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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHF18N50C-E3 | - |  | 9628 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHF18 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 270mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 2942 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||
 | SI7784DP-T1-GE3 | - | | 8744 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7784 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | |||
| Sir470DP-T1-GE3 | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir470 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5660 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||
| Sir840dp-t1-ge3 | - | | 4545 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir840 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | - | - | - | - | - | |||||||
 | SIS426DN-T1-GE3 | - | | 4830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS426 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1570 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||
 | SI4431CDY-T1-GE3 | 0.7300 | | 82 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4431 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1006 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.2W (TC) | ||||
| SI4890BDY-T1-GE3 | - | | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4890 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | ||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9407 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 4.7a (TC) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 3.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | ||||
| Si4430bdy-t1-ge3 | 1.8500 | | 9321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4430 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 36 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | |||||
| Si4686dy-t1-ge3 | 1.5600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet®, WFET® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4686 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 18.2a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 13.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1220 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 5.2W (TC) | ||||
 | SI6925AdQ-T1-GE3 | - | | 7456 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6925 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI7450DP-T1-GE3 | 2.9000 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7450 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 3.2a (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SI7540DP-T1-GE3 | - | | 8016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7540 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 7.6a, 5.7a | 17mohm @ 11.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI1024X-T1-E3 | - | | 3662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1024 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 485mA | 700mohm @ 600mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI1039X-T1-E3 | - | | 4580 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1039 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 870MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 165mohm @ 870 mm, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 6 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 170MW (TA) | ||||
| SI1056X-T1-E3 | - | | 1187 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1056 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.32a (TA) | 1.8V, 4.5V | 89mohm @ 1.32a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 8.7 NC @ 5 V | ± 8V | 400 pf @ 10 V | - | 236MW (TA) | |||
| SI1070X-T1-E3 | - | | 1268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1070 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 99mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.55V @ 250 µA | 8.3 NC @ 5 V | ± 12V | 385 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | |||
 | SI1302DL-T1-E3 | 0.4400 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1302 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 600 mA (TA) | 4.5V, 10V | 480mohm @ 600 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.4 NC @ 10 V | ± 20V | - | 280MW (TA) | ||||
| SI1304BDL-T1-E3 | - | | 3486 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1304 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 900 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 270mohm @ 900 mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 100 pf @ 15 V | - | 340MW (TA), 370MW (TC) | |||
 | SI1403BDL-T1-E3 | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1403 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | ||||
| SI1413EDH-T1-E3 | - | | 7428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 450MV @ 100 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | ||||
| SI1551DL-T1-E3 | - | | 5875 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1551 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 290MA, 410MA | 1.9ohm @ 290mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI1553DL-T1-E3 | - | | 4161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1553 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 660MA, 410MA | 385mohm @ 660 mm, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 1.2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI1958DH-T1-E3 | - | | 8468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1958 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1.3a | 205mohm @ 1.3a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 3.8nc @ 10V | 105pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI3433BDV-T1-E3 | - | | 5654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3433 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||
| SI3460BDV-T1-E3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 860 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.5W (TC) | ||||
| SI3853DV-T1-E3 | - | | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3853 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 200mohm @ 1.8a, 4.5V | 500mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 830MW (TA) | ||||
| SI3993DV-T1-E3 | - | | 8921 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3993 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI4398DY-T1-E3 | - | | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4398 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 19a (TA) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5620 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||
| Si444464dy-t1-e3 | 1.4100 | | 4829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4464 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 1.7a (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) |
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