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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR9110TRR | - |  | 7100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Si4953ady-t1-e3 | - | | 1222 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4953 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 3.7a | 53mohm @ 4.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 25nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI4472DY-T1-GE3 | - | | 5108 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4472 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 7.7a (TC) | 8V, 10V | 45mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1735 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 5.9W (TC) | |||||
 | IRL620SPBF | 2.1300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL620SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | SQJQ402E-T1_GE3 | 2.8400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 13500 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | SIB411DK-T1-GE3 | - | | 4675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 66mohm @ 3.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 8 V | ± 8V | 470 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SI7491DP-T1-E3 | - | | 6283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7491 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 85 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | SI1050X-T1-E3 | - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 1.34a (TA) | 1.5V, 4.5V | 86mohm @ 1.34a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 11.6 NC @ 5 V | ± 5V | 585 pf @ 4 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | IRFBC40LCL | - | | 4227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRFBC40LCL | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SIE808DF-T1-GE3 | 1.9970 | | 6112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE808 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
| Si4166dy-t1-ge3 | 1.4600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4166 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30.5A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | |||||
 | SI8467DB-T2-E1 | - | | 8463 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8467 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 73mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 12V | 475 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||||
 | SI3443BDV-T1-BE3 | 0.6700 | | 2781 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3443 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | - | 1 (ilimitado) | 742-SI3443BDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | ||||||
 | SQD07N25-350H_GE3 | 1.6500 | | 2931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 7a (TC) | 10V | 350mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||
 | IRFI530GPBF | 1.9200 | | 973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi530gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 10V | 160mohm @ 5.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
| Si4972dy-t1-ge3 | - | | 6328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4972 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W, 2.5W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 10.8a, 7.2a | 14.5mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 28NC @ 10V | 1080pf @ 15V | - | ||||||
 | Irfz24pbf-be3 | 1.6400 | | 188 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ24PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||
 | SI7901EDN-T1-E3 | - | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIHG052N60EF-GE3 | 6.7400 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg052 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 52mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 101 NC @ 10 V | ± 30V | 3380 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SUD23N06-31L-T4-E3 | 0.9800 | | 4866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SiHP6N40D-BE3 | 1.1400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10v | 5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 311 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||
| Si4354dy-t1-e3 | - | | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4354 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9.5a (TA) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 9.5a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 10.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||
 | SI7945DP-T1-GE3 | - | | 7821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7945 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7A | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 74nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SiHG22N60AEL-GE3 | 4.2400 | | 49 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1757 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
| Si4320dy-t1-ge3 | - | | 7409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4320 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 70 NC @ 4.5 V | ± 20V | 6500 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | ||||
| Irfi9530g | - | | 3483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9530g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
| SI3993DV-T1-GE3 | - | | 8347 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3993 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 1.8a | 133mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI1073X-T1-E3 | - | | 9096 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1073 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 980MA (TA) | 4.5V, 10V | 173mohm @ 980mA, 10V | 3V @ 250 µA | 9.45 NC @ 10 V | ± 20V | 265 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | ||||
| Sir882dp-t1-ge3 | 2.5100 | | 2649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir882 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 1930 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SQ2318BES-T1_GE3 | 0.5500 | | 5484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2318 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 26.3mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9.4 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 3W (TC) |
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