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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ3987EV-T1_GE3 | 0.6200 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3987 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.67W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 3A (TC) | 133mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12.2NC @ 10V | 570pf @ 15V | - | |||||||
 | SUM60N10-17-E3 | 2.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum60 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 16.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | |||||
| SI3805DV-T1-E3 | - | | 3285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3805 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.3a (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.1W (TA), 1.4W (TC) | |||||
 | IRF9Z34STRR | - | | 4459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| Irfz48strr | - | | 3451 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 190W (TC) | ||||
 | IRFPS35N50LPBF | - | | 4794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS35 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPS35N50LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 34a (TC) | 10V | 145mohm @ 20a, 10v | 5V @ 250 µA | 230 NC @ 10 V | ± 30V | 5580 pf @ 25 V | - | 450W (TC) | |||
 | IRF9640LPBF | 1.8213 | | 3806 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SiHG61N65EF-GE3 | 9.2872 | | 5411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg61 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 64a (TC) | 10V | 47mohm @ 30.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 371 NC @ 10 V | ± 30V | 7407 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
 | IRFR9220TRPBF | 1.3500 | | 8745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SUP53P06-20-E3 | 2.9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sup53 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SUP53P0620E3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 9.2a (TA), 53A (TC) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 104.2W (TC) | ||||
 | Sisa18adn-t1-ge3 | 0.6400 | | 45 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa18 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 38.3a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
| SUG90090E-GE3 | 4.3900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SUG90090 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 100A (TC) | 7.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 129 NC @ 10 V | ± 20V | 5220 pf @ 100 V | - | 395W (TC) | |||||
 | IRFU1N60APBF | 1.5600 | | 7934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
| IRLR014TRLPBF | 0.6218 | | 3285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SQD100N03-3M2L_GE3 | 1.8700 | | 7112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 116 NC @ 10 V | ± 20V | 6316 pf @ 15 V | - | 136W (TC) | ||||||
| SUM110N04-2M3L-E3 | - | | 2246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 13600 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
 | SI8481DB-T1-E1 | 0.1432 | | 8459 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8481 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-Micro Foot® (1.6x1.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 47 NC @ 4.5 V | ± 8V | 2500 pf @ 10 V | - | 2.8W (TC) | ||||
| SI3475DV-T1-GE3 | - | | 6881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3475 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 950MA (TC) | 1.61ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | 500 pf @ 50 V | - | ||||||||
| Irfbc40astrlpbf | 4.4500 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
| SI7703EDN-T1-GE3 | - | | 8164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7703 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.3W (TA) | |||||
| IRF9Z24StrlPBF | 1.3028 | | 9028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 11a (TC) | 10V | 280mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
| SI7402DN-T1-GE3 | - | | 2409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 13a (TA) | 1.8V, 4.5V | 5.7mohm @ 20a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SiJH440E-T1-GE3 | 1.2191 | | 6305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SiJH440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 0.96mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 195 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 20330 pf @ 20 V | - | 158W (TC) | |||||
 | SQ2319ADS-T1_GE3 | 0.6900 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 20 V | - | 2.5W (TC) | |||||
 | SUD50P04-09L-E3 | 2.6600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SUD45P03-15-E3 | - | | 5830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 13a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 4W (TA), 70W (TC) | ||||
 | SI7459DP-T1-GE3 | - | | 4915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7459 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 10V | 6.8mohm @ 22a, 10v | 3V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 25V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SQ2309ES-T1_GE3 | 0.6700 | | 3026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2309 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.7a (TC) | 4.5V, 10V | 336mohm @ 3.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 20V | 265 pf @ 25 V | - | 2W (TC) | |||||
| SI7794DP-T1-GE3 | - | | 6198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7794 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 28.6a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2520 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | Sis822dnt-t1-ge3 | 0.1157 | | 5737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS822 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 15 V | - | 15.6W (TC) |
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