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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJQ184E-T1_GE3 | 3.5500 |  | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 430a (TC) | 10V | 1.4mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 272 NC @ 10 V | ± 20V | 16010 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||
 | Sisha06dn-t1-ge3 | 1.0200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 28.1A (TA), 104A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3932 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||
 | SQ4850CEY-T1_GE3 | 1.0500 | | 8013 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4850CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1375 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | ||||||
| SQ4401CEY-T1_GE3 | 1.2300 | | 8343 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4401CEY-T1_GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 17.3a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 4250 pf @ 20 V | - | 7.14W (TC) | ||||||
 | SIS4604LDN-T1-GE3 | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS4604 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15.1a (TA), 45.9a (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 33.7W (TC) | |||||
 | SIZF5300DT-T1-GE3 | 2.0700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 12-PowerPair ™ | Sizf5300 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.5W (TA), 56.8W (TC) | Powerpair® 3x3fs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 30V | 35A (TA), 125A (TC) | 2.43mohm @ 10a, 10v | 2V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 1480pf @ 15V | - | |||||||
 | SiHK055N60EF-T1GE3 | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Sihk055 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 58mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 3667 pf @ 100 V | - | 236W (TC) | |||||
 | SIDR5802EP-T1-RE3 | 2.8700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR5802 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 34.2a (TA), 153A (TC) | 7.5V, 10V | 2.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 40 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
| SIDR5102EP-T1-RE3 | 2.9900 | | 4824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR5102 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 28.2a (TA), 126a (TC) | 7.5V, 10V | 4.1mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2850 pf @ 50 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
 | Sir184ldp-T1-RE3 | 1.5300 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 21.5a (TA), 73A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | ||||||
 | SiJH5700E-T1-GE3 | 6.5400 | | 8533 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 17A (TA), 174A (TC) | 7.5V, 10V | 4.1mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 7500 pf @ 75 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
 | SQS141ELNW-T1_GE3 | 1.0300 | | 4391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 101a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7458 pf @ 25 V | - | 192W (TC) | ||||||
| SiHK045N60EF-T1GE3 | 10.4700 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 52mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 30V | 4685 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||||
 | Siz342adt-t1-ge3 | 0.8600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz342 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.7W (TA), 16.7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZ342Adt-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 15.7a (TA), 33.4a (TC) | 9.4mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12.2NC @ 10V | 580pf @ 15V | - | ||||||
 | SIHB105N60EF-GE3 | 3.8300 | | 3134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB105 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1804 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
 | SIJ462AdP-T1-GE3 | 1.4600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ462 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiJ462AdP-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15.8a (TA), 39.3a (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1235 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 22.3W (TC) | ||||
 | SIDR104AdP-T1-RE3 | 2.5600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR104 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 18.8a (TA), 81a (TC) | 7.5V, 10V | 6.1mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
| Siz340adt-t1-ge3 | 1.1100 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz340 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZ340ADT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 15.7a (TA), 33.4a (TC), 25.4a (TA), 69.7a (TC) | 9.4mohm @ 10a, 10v, 4.29mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12.2nc @ 10V, 27.9nc @ 10V | 580pf @ 15V, 1290pf @ 15V | - | ||||||
 | Siz260dt-t1-ge3 | 1.2100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz260 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 8.9a (TA), 24.7a (TC), 8.9a (TA), 24.6a (TC) | 24.5mohm @ 10a, 10v, 24.7mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 820pf @ 40V | - | |||||||
 | SISS94DN-T1-GE3 | 0.9100 | | 7062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS94 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 5.4a (TA), 19.5a (TC) | 7.5V, 10V | 75mohm @ 5.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 100 V | - | 5.1W (TA), 65.8W (TC) | |||||
| SISS22LDN-T1-GE3 | 1.2100 | | 8624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS22 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SISS22LDN-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 25.5a (TA), 92.5a (TC) | 4.5V, 10V | 3.65mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||
 | SISA35DN-T1-GE3 | 0.5200 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa35 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA), 16a (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 9a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 24W (TC) | |||||
 | Sizf906bdt-t1-ge3 | 2.0200 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf906 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.5W (TA), 38W (TC), 5W (TA), 83W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal (dual), Schottky | 30V | 36A (TA), 105A (TC), 63A (TA), 257A (TC) | 2.1mohm @ 15a, 10V, 680 µOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250 µA | 49nc @ 10V, 165nc @ 10V | 1630pf @ 15V, 5550pf @ 15V | - | ||||||
 | SiHB24N80AE-GE3 | 3.5600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB24N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 21a (TC) | 184mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 30V | 1836 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||
| SI7116BDN-T1-GE3 | 1.1600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7116 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 18.4a (TA), 65A (TC) | 7.4mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1915 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||||
 | IRFB9N60APBF-BE3 | 3.0800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFB9N60APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||||
 | SI1403BDL-T1-BE3 | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1403 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.4a (TA) | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||||
 | IRFR110TRLPBF-BE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||
| IRF510PBF-BE3 | 1.1200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF510PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
| Irfbf30pbf-be3 | 2.8800 | | 6536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbf30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFBF30PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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