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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sud50n04-05L-E3 | - |  | 7499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 115A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
 | Irfd9210 | - | | 5105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9210 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd9210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 200 V | 400 mA (TA) | 10V | 3ohm @ 240mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||
 | IRFBC40L | - | | 9931 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC40L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||
 | IRF644NSTRLPBF | - | | 3768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | Sum55p06-19L-E3 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum55 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 125W (TC) | |||||
| Irfz34strl | - | | 6769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
 | SI3456CDV-T1-GE3 | - | | 9267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3456 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.7a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | ||||
| IRL530strl | - | | 3872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SQD19P06-60L_T4GE3 | 1.6500 | | 204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD19 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 19a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 pf @ 25 V | - | 46W (TC) | ||||||
 | SI4228DY-T1-E3 | - | | 3738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4228 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 18mohm @ 7a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 790pf @ 12.5V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Siha20n50e-e3 | 2.9400 | | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha20 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 19a (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
 | Sir514DP-T1-RE3 | 1.9800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 20.8a (TA), 84.8a (TC) | 7.5V, 10V | 5.8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2550 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 83.3W (TC) | ||||||
 | SI6410DQ-T1-GE3 | - | | 2942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | SI6410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.8a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 7.8a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 33 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | Si7716adn-t1-ge3 | 1.2300 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7716 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 846 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 27.7W (TC) | |||||
 | Sir5607DP-T1-RE3 | 2.7500 | | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 22.2a (TA), 90.9A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 112 NC @ 10 V | ± 20V | 5020 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | Irfbf30pbf | 2.8800 | | 822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbf30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbf30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI8473EDB-T1-E1 | - | | 1574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8473 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 41mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | ± 12V | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||||
 | SI1013CX-T1-GE3 | 0.4900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1013 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 450mA (TA) | 4.5V | 760mohm @ 400mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 45 pf @ 10 V | - | 190MW (TA) | ||||
| IRF9Z20PBF | 1.9100 | | 936 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9z20pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 50 V | 9.7a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
 | Si2302Ads-T1-E3 | - | | 9440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.1a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.2V @ 50 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 300 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||
| Siha22n60ae-e3 | 1.9110 | | 2216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1451 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
| IRLZ44SPBF | 3.0600 | | 945 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SIRA54DP-T1-GE3 | 1.3000 | | 6711 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira54 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.35mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 48 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 5300 pf @ 20 V | - | 36.7W (TC) | |||||
| Si9934bdy-t1-e3 | - | | 8769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9934 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6.4a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFR9014PBF | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| IRF840ATRRPBF | 3.1100 | | 777 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7738DP-T1-E3 | 3.1700 | | 8509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7738 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 30A (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
| IRLR014 | - | | 6444 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRLR014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| SI7309DN-T1-E3 | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7309 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 115mohm @ 3.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
 | SQM50N04-4M1_GE3 | 1.7194 | | 4441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 10V | 4.1mohm @ 30a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 6715 pf @ 25 V | - | 150W (TC) |
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