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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBC30 | - |  | 4202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBC30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | Si4322dy-t1-ge3 | - | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4322 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | IRFR430ATRPBF | 1.9000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR430 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||
 | SQP120N06-06_GE3 | - | | 4109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 119a (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6495 pf @ 25 V | - | 175W (TC) | ||||||
 | Sir800Adp-T1-GE3 | 1.5500 | | 275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50.2a (TA), 177A (TC) | 2.5V, 10V | 1.35mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | +12V, -8V | 3415 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
| SI7846DP-T1-E3 | 2.4500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 4A (TA) | 10V | 50mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SI5406DC-T1-E3 | - | | 4488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5406 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 6.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 6.9a, 4.5V | 600mV @ 1.2MA (min) | 20 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | IRF9Z14S | - | | 5548 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9Z14S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SIA414DJ-T1-GE3 | 0.9400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 11mohm @ 9.7a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 32 NC @ 5 V | ± 5V | 1800 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | Irfu9210pbf | 1.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9210 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9210pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 1.9a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SQD50P04-09L_GE3 | 2.9100 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6675 pf @ 20 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SI3443CDV-T1-GE3 | 0.5400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3443 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.97a (TC) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 12.4 NC @ 5 V | ± 12V | 610 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | |||||
 | IRFR224TRLPBF | 0.7088 | | 7938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR224 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SISS23DN-T1-GE3 | 0.8600 | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS23 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 50A (TC) | 1.8V, 4.5V | 4.5mohm @ 20a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 8V | 8840 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
| SIA443DJ-T1-E3 | - | | 9880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA443 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 8 V | ± 8V | 750 pf @ 10 V | - | 3.3W (TA), 15W (TC) | ||||
 | IRFP244 | - | | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP244 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP244 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SI7423DN-T1-E3 | 1.5900 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 7.4a (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 11.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| Si4952dy-t1-e3 | - | | 1814 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4952 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF624 | - | | 1275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF624 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF624 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | Irfibe30gpbf | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibe30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfibe30gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 2.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | 0.6900 | | 445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3427 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||
 | SI2308BDS-T1-GE3 | 0.5500 | | 65 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1.66W (TC) | ||||
 | SIA513DJ-T1-GE3 | - | | 2161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA513 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4.5a | 60mohm @ 3.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 360pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIB414DK-T1-GE3 | - | | 2983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 26mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14.03 NC @ 5 V | ± 5V | 732 pf @ 4 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| SIB914DK-T1-GE3 | - | | 8727 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB914 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 8V | 1.5a | 113mohm @ 2.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 2.6nc @ 5V | 125pf @ 4V | - | ||||||
| Sir890dp-t1-ge3 | - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir890 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2747 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
| Si4114dy-t1-ge3 | 1.3400 | | 8737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4114 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 10a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 16V | 3700 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| SI4413CDY-T1-GE3 | 0.8222 | | 1978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | - | - | - | - | - | |||||||||
| Si4634dy-t1-ge3 | 0.8080 | | 3654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4634 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24.5A (TC) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 3150 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | SI1034X-T1-GE3 | 0.4600 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 180 Ma | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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