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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3457BDV-T1-GE3 | - |  | 7146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.7a (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | SI2323DS-T1-E3 | 0.7300 | | 4060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2323 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SIRA10BDP-T1-GE3 | 0.8400 | | 3794 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 36.2 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1710 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SiJ450DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 1003 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 36A (TA), 113A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | +20V, -16V | 5920 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 48W (TC) | ||||||
 | Irfbc30astrlpbf | 2.9100 | | 789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||
 | IRF730BPBF | 1.1400 | | 1572 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10v | 5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 311 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | IRLI520G | - | | 9045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI520G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 7.2a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.3a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||
 | IRFR9110 | - | | 8679 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9110 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SI7212DN-T1-E3 | 2.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7212 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfbf30l | - | | 8764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Irfbf30 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfbf30l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | Irfl110pbf | - | | 5730 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 10V | 540mohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Irld024pbf | 1.9500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld024 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irld024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 2.5a (TA) | 4V, 5V | 100mohm @ 1.5a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
| IRF830 | - | | 3599 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SIS892Adn-T1-GE3 | 1.0700 | | 2085 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS892 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 19.5 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| Irf530strl | - | | 3263 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| IRF820 | - | | 8979 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | Si4834bdy-t1-e3 | - | | 8683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4834 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRL540Strlpbf | 3.0900 | | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SiHG73N60E-E3 | 8.7392 | | 1696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg73 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10v | 4V @ 250 µA | 362 NC @ 10 V | ± 30V | 7700 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
| IRLR8103TRL | - | | 8605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR8103 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 89A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 50 NC @ 5 V | ± 20V | - | - | |||||
 | IRFU9310 | - | | 6266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu9310 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
| Irfi830g | - | | 8201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||
| SI3851DV-T1-E3 | - | | 5942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3851 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.6a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 3.6 NC @ 5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 830MW (TA) | ||||||
| IRFZ48RPBF | 3.0900 | | 984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfz48rpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
 | VQ1004P-2 | - | | 6690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | VQ1004 | - | - | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 5V, 10V | - | - | ± 20V | - | - | |||||||
| Irfl9110pbf | - | | 6715 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 1.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| IRFBC40LCSTRR | - | | 1371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI1330EDL-T1-GE3 | 0.5200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1330 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 240MA (TA) | 3V, 10V | 2.5ohm @ 250 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 280MW (TA) | |||||
| IRFP054 | - | | 1317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP054 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP054 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 70A (TC) | 10V | 14mohm @ 54a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||
| IRFR014TRLPBF | 1.5900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) |
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