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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
IXYR100N65A3V1 IXYS IXYR100N65A3V1 23.9527
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - - - Ixyr100 - - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - - - - -
IXYX40N450HV IXYS Ixyx40n450hv 68.0100
RFQ
 ECAD 4156 0.00000000 Ixys XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixyx40 Estándar 660 W TO-247PLUS-HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 960V, 40a, 2ohm, 15V - 4500 V 95 A 350 A 3.9V @ 15V, 40A - 170 NC 36NS/110NS
IXTD3N60P-2J IXYS Ixtd3n60p-2j -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Ixtd3n Mosfet (Óxido de metal) Morir - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 3A (TC) 10V 2.9ohm @ 1.5a, 10V 5.5V @ 50 µA 9.8 NC @ 10 V ± 30V 411 pf @ 25 V - 70W (TC)
IXGM17N100A IXYS IXGM17N100A -
RFQ
 ECAD 3190 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE Ixgm17 Estándar 150 W A-204AE descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 800V, 17a, 82ohm, 15V 200 ns - 1000 V 34 A 68 A 4V @ 15V, 17A 3MJ (apaguado) 120 NC 100ns/500ns
IXGM20N60 IXYS Ixgm20n60 -
RFQ
 ECAD 2911 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE Ixgm20 Estándar 150 W A-204AE - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 480v, 20a, 82ohm, 15V 200 ns - 600 V 40 A 80 A 2.5V @ 15V, 20a 2MJ (Encendido), 3.2MJ (apagado) 120 NC 100ns/600ns
IXGM30N60 IXYS Ixgm30n60 -
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE IXGM30 Estándar 200 W A-204AE - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 200 ns - 600 V 50 A 100 A 2.5V @ 15V, 30a - 180 NC 100ns/500ns
IXTM5N100 IXYS Ixtm5n100 -
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Ixtm5 Mosfet (Óxido de metal) TO-204AA (IXTM) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 N-canal 1000 V 5A (TC) 10V 2.4ohm @ 2.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 180W (TC)
IXGH45N120 IXYS Ixgh45n120 -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Ixys - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh45 Estándar 300 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 960V, 45a, 5ohm, 15V - 1200 V 75 A 180 A 2.5V @ 15V, 45a 14MJ (apaguado) 170 NC 55ns/370ns
IXSH30N60B2D1 IXYS Ixsh30n60b2d1 -
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixsh30 Estándar 250 W Un 247ad descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado IXSH30N60B2D1-NDR EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24a, 5ohm, 15V 30 ns PT 600 V 48 A 90 A 2.5V @ 15V, 24a 550 µJ (apaguado) 50 NC 30ns/130ns
IXGH32N60BU1 IXYS IXGH32N60BU1 -
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh32 Estándar 200 W Un 247ad descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480v, 32a, 4.7ohm, 15V 50 ns - 600 V 60 A 120 A 2.3V @ 15V, 32a 600 µJ (apaguado) 110 NC 25ns/100ns
IXBH40N160 IXYS IXBH40N160 -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixbh40 Estándar 350 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado IXBH40N160-NDR EAR99 8541.29.0095 30 960V, 20a, 22ohm, 15V - 1600 V 33 A 40 A 7.1V @ 15V, 20a - 130 NC -
VBO25-16AO2 IXYS VBO25-16AO2 36.6200
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Ixys - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrados, Fo-A VBO25 Avalancha Fo-A descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q2602191 EAR99 8541.10.0080 10 1.36 V @ 55 A 300 µA @ 1600 V 38 A Fase única 1.6 kV
IXGX120N60B IXYS IXGX120N60B -
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixgx120 Estándar 660 W MÁS247 ™ -3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q2675300 EAR99 8541.29.0095 30 480V, 100A, 2.4OHM, 15V PT 600 V 200 A 300 A 2.1V @ 15V, 120a 2.4mj (Encendido), 5.5mj (apaguado) 350 NC 60ns/200ns
IXFX74N50P2 IXYS IXFX74N50P2 -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, PolarHV ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 IXFX74 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 74a (TC) 10V 77mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 4MA 165 nc @ 10 V ± 30V 9900 pf @ 25 V - 1400W (TC)
IXFX94N50P2 IXYS Ixfx94n50p2 22.1200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx94 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 94a (TC) 10V 55mohm @ 500 mA, 10V 5V @ 8MA 220 NC @ 10 V ± 30V 13700 pf @ 25 V - 1300W (TC)
FMM50-025TF IXYS FMM50-025TF 18.8696
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 Fmm50 Mosfet (Óxido de metal) 125W Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 2 Canal N (Dual) 250V 30A 50mohm @ 25A, 10V 4.5V @ 250 µA 78nc @ 10V 4000PF @ 25V -
FMP26-02P IXYS FMP26-02P -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Ixys Polar ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -5 FMP26 Mosfet (Óxido de metal) 125W Isoplus I4-Pac ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado FMP2602P EAR99 8541.29.0095 25 Vecino del canal 200V 26a, 17a 60mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 70nc @ 10V 2720pf @ 25V -
IXBH24N170 IXYS IXBH24N170 28.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixbh24 Estándar 250 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - 1.06 µs - 1700 V 60 A 230 A 2.5V @ 15V, 24a - 140 NC -
IXBK75N170 IXYS IXBK75N170 65.5000
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixbk75 Estándar 1040 W Un 264AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 - 1.5 µs - 1700 V 200 A 580 A 3.1V @ 15V, 75a - 350 NC -
IXFK360N10T IXYS Ixfk360n10t 14.1900
RFQ
 ECAD 5686 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, trinchera Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK360 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 360a (TC) 10V 2.9mohm @ 100a, 10V 5V @ 3MA 525 NC @ 10 V ± 20V 33000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXFP6N120P IXYS Ixfp6n120p 10.2300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixfp6n120 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFP6N120P EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1200 V 6a (TC) 10V 2.4ohm @ 500 mA, 10V 5V @ 1MA 92 NC @ 10 V ± 30V 2830 pf @ 25 V - 250W (TC)
IXGT72N60A3 IXYS IXGT72N60A3 11.9200
RFQ
 ECAD 5530 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXGT72 Estándar 540 W Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 3OHM, 15V PT 600 V 75 A 400 A 1.35V @ 15V, 60A 1.38mj (Encendido), 3.5mj (apaguado) 230 NC 31ns/320ns
IXTH360N055T2 IXYS IXTH360N055T2 10.5120
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXTH360 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 (IXTH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 55 V 360a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 330 NC @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 935W (TC)
IXTN110N20L2 IXYS Ixtn110n20l2 52.3300
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixtn110 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 100A (TC) 10V 24mohm @ 55a, 10v 4.5V @ 3MA 500 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 735W (TC)
IXTT360N055T2 IXYS Ixtt360n055t2 12.1500
RFQ
 ECAD 9224 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixtt360 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXT360N055T2 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 55 V 360a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 330 NC @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 935W (TC)
IXFP180N10T2 IXYS IXFP180N10T2 6.3100
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP180 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 6mohm @ 50a, 10v 4V @ 250 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXGH90N60B3 IXYS Ixgh90n60b3 -
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh90 Estándar 660 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480v, 60a, 2ohm, 15V PT 600 V 75 A 500 A 1.8v @ 15V, 90a 1.32mj (Encendido), 1.37mj (apaguado) 172 NC 31ns/150ns
VBO13-16AO2 IXYS VBO13-16AO2 -
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 Ixys - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrados, Fo-A VBO13 Avalancha Fo-A descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 1600 V 18 A Fase única 1.6 kV
IXGT32N170-TRL IXYS IXGT32N170-TRL 24.4600
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Ixys - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixgt32 Estándar 350 W Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 1020V, 32a, 2.7ohm, 15V Escrutinio 1700 V 75 A 200 A 3.3V @ 15V, 32a 11MJ (OFF) 155 NC 45ns/270ns
IXFN150N15 IXYS Ixfn150n15 -
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn150 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q3181657 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 150 V 150A (TC) 10V 12.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 8MA 360 NC @ 10 V ± 20V 9100 pf @ 25 V - 600W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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