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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf9530pbf-be3 | 1.8100 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9530PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||
 | SI7212DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 7765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7212 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 36mohm @ 6.8a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfi734g | - | | 3606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi734g | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 3.4a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | Irfl014pbf | - | | 2443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | SIDR668AdP-T1-RE3 | 2.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR668 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIDR668AdP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.3a (TA), 104a (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3750 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI7108DN-T1-E3 | 2.0000 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 22a, 10v | 2V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 16V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRF2807ZSTRR | - | | 4999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF2807 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 75A (TC) | 10V | 9.4mohm @ 53a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3270 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | SI4438DY-T1-E3 | - | | 5123 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4438 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 4645 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
 | SISS06DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS06 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 47.6a (TA), 172.6a (TC) | 4.5V, 10V | 1.38mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3660 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | SI7880AdP-T1-GE3 | 2.0808 | | 4171 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7880 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||||
| Si4322dy-t1-ge3 | - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4322 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | Irfd224 | - | | 1112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd224 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfd224 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 250 V | 630 mA (TA) | 10V | 1.1ohm @ 380mA, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | SIA467EDJ-T1-GE3 | - | | 9770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA467 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 31a (TC) | 1.8V, 4.5V | 13mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 72 NC @ 8 V | ± 8V | 2520 pf @ 6 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | IRFBC30 | - | | 4202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | Siz346dt-t1-ge3 | 0.7300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz346 | Mosfet (Óxido de metal) | 16W, 16.7W | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 17A (TC), 30A (TC) | 28.5mohm @ 10a, 10v, 11.5mohm @ 14.4a, 10v | 2.2V @ 250 µA, 2.4V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V, 9NC @ 4.5V | 325pf @ 15V, 650pf @ 15V | - | |||||||
 | SI3812DV-T1-E3 | - | | 4748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3812 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | Diodo Schottky (Aislado) | 830MW (TA) | |||||
| Sir800Adp-T1-GE3 | 1.5500 | | 275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50.2a (TA), 177A (TC) | 2.5V, 10V | 1.35mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | +12V, -8V | 3415 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
| IRLZ34STRR | - | | 6475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| SI7120Adn-T1-GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7120 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 6a (TA) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 9.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| Sis322dnt-t1-ge3 | 0.2436 | | 8706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS322 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 38.3a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | - | | 9866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA418 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SI7948DP-T1-GE3 | - | | 9942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3A | 75mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFIBC40GLC | - | | 3335 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRFIBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFIBC40GLC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
| IRFI830GPBF | 1.8000 | | 900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||
 | SQR50N04-3M8_GE3 | 1.6200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-4, DPAK (3 cables + Pestaña) | Sqr50 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (A 252) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 6700 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||
| SI3460BDV-T1-GE3 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 860 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.5W (TC) | |||||
 | Sqm50020el_ge3 | 3.6400 | | 1146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50020 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 15100 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
| IRF9530StrlPBF | 2.6300 | | 371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SiHG44N65EF-GE3 | 9.8500 | | 7038 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg44 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 278 NC @ 10 V | ± 30V | 5892 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
| Sum60030e-ge3 | 1.9173 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SUM60030 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7910 pf @ 40 V | - | 375W (TC) |
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