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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI8489EDB-T2-E1 | 0.4700 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8489 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.06a (TA) | 2.5V, 10V | 44mohm @ 1.5a, 10V | 1.2V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 12V | 765 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||||
![]() | SIDR668DP-T1-GE3 | 2.9300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR668 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.2a (TA), 95A (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
![]() | SI6955AdQ-T1-E3 | - | ![]() | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6955 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.5a | 80mohm @ 2.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 8NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
IRFBC40 | - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
![]() | IRF720StrrPBF | 1.1558 | ![]() | 2676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
![]() | SIE830DF-T1-E3 | - | ![]() | 9644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE830 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 16a, 10v | 2V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 12V | 5500 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
![]() | SiJ420DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ420 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3630 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 62.5W (TC) | |||||
![]() | SI1563DH-T1-E3 | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | Sqja04ep-t1_ge3 | 1.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja04 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 10V | 6.2mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
![]() | SI4874BDY-T1-GE3 | 0.9497 | ![]() | 1976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4874 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3230 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | |||||
![]() | Siss30ldn-t1-ge3 | 1.3000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss30 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 16a (TA), 55.5a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2070 pf @ 40 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
![]() | Si444447dy-t1-e3 | 0.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4447 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 3.3a (TA) | 15V, 10V | 72mohm @ 4.5a, 15V | 2.2V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 16V | 805 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) | |||||
![]() | SQJ168ELP-T1_GE3 | 0.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sqj168elp-t1_ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 987 pf @ 25 V | - | 29.4W (TC) | |||||
![]() | SI2343CDS-T1-BE3 | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.2a (TA), 5.9a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 4.2a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 590 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
![]() | SiHG70N60AEF-GE3 | 11.1500 | ![]() | 4882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg70 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 60A (TC) | 10V | 41mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 410 NC @ 10 V | ± 20V | 5348 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
SQJ914EP-T1_GE3 | 1.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj914 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 30A (TC) | 12mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 1110pf @ 15V | - | ||||||||
![]() | Sq3418ev-t1_be3 | 0.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sq3418ev-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12.7 NC @ 10 V | ± 20V | 678 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||||
![]() | SQ4182EY-T1_BE3 | 1.6500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4182 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | 742-SQ4182EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 15 V | - | 7.1W (TC) | |||||
![]() | Siha17n80aef-ge3 | 2.9800 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-Siha17N80AEF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 6.5a (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
![]() | SIRA54AdP-T1-RE3 | 1.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira54 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 36.2a (TA), 128a (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3850 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
![]() | SI3473CDV-T1-BE3 | 0.7100 | ![]() | 2129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3473CDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8a (TA), 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 8.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 65 NC @ 8 V | ± 8V | 2010 PF @ 6 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||||
![]() | SI2371EDS-T1-BE3 | 0.4300 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI2371EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.7a (TA), 4.8a (TC) | 2.5V, 10V | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | |||||||
![]() | Si4866dy-t1-ge3 | 2.2000 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 11a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
![]() | Siha22n60el-e3 | 2.2050 | ![]() | 5275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 197mohm @ 11a, 10v | 5V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 1690 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||
![]() | SI1400DL-T1-GE3 | - | ![]() | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1400 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.7a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||
![]() | SI3433CDV-T1-BE3 | 0.5100 | ![]() | 4370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.2a (TA), 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 38mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1300 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA), 3.3W (TC) | |||||||
![]() | SiHFPS38N60L-GE3 | 7.9800 | ![]() | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHFPS38N60L-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | |||||
![]() | SiHH085N60EF-T1GE3 | 7.1300 | ![]() | 6479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh085 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHHHH085N60EF-T1GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | ||||
![]() | SIHB25N50E-GE3 | 3.6400 | ![]() | 1963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB25 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1980 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | SiHG17N80AE-GE3 | 3.1200 | ![]() | 476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg17 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHG17N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 1260 pf @ 100 V | - | 179W (TC) |
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