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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SQJ146ELP-T1_GE3	0.9400	RFQ	2030	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj146	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj146elp-t1_ge3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	74a (TC)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 20V	1780 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Sqj142elp-t1_ge3	1.1600	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	SQJ142	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	-		1 (ilimitado)		742-sqj142elp-t1_ge3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	175A (TC)	4.5V, 10V	2.8mohm @ 10a, 10v	2.2V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	3015 pf @ 25 V	-	190W (TC)
Sihu2n80ae-ge3	1.0000	RFQ	7765	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Sihu2	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-Sihu2N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	800 V	2.9a (TC)	10V	2.9ohm @ 500 mA, 10V	4V @ 250 µA	10.5 NC @ 10 V	± 30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W (TC)
SQJA66EP-T1_GE3	1.4400	RFQ	8768	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqja66	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	75A (TC)	10V	3mohm @ 10a, 10v	3.3V @ 250 µA	98 NC @ 10 V	± 20V	5400 pf @ 25 V	Estándar	68W (TC)
SQJQ142E-T1_GE3	2.5200	RFQ	1641	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 8 x 8	SQJQ142	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQJQ142E-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	40 V	460a (TC)	10V	1.24mohm @ 20a, 10v	3.5V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	6975 pf @ 25 V	-	500W (TC)
SQJ138EP-T1_GE3	1.6400	RFQ	1233	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	SQJ138	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQJ138EP-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	330A (TC)	10V	1.8mohm @ 15a, 10v	3.5V @ 250 µA	81 NC @ 10 V	± 20V	4715 pf @ 25 V	-	312W (TC)
SQ3495EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	18	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SQ3495	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQ3495EV-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	8a (TC)	2.5V, 10V	21mohm @ 5a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	41 NC @ 4.5 V	± 12V	3950 pf @ 20 V	-	5W (TC)
SIHB15N80AE-GE3	2.7300	RFQ	990	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB15	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHB15N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	13a (TC)	10V	350mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250 µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1093 pf @ 100 V	-	156W (TC)
Siha15n80ae-ge3	2.6000	RFQ	7348	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Siha15	Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-Siha15n80ae-ge3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	800 V	6a (TC)	10V	350mohm @ 7.5a, 10V	4V @ 250 µA	53 NC @ 10 V	± 30V	1093 pf @ 100 V	-	33W (TC)
Siz256dt-t1-ge3	1.3100	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	Siz256	Mosfet (Óxido de metal)	4.3W (TA), 33W (TC)	8-Powerpair® (3.3x3.3)	descascar		1 (ilimitado)		742-SIZ256DT-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		70V	11.5a (TA), 31.8a (TC)		17.6mohm @ 7a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	27nc @ 10V		1060pf @ 35V	-
SiHP6N80AE-GE3	1.6900	RFQ	971	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SiHP6	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-SiHP6N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	5A (TC)		950mohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	22.5 NC @ 10 V	± 30V	422 pf @ 100 V	-	62.5W (TC)
SIA938DJT-T1-GE3	0.6700	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA938	Mosfet (Óxido de metal)	1.9W (TA), 7.8W (TC)	Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar		1 (ilimitado)		742-sia938djt-t1-ge3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	4.5a (TA), 4.5A (TC)		21.5mohm @ 5a, 10v	1.5V @ 250 µA	11.5nc @ 10V		425pf @ 10V	-
SiHB24N80AE-GE3	3.5600	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB24	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)		742-SiHB24N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	800 V	21a (TC)		184mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	89 NC @ 10 V	± 30V	1836 pf @ 100 V	-	208W (TC)
SI7116BDN-T1-GE3	1.1600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Si7116	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	18.4a (TA), 65A (TC)		7.4mohm @ 16a, 10v	2.5V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1915 pf @ 20 V	-	5W (TA), 62.5W (TC)
IRFB9N60APBF-BE3	3.0800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFB9	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRFB9N60APBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	600 V	9.2a (TC)		750mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	49 NC @ 10 V	± 30V	1400 pf @ 25 V	-	170W (TC)
SI1403BDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1403	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	20 V	1.4a (TA)		150mohm @ 1.5a, 4.5V	1.3V @ 250 µA	4.5 NC @ 4.5 V	± 12V		-	568MW (TA)
IRFR210TRPBF-BE3	1.1700	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR210	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	200 V	2.6a (TC)		1.5ohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRFR110TRLPBF-BE3	1.3900	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR110	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	4.3a (TC)		540mohm @ 2.6a, 10V	4V @ 250 µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRF510PBF-BE3	1.1200	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF510	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF510PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	100 V	5.6a (TC)		540mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250 µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	43W (TC)
Irfbf30pbf-be3	2.8800	RFQ	6536	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Irfbf30	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRFBF30PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	900 V	3.6a (TC)		3.7ohm @ 2.2a, 10V	4V @ 250 µA	78 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	125W (TC)
IRFL014TRPBF-BE3	0.9400	RFQ	8923	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Irfl014	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	60 V	2.7a (TC)		200mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	2W (TA), 3.1W (TC)
SI1441EDH-T1-BE3	0.5300	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1441	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	742-SI1441EDH-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	4A (TA), 4A (TC)		41mohm @ 5a, 4.5V	1V @ 250 µA	33 NC @ 8 V	± 10V		-	1.6W (TA), 2.8W (TC)
SI1499DH-T1-BE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1499	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	742-SI1499DH-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	8 V	1.6a (TA), 1.6a (TC)		78mohm @ 2a, 4.5V	800mv @ 250 µA	16 NC @ 4.5 V	± 5V	650 pf @ 4 V	-	2.5W (TA), 2.78W (TC)
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1922	Mosfet (Óxido de metal)	740MW (TA), 1.25W (TC)	SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	1.3a (TA), 1.3a (TC)		198mohm @ 1a, 4.5V	1V @ 250 µA	2.5nc @ 8V		-	-
IRF9620PBF-BE3	1.6800	RFQ	792	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF9620	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF9620PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	200 V	3.5A (TC)		1.5ohm @ 1.5a, 10v	4V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	40W (TC)
SI1330EDL-T1-BE3	0.5300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	Si1330	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	742-SI1330EDL-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	60 V	240MA (TA)		2.5ohm @ 250 mA, 10V	2.5V @ 250 µA	0.6 NC @ 4.5 V	± 20V		-	280MW (TA)
Sija22dp-t1-ge3	1.3900	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sija22	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-sija22dp-t1-ge3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	25 V	64a (TA), 201a (TC)		0.74mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	125 NC @ 10 V	+20V, -16V	6500 pf @ 15 V	-	4.8W (TA), 48W (TC)
Sq4946cey-t1_ge3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4946	Mosfet (Óxido de metal)	4W (TC)	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SQ4946CEY-T1_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		60V	7a (TC)		40mohm @ 4.5a, 10V	2.5V @ 250 µA	22nc @ 10V		865pf @ 25V	-
SI1902CDL-T1-BE3	0.4500	RFQ	8039	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1902	Mosfet (Óxido de metal)	300MW (TA), 420MW (TC)	SC-70-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	742-SI1902CDL-T1-BE3TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	1A (TA), 1.1A (TC)		235mohm @ 1a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	-
IRFR1N60ATRPBF-BE3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)		742-IRFR1N60ATRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	1.4a (TC)		7ohm @ 840 mm, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 30V	229 pf @ 25 V	-	36W (TC)