- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estoniano
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7447AdP-T1-E3 | - |  | 9665 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7447 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 35A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 25V | 4650 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | ||||
 | SI1050X-T1-GE3 | 0.5100 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1050 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 1.34a (TA) | 1.5V, 4.5V | 86mohm @ 1.34a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 11.6 NC @ 5 V | ± 5V | 585 pf @ 4 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | SIHB12N60E-GE3 | 2.0800 | | 1481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHB12N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | ||||
 | IRFR210TRPBF | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Si4200dy-t1-ge3 | - | | 5117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4200 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 25mohm @ 7.3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 415pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Sir644dp-t1-ge3 | - | | 7553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir644 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SI8429DB-T1-E1 | 1.0400 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8429 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 11.7a (TC) | 1.2V, 4.5V | 35mohm @ 1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 26 NC @ 5 V | ± 5V | 1640 pf @ 4 V | - | 2.77W (TA), 6.25W (TC) | ||||
| SI7392DP-T1-GE3 | - | | 1165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7392 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 9.75mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | SUP75P03-07-E3 | - | | 4637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sup75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SUP75P0307E3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 9000 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 187W (TC) | ||||
| SIHP35N60E-GE3 | 3.1987 | | 8954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP35 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Sish472dn-t1-ge3 | 0.6500 | | 437 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish472 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 997 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | |||||
| SIS407Adn-T1-GE3 | 0.8900 | | 2768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS407 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 18a (TC) | 1.8V, 4.5V | 9mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 168 NC @ 8 V | ± 8V | 5875 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 39.1W (TC) | |||||
 | SIDR140DP-T1-GE3 | 2.4700 | | 5855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR140 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 79A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.67mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | +20V, -16V | 8150 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
| SI7404DN-T1-GE3 | - | | 6093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7404 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8.5A (TA) | 2.5V, 10V | 13mohm @ 13.3a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI5441BDC-T1-E3 | 1.1800 | | 1455 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5441 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 4.4a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | SQSA82CENW-T1_GE3 | 0.6700 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 46mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9.6 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||
| SISA88DN-T1-GE3 | 0.5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa88 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16.2a (TA), 40.5a (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 25.5 NC @ 10 V | +20V, -16V | 985 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
 | Siss32adn-t1-ge3 | 1.5500 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS32 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | - | 1 (ilimitado) | 742-SISS32Adn-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 17.4a (TA), 63A (TC) | 7.5V, 10V | 7.3mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1520 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
 | SI1032R-T1-GE3 | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1032 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | SIB422EDK-T4-GE3 | 0.2021 | | 4369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB422 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIB422EDK-T4-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 7.1a (TA), 9a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 8V | - | 2.5W (TA), 13W (TC) | |||||
| SI7137DP-T1-GE3 | 3.3800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7137 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 60A (TC) | 2.5V, 10V | 1.95mohm @ 25A, 10V | 1.4V @ 250 µA | 585 NC @ 10 V | ± 12V | 20000 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQM120P10_10M1LGE3 | 3.8400 | | 5117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 10.1mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 9000 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | SI6973DQ-T1-GE3 | - | | 9710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6973 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.1a | 30mohm @ 4.8a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 30NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI8406DB-T2-E1 | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8406 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 16a (TC) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 1a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 20 NC @ 8 V | ± 8V | 830 pf @ 10 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | SIRA90DP-T1-RE3 | 1.5500 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira90 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.8mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | +20V, -16V | 10180 pf @ 15 V | - | 104W (TC) | |||||
| SIHP24N65E-GE3 | 5.7000 | | 9892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2740 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Sqjb04elp-t1_ge3 | 0.9700 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb04 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 30A (TC) | 11mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 1055pf @ 25V | - | ||||||||
 | SUD40N02-08-E3 | - | | 6021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 40A (TC) | 2.5V, 4.5V | 8.5mohm @ 20a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 35 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2660 pf @ 20 V | - | 8.3W (TA), 71W (TC) | ||||
 | Siz988dt-t1-ge3 | 1.2800 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz988 | Mosfet (Óxido de metal) | 20.2W, 40W | 8-Powerpair® | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 40A (TC), 60A (TC) | 7.5mohm @ 10a, 10v, 4.1mohm @ 19a, 10v | 2.4V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA | 10.5nc @ 4.5v, 23.1nc @ 4.5V | 1000pf @ 15V, 2425pf @ 15V | - | ||||||||
| Sir872Adp-T1-RE3 | 2.4100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir872 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 53.7a (TC) | 7.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1286 pf @ 75 V | - | 104W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)