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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI1563EDH-T1-GE3	-	RFQ	5067	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1563	Mosfet (Óxido de metal)	570MW	SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Vecino del canal		20V	1.13a, 880 mA		280mohm @ 1.13a, 4.5V	1V @ 100 µA	1NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRFP15N60LPBF	-	RFQ	8248	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP15	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFP15N60LPBF	EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	600 V	15A (TC)	10V	460mohm @ 9a, 10v	5V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 30V	2720 pf @ 25 V	-	280W (TC)
SIE816DF-T1-E3	-	RFQ	2616	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	10-polarpak® (l)	SIE816	Mosfet (Óxido de metal)		10-polarpak® (l)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	60A (TC)	10V	7.4mohm @ 19.8a, 10v	4.4V @ 250 µA	77 NC @ 10 V	± 20V	3100 pf @ 30 V	-	5.2W (TA), 125W (TC)
IRFU420	-	RFQ	1097	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRFU4	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfu420	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	500 V	2.4a (TC)	10V	3ohm @ 1.4a, 10v	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SUP50N10-21P-GE3	-	RFQ	3675	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SUP50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	100 V	50A (TC)	6V, 10V	21mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	2055 pf @ 50 V	-	3.1W (TA), 125W (TC)
SIB411DK-T1-E3	-	RFQ	8734	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-75-6	SIB411	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-75-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	9A (TC)	1.8V, 4.5V	66mohm @ 3.3a, 4.5V	1V @ 250 µA	15 NC @ 8 V	± 8V	470 pf @ 10 V	-	2.4W (TA), 13W (TC)
SI1330EDL-T1-E3	0.5300	RFQ	38	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Si1330	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	60 V	240MA (TA)	3V, 10V	2.5ohm @ 250 mA, 10V	2.5V @ 250 µA	0.6 NC @ 4.5 V	± 20V		-	280MW (TA)
IRL510L	-	RFQ	5364	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRL510	Mosfet (Óxido de metal)		Un 262-3	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL510L	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	5.6a (TC)	4V, 5V	540mohm @ 3.4a, 5V	2V @ 250 µA	6.1 NC @ 5 V	± 10V	250 pf @ 25 V	-	-
SiHF7N60E-E3	2.4000	RFQ	6676	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SiHF7	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		SiHF7N60EE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 30V	680 pf @ 100 V	-	31W (TC)
IRFS11N50ATRR	-	RFQ	2998	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS11	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	500 V	11a (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250 µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1423 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IRFR9310TR	-	RFQ	9488	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9310	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	400 V	1.8a (TC)	10V	7ohm @ 1.1a, 10v	4V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	270 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SI4431BDY-T1-GE3	1.1200	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4431	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	5.7a (TA)	4.5V, 10V	30mohm @ 7.5a, 10v	3V @ 250 µA	20 NC @ 5 V	± 20V		-	1.5W (TA)
SI8404DB-T1-E1	-	RFQ	1558	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-XFBGA, CSPBGA	Si8404	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	8 V	12.2a (TC)	1.8V, 4.5V	31mohm @ 1a, 4.5V	1V @ 250 µA	33 NC @ 5 V	± 5V	1950 pf @ 4 V	-	2.78W (TA), 6.25W (TC)
IRL520S	-	RFQ	1668	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL520	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL520S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	9.2a (TC)	4V, 5V	270mohm @ 5.5a, 5V	2V @ 250 µA	12 NC @ 5 V	± 10V	490 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
VQ3001P-E3	-	RFQ	9429	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		-	VQ3001	Mosfet (Óxido de metal)	2W	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25	2 NY 2 Canal P		30V	850 mA, 600 mA		1ohm @ 1a, 12v	2.5V @ 1MA	-		110pf @ 15V	-
IRFP450	-	RFQ	2779	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP450	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	500 V	14a (TC)	10V	400mohm @ 8.4a, 10V	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	2600 pf @ 25 V	-	190W (TC)
IRF7822TRL	-	RFQ	2499	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7822	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal	30 V	18a (TA)	4.5V	6.5mohm @ 15a, 4.5V	1V @ 250 µA	60 NC @ 5 V	± 12V	5500 pf @ 16 V	-	3.1W (TA)
SIHP21N65EF-GE3	4.6600	RFQ	3994	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SIHP21	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	650 V	21a (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	106 NC @ 10 V	± 20V	2322 pf @ 100 V	-	208W (TC)
IRFPS40N60K	-	RFQ	6331	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 274AA	IRFPS40	Mosfet (Óxido de metal)		Super-247 ™ (TO74AA)	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	600 V	40A (TC)	10V	130mohm @ 24a, 10v	5V @ 250 µA	330 NC @ 10 V	± 30V	7970 pf @ 25 V	-	570W (TC)
SQM120N04-1M7_GE3	2.1512	RFQ	7763	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sqm120	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		SQM120N04-1M7-GE3	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	40 V	120a (TC)	10V	1.7mohm @ 30a, 10v	3.5V @ 250 µA	310 NC @ 10 V	± 20V	17350 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Irf614strr	-	RFQ	4962	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF614	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	250 V	2.7a (TC)	10V	2ohm @ 1.6a, 10v	4V @ 250 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W (TA), 36W (TC)
SQ2319ES-T1-GE3	-	RFQ	3302	Vishay Siliconix	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SQ2319	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	40 V	4.6a (TC)		75mohm @ 3a, 10v	2.5V @ 250 µA	16 NC @ 10 V		620 pf @ 25 V	-
SI4490DY-T1-E3	2.2000	RFQ	5039	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4490	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	200 V	2.85a (TA)	6V, 10V	80mohm @ 4a, 10v	2V @ 250 µA (min)	42 NC @ 10 V	± 20V		-	1.56W (TA)
Sihh068n60e-t1-ge3	8.1500	RFQ	7837	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	Sihh068	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	600 V	34a (TC)	10V	68mohm @ 15a, 10v	5V @ 250 µA	80 NC @ 10 V	± 30V	2650 pf @ 100 V	-	202W (TC)
SUM40N15-38-E3	-	RFQ	2587	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sum40	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	150 V	40A (TC)	6V, 10V	38mohm @ 15a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	3.75W (TA), 166W (TC)
SUD25N15-52-E3	2.5100	RFQ	93	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud25	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	150 V	25A (TC)	6V, 10V	52mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1725 pf @ 25 V	-	3W (TA), 136W (TC)
SI5920DC-T1-E3	-	RFQ	8082	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	SI5920	Mosfet (Óxido de metal)	3.12W	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		8V	4A		32mohm @ 6.8a, 4.5V	1V @ 250 µA	12NC @ 5V		680pf @ 4V	Puerta de Nivel Lógico
SIHP12N50E-GE3	1.8600	RFQ	971	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SIHP12	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	10.5a (TC)	10V	380mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 30V	886 pf @ 100 V	-	114W (TC)
SQ4064EY-T1_GE3	1.0500	RFQ	12	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4064	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	60 V	12a (TC)	4.5V, 10V	19.8mohm @ 6.1a, 10v	2.5V @ 250 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W (TC)
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3424	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 7a, 10v	3V @ 250 µA	19.6 NC @ 10 V	± 20V	735 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 2.98W (TC)