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Productos de semiconductoros discretos (6315)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
VUO60-14NO3 IXYS VUO60-14NO3 -
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis FO-FB VUO60 Estándar FO-FB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.9 V @ 150 A 300 µA @ 1400 V 72 A Fase triple 1.4 kV
VUO62-08NO7 IXYS VUO62-08NO7 35.5700
RFQ
 ECAD 9704 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-D VUO62 Estándar PWS-D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 460443 EAR99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 800 V 63 A Fase triple 800 V
VUO62-12NO7 IXYS VUO62-12NO7 38.4300
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-D VUO62 Estándar PWS-D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 1200 V 63 A Fase triple 1.2 kV
VUO62-18NO7 IXYS VUO62-18NO7 37.9970
RFQ
 ECAD 8958 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis PWS-D VUO62 Estándar PWS-D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 1800 V 63 A Fase triple 1.8 kV
IXFH23N80Q IXYS IXFH23N80Q -
RFQ
 ECAD 7173 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH23 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 23a (TC) 10V 420mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 3MA 130 NC @ 10 V ± 30V 4900 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFH28N50Q IXYS IXFH28N50Q -
RFQ
 ECAD 4718 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH28 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 28a (TC) 10V 200mohm @ 14a, 10v 4.5V @ 4MA 94 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 375W (TC)
IXFH74N20P IXYS IXFH74N20P 7.8900
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Caja Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFH74 Mosfet (Óxido de metal) TO-247AD (IXFH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 74a (TC) 10V 34mohm @ 37a, 10v 5V @ 4MA 107 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXFK44N55Q IXYS IXFK44N55Q -
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Caja Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixfk44 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 550 V 44a (TC) 10V 120mohm @ 22a, 10v 4.5V @ 4MA 190 NC @ 10 V ± 20V 6400 pf @ 25 V - 500W (TC)
IXFL80N50Q2 IXYS IXFL80N50Q2 -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Ixfl80 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus264 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 55A (TC) 10V 66mohm @ 40a, 10v 5V @ 8MA 260 NC @ 10 V ± 30V 10500 pf @ 25 V - 625W (TC)
IXFN66N50Q2 IXYS Ixfn66n50q2 -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn66 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 500 V 66a (TC) 10V 80mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 8MA 199 NC @ 10 V ± 30V 6800 pf @ 25 V - 735W (TC)
IXFP5N50PM IXYS Ixfp5n50pm -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Polarht ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP5N50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 5.5V @ 500 µA 12.6 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 25 V - 38W (TC)
IXFQ10N80P IXYS Ixfq10n80p -
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixfq10 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 10a (TC) 10V 1.1ohm @ 5a, 10v 5.5V @ 2.5mA 40 NC @ 10 V ± 30V 2050 pf @ 25 V - 300W (TC)
IXFR20N80P IXYS IXFR20N80P 10.0360
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR20 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 11a (TC) 10V 500mohm @ 10a, 10v 5V @ 4MA 85 NC @ 10 V ± 30V 4680 pf @ 25 V - 166W (TC)
IXFR21N100Q IXYS IXFR21N100Q -
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR21 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 18a (TC) 10V 500mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 4MA 170 NC @ 10 V ± 20V 5900 pf @ 25 V - 350W (TC)
IXFR90N30 IXYS IXFR90N30 -
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXFR90 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 75A (TC) 10V 33mohm @ 45a, 10V 4.5V @ 4MA 360 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 25 V - 417W (TC)
IXFT23N80Q IXYS Ixft23n80q -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q Caja Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft23 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 23a (TC) 10V 420mohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 3MA 130 NC @ 10 V ± 30V 4900 pf @ 25 V - 500W (TC)
MCD72-08IO1B IXYS MCD72-08io1b -
RFQ
 ECAD 2597 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD72 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 800 V 180 A 2.5 V 1700A, 1800A 150 Ma 115 A 1 scr, 1 diodo
MCD72-08IO8B IXYS MCD72-08IO8B 35.1500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Ixys - Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis To40aa MCD72 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCD7208IO8B EAR99 8541.30.0080 36 200 MA 800 V 180 A 2.5 V 1700A, 1800A 150 Ma 115 A 1 scr, 1 diodo
MDD172-16N1 IXYS MDD172-16N1 58.7600
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis Y4-M6 MDD172 Estándar Y4-M6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MDD17216N1 EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 190a 1.15 V @ 300 A 20 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C
MDD220-18N1 IXYS MDD220-18N1 -
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis Y2-DCB MDD220 Estándar Y2-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1800 V 270a 1.4 V @ 600 A 40 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 150 ° C
MDD255-22N1 IXYS MDD255-22N1 181.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis Y1-CU MDD255 Estándar Y1-CU descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 2200 V 270a 1.4 V @ 600 A 30 Ma @ 2200 V -40 ° C ~ 150 ° C
MDD56-12N1B IXYS MDD56-12N1B 30.6800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Ixys - Caja Activo Monte del Chasis To40aa MDD56 Estándar To40aa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1200 V 95a 1.48 V @ 200 A 10 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C
MDI150-12A4 IXYS MDI150-12A4 -
RFQ
 ECAD 8295 0.00000000 Ixys - Caja Activo 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y3-DCB MDI150 760 W Estándar Y3-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Soltero Escrutinio 1200 V 180 A 2.7V @ 15V, 100A 7.5 Ma No 6.6 NF @ 25 V
MID150-12A4 IXYS Mid150-12A4 -
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Ixys - Caja Activo 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y3-DCB Mediados de 15 760 W Estándar Y3-DCB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Soltero Escrutinio 1200 V 180 A 2.7V @ 15V, 100A 7.5 Ma No 6.6 NF @ 25 V
MII75-12A3 IXYS MII75-12A3 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Y4-M5 MII75 370 W Estándar Y4-M5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Medio puente Escrutinio 1200 V 90 A 2.7V @ 15V, 50A 4 Ma No 3.3 NF @ 25 V
MIO1800-17E10 IXYS MIO1800-17E10 -
RFQ
 ECAD 3892 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis E10 Mío Estándar E10 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único Escrutinio 1700 V 1800 A 2.6V @ 15V, 1800A 120 Ma No 166 NF @ 25 V
IXTP160N10T IXYS Ixtp160n10t 5.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Ixys Zanja Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp160 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 160A (TC) 10V 7mohm @ 25A, 10V 4.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 30V 6600 pf @ 25 V - 430W (TC)
IXTP182N055T IXYS Ixtp182n055t -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp182 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 182a (TC) 10V 5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 20V 4850 pf @ 25 V - 360W (TC)
IXTP240N055T IXYS Ixtp240n055t -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp240 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 240a (TC) 10V 3.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXTP2N80 IXYS Ixtp2n80 -
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 6.2ohm @ 500 mA, 10V 5.5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 25 V - 54W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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