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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI2323DS-T1-GE3 | 0.7300 |  | 332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2323 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||
 | SI5435BDC-T1-GE3 | - | | 9346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5435 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.3a (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI6433BDQ-T1-GE3 | - | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6433 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 40mohm @ 4.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | ||||
| SI6459BDQ-T1-GE3 | - | | 6462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6459 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.2a (TA) | 4.5V, 10V | 115mohm @ 2.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1W (TA) | ||||
| SI2351DS-T1-GE3 | - | | 2309 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2351 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.1 NC @ 5 V | 250 pf @ 10 V | - | |||||||
 | SUP40N25-60-E3 | 5.0400 | | 6962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 40A (TC) | 6V, 10V | 60mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | ||||
 | Sihu7n60e-ge3 | 1.8300 | | 2344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||
 | SQJ992EP-T1_GE3 | 1.3900 | | 5070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ992 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 15A | 56.2mohm @ 3.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 446pf @ 30V | - | ||||||
 | Siha21n60ef-e3 | 2.1183 | | 4412 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha21 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 176mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2030 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||
 | SI3421DV-T1-GE3 | 0.5200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3421 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 19.2mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 2580 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||
 | SIHF15N65E-GE3 | 1.9257 | | 6692 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF15 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||
 | SIHP28N60EF-GE3 | 3.2340 | | 2860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP28 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 123mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2714 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
 | Siaa00dj-t1-ge3 | 0.6800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Siaa00 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 20.1a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | +16V, -12V | 1090 pf @ 12.5 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | ||||
 | SIR112DP-T1-RE3 | 1.3800 | | 7139 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir112 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 37.6a (TA), 133a (TC) | 4.5V, 10V | 1.96mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | +20V, -16V | 4270 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | ||||
 | SIHB12N65E-GE3 | 2.9300 | | 729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 1224 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||
 | SI4401FDY-T1-GE3 | 0.8800 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 9.9a (TA), 14a (TC) | 4.5V, 10V | 14.2mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||
 | SQD40081EL_GE3 | 1.3700 | | 2265 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD40081 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 9950 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||
 | SQ1464EEH-T1_GE3 | 0.5000 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Sq1464 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 440MA (TC) | 1.5V | 1.41ohm @ 2a, 1.5V | 1V @ 250 µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 140 pf @ 25 V | - | 430MW (TC) | ||||
 | SQJ415EP-T1_GE3 | 1.0000 | | 8070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||
 | SQJ504EP-T1_GE3 | 1.6100 | | 9961 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj504 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 40V | 30A (TC) | 7.5mohm @ 8a, 10v, 17mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30nc @ 10V, 85nc @ 10V | 1900pf @ 25V, 4600pf @ 25V | - | ||||||
 | SI8451DB-T2-E1 | - | | 7660 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8451 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10.8a (TC) | 1.5V, 4.5V | 80mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 750 pf @ 10 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | |||
 | SIE860DF-T1-GE3 | - | | 2361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (m) | SIE860 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (m) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 21.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||
| SIE864DF-T1-GE3 | - | | 3559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (u) | SIE864 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (u) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1510 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
| Sir838dp-t1-ge3 | - | | 3144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir838 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 35A (TC) | 10V | 33mohm @ 8.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2075 pf @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||
 | SUM90N06-4M4P-E3 | - | | 3536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 10V | 4.4mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 6190 pf @ 30 V | - | 3.75W (TA), 300W (TC) | |||
| SUP50N03-5M1P-GE3 | - | | 4450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2780 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 59.5W (TC) | |||
 | SI1025X-T1-GE3 | 0.5100 | | 61 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1025 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 190 Ma | 4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.7nc @ 15V | 23pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI1417EDH-T1-GE3 | - | | 9164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1417 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | ||||
 | SI44997DY-T1-GE3 | 1.8800 | | 3879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4497 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 285 NC @ 10 V | ± 20V | 9685 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
| SI4670DY-T1-E3 | - | | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4670 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico |
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