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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
VWO40-16IO7 IXYS VWO40-16IO7 -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo VWO40 Controlador Trifásico: Todos los SCR descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 150 Ma 1.6 kV 29 A 1 V 400a, 450a 100 mA 18 A 6 SCRS
VWO36-08IO7 IXYS VWO36-08io7 -
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo VWO36 Controlador Trifásico: Todos los SCR descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 10 100 mA 800 V 28 A 1 V 320a, 350a 65 Ma 18 A 6 SCRS
IXFQ22N60P3 IXYS IXFQ22N60P3 9.8600
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq22 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixfq22n60p3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 22a (TC) 10V 360mohm @ 11a, 10v 5V @ 1.5MA 38 NC @ 10 V ± 30V 2600 pf @ 25 V - 500W (TC)
GWM220-004P3-SL IXYS GWM220-004P3-SL -
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 17-smd, planos de cables GWM220 Mosfet (Óxido de metal) - Isoplus-dil ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 36 6 Canal N (Puente 3 Formas) 40V 180A - 4V @ 1MA 94nc @ 10V - -
IXYH8N250C IXYS Ixyh8n250c -
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixyh8n250 Estándar 280 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1250V, 8a, 15ohm, 15V 5 ns - 2500 V 29 A 70 A 4V @ 15V, 8a 2.6mj (Encendido), 1.07mj (apaguado) 45 NC 11ns/180ns
VHF125-16IO7 IXYS VHF125-16IO7 -
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-E1 Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5 200 MA 1.6 kV 89 A 1.5 V 1500A, 1600A 100 mA 2 scr, 2 diodos
IXYK110N120C4 IXYS Ixyk110n120c4 21.1100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixyk110 Estándar 1360 W MÁS264 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYK110N120C4 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 50A, 2ohm, 15V 48 ns - 1200 V 310 A 740 A 2.4V @ 15V, 110a 3.6mj (Encendido), 1.9mj (apagado) 330 NC 40ns/320ns
DS35-12A IXYS DS35-12A -
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental DS35 Estándar Do-203ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.55 V @ 150 A 4 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 49A -
IXFA76N15T2 IXYS Ixfa76n15t2 5.2060
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa76 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 76a (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4.5V @ 250 µA 97 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXFK210N17T IXYS Ixfk210n17t -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Ixys Gigamos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK210 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 170 V 210A (TC) 10V 7.5mohm @ 60a, 10v 5V @ 4MA 285 NC @ 10 V ± 20V 18800 pf @ 25 V - 1150W (TC)
IXYX110N120B4 IXYS Ixyx110n120b4 21.2800
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixyx110 Estándar 1360 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYX110N120B4 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 2ohm, 15V 50 ns - 1200 V 340 A 800 A 2.1V @ 15V, 110a 3.6mj (Encendido), 3.85mj (apaguado) 340 NC 45ns/390ns
IXTP7N60PM IXYS Ixtp7n60pm -
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Ixys Polar ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 1.1ohm @ 3.5a, 10v 5.5V @ 100 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 41W (TC)
IXYT85N120A4HV IXYS Ixyt85n120a4hv 19.9100
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixyt85 Estándar 1150 W TO-268HV (IXYT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 238-IXYT85N120A4HV EAR99 8541.29.0095 30 600V, 60a, 5ohm, 15V 40 ns PT 1200 V 300 A 520 A 1.8v @ 15V, 85a 4.9mj (Encendido), 8.3mj (apagado) 200 NC 40ns/400ns
IXGT6N170A-TRL IXYS Ixgt6n170a-trl 12.1676
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixgt6n170 Estándar 75 W Un 268 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXGT6N170A-TRLTR EAR99 8541.29.0095 400 850V, 6A, 33OHM, 15V 40 ns - 1700 V 6 A 14 A 7V @ 15V, 3a 590 µJ (Encendido), 180 µJ (apagado) 18.5 NC 46ns/220ns
IXFH14N60P IXYS IXFH14N60P 6.0900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH14 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 14a (TC) 10V 550mohm @ 7a, 10v 5.5V @ 2.5mA 36 NC @ 10 V ± 30V 2500 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFK32N100P IXYS Ixfk32n100p 24.8900
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK32 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 1000 V 32A (TC) 10V 320mohm @ 16A, 10V 6.5V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 14200 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFB70N100X IXYS IXFB70N100X 53.8200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFB70 Mosfet (Óxido de metal) MÁS264 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 1000 V 70A (TC) 10V 89mohm @ 35a, 10v 6V @ 8MA 350 NC @ 10 V ± 30V 9160 pf @ 25 V - 1785W (TC)
IXGT4N250C IXYS Ixgt4n250c -
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixgt4n250 Estándar 150 W Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q7066732 EAR99 8541.29.0095 30 1250V, 4a, 20ohm, 15V Escrutinio 2500 V 13 A 46 A 6V @ 15V, 4A 360 µJ (apaguado) 57 NC -/350ns
MMIX1X100N60B3H1 IXYS MMIX1X100N60B3H1 28.6745
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 24-POWERSMD, 21 cables Mmix1x100 Estándar 400 W 24-smpd descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 360V, 70a, 2ohm, 15V 140 ns - 600 V 145 A 440 A 1.8v @ 15V, 70a 1.9mj (Encendido), 2MJ (apagado) 143 NC 30ns/120ns
MDD56-18N1B IXYS MDD56-18N1B 30.8608
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis To40aa MDD56 Estándar To40aa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1800 V 95a 1.48 V @ 200 A 10 Ma @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C
DSS10-01A IXYS DSS10-01A 1.6800
RFQ
 ECAD 1012 0.00000000 Ixys - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 DSS10 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DSS1001A EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 10 A 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
IXBT16N170AHV IXYS IXBT16N170AHV 16.6173
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXBT16 Estándar 150 W TO-268HV (IXBT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1360V, 10a, 10ohm, 15V 25 ns - 1700 V 16 A 40 A 6V @ 15V, 10a 2.5MJ (apaguado) 65 NC 15ns/250ns
IXFH30N40Q IXYS IXFH30N40Q -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH30 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 400 V 30A (TC) 10V 160mohm @ 15a, 10v 4V @ 4MA 95 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 25 V - 300W (TC)
VMO550-01F IXYS VMO550-01F -
RFQ
 ECAD 4691 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y3-DCB VMO550 Mosfet (Óxido de metal) Y3-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 N-canal 100 V 590a (TC) 10V 2.1mohm @ 500 mA, 10V 6V @ 110MA 2000 NC @ 10 V ± 20V 50000 pf @ 25 V - 2200W (TC)
MKE38P600TLB IXYS MKE38P600TLB -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Ixys - Una granela Activo - Montaje en superficie Módulo de 9-smd MKE38P600 - - Isoplus-smpd ™ .b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - 600V 50A (TC) - - - - -
IXXQ30N60B3M IXYS Ixxq30n60b3m 5.6000
RFQ
 ECAD 7705 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 IXXQ30 Estándar 90 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Ixxq30n60b3m EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24a, 10ohm, 15V 36 ns - 600 V 33 A 140 A 1.85V @ 15V, 24a 550 µJ (Encendido), 800 µJ (apaguado) 39 NC 23ns/150ns
IXBH20N360HV IXYS IXBH20N360HV 131.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixbh20 Estándar 430 W Un 247HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1500V, 20a, 10ohm, 15V 1.7 µs - 3600 V 70 A 220 A 3.4V @ 15V, 20a 15.5MJ (Encendido), 4.3mj (apaguado) 110 NC 18ns/238ns
IXYH40N65B3D1 IXYS Ixyh40n65b3d1 6.4158
RFQ
 ECAD 7131 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixyh40 Estándar 300 W TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V 37 ns - 650 V 86 A 195 A 2V @ 15V, 40A 800 µJ (Encendido), 1.25MJ (apagado) 68 NC 20ns/140ns
VHFD16-12IO1 IXYS VHFD16-12IO1 28.8200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis V1a-pak VHFD16 Puente, solo Fase - SCR/Diodos (Diseño 1) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -Vhfd16-12io1 EAR99 8541.30.0080 24 100 mA 1.2 kV 1 V 150a, 170a 65 Ma 16 A 2 scr, 4 diodos
CS45-12IO1 IXYS CS45-12IO1 6.7400
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -40 ° C ~ 140 ° C A Través del Aguetero Variatura a 247-3 CS45 MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CS4512IO1 EAR99 8541.30.0080 30 100 mA 1.2 kV 75 A 1.5 V 520a, 560a 100 mA 1.64 V 48 A 5 Ma Recuperación
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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