ 1MA 230NC @ 10V - -
GWM220-004P3-SL SAM IXYS GWM220-004P3-SL SAM -
RFQ
 ECAD 1694 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-smd, planos de cables GWM220 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 6 Canal N (Puente 3 Formas) 40V 180A - 4V @ 1MA 94nc @ 10V - -
IXTQ36N20T IXYS Ixtq36n20t -
RFQ
 ECAD 8891 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq36 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V - - - - -
IXTP110N055T2 IXYS Ixtp110n055t2 3.0400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp110 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 110A (TC) 10V 6.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3060 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2 10.5700
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 Ixys Ultra x2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixth48 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 632407 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 48a (TC) 10V 68mohm @ 24a, 10v 4.5V @ 4MA 77 NC @ 10 V ± 30V 4420 pf @ 25 V - 660W (TC)
VMO580-02F IXYS VMO580-02F 181.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y3-li VMO580 Mosfet (Óxido de metal) Y3-li descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 N-canal 200 V 580a (TC) 10V 3.8mohm @ 430a, 10V 4V @ 50 Ma 2750 NC @ 10 V ± 20V - -
IXFX48N60Q3 IXYS IXFX48N60Q3 28.7200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx48 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFX48N60Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 48a (TC) 10V 140mohm @ 24a, 10v 6.5V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 30V 7020 pf @ 25 V - 1000W (TC)
IXTK120N25 IXYS Ixtk120n25 -
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 Ixys Megamos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixtk120 Mosfet (Óxido de metal) To-264 (ixtk) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 120a (TC) 10V 20mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 360 NC @ 10 V ± 20V 7700 pf @ 25 V - 730W (TC)
IXTP220N04T2 IXYS Ixtp220n04t2 4.0600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp220 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 220a (TC) 10V 3.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 20V 6820 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTA27N20T IXYS Ixta27n20t -
RFQ
 ECAD 3572 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta27 Mosfet (Óxido de metal) Un 263AA - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 27a (TC) - - - -
IXTP180N055T IXYS Ixtp180n055t -
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp180 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 180A (TC) - 4V @ 1MA - -
IXFK44N50 IXYS Ixfk44n50 -
RFQ
 ECAD 8815 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixfk44 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 44a (TC) 10V 120mohm @ 22a, 10v 4V @ 8MA 270 NC @ 10 V ± 20V 8400 pf @ 25 V - 500W (TC)
DGSS10-06CC IXYS DGSS10-06CC -
RFQ
 ECAD 5533 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Isoplus220 ™ DGS10 Schottky Isoplus220 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 600 V 25A 2.1 v @ 10 a 23 ns 250 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
IXTU08N100P IXYS Ixtu08n100p -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ixtu08 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 1000 V 8a (TC) - - - -
IXTN8N150L IXYS Ixtn8n150l 53.8500
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Ixys Lineal Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixtn8 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1500 V 7.5a (TC) 20V 3.6ohm @ 4a, 20V 8V @ 250 µA 250 NC @ 15 V ± 30V 8000 pf @ 25 V - 545W (TC)
VW2X60-16IO1 IXYS VW2X60-16IO1 38.3233
RFQ
 ECAD 2640 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo VW2X60 Controlador DE 2 FIBUSOS: TODOS LOS SCR descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 24 200 MA 1.6 kV 43 A 1.5 V 520a, 560a 100 mA 27 A 4 SCRS
IXFE80N50 IXYS Ixfe80n50 -
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfe80 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 500 V 72a (TC) 10V 55mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 8MA 380 NC @ 10 V ± 20V 9890 pf @ 25 V - 580W (TC)
MCC95-08IO1B IXYS MCC95-08io1b 38.2300
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCC95 Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 800 V 180 A 2.5 V 2250a, 2400a 150 Ma 116 A 2 SCRS
DSEK60-06A IXYS DSEK60-06A 7.7400
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Ixys Fred Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Dsek60 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 30A 1.6 V @ 37 A 50 ns 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C
HTZ280H32K IXYS HTZ280H32K -
RFQ
 ECAD 8509 0.00000000 Ixys Htz280h Caja Activo Monte del Chasis Módulo HTZ280 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 32000 V 4.7a 23 V @ 12 A 500 µA @ 32000 V
DHG100X1200NA IXYS DHG100X1200NA 38.8300
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita DHG100 Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -DHG100X1200NA EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 50A 2.16 V @ 50 A 75 ns 100 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
IXTQ230N085T IXYS Ixtq230n085t -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq230 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 85 V 230A (TC) 10V 4.4mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 187 NC @ 10 V ± 20V 9900 pf @ 25 V - 550W (TC)
IXA70I1200NA IXYS IXA70I1200NA 35.2800
RFQ
 ECAD 6657 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento SOT-227-4, Miniócrita Ixa70i1200 350 W Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 50A 100 µA No
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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