- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estoniano
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQM40N10-30_GE3 | 2.2500 |  | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 6V, 10V | 30mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3345 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | SiHF6N65E-GE3 | 1.2028 | | 5949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF6 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 820 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||
 | SI7601DN-T1-GE3 | - | | 8654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7601 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 16a (TC) | 2.5V, 4.5V | 19.2mohm @ 11a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 27 NC @ 5 V | ± 12V | 1870 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||
 | Siha14n60e-e3 | 2.3700 | | 2678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha14 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
| SQM120P04-04L_GE3 | 3.6400 | | 8972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 13980 pf @ 20 V | - | 375W (TC) | |||||
 | IRFP23N50LPBF | 7.5100 | | 164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP23 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP23N50LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 23a (TC) | 10V | 235mohm @ 14a, 10v | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | ||||
 | SQJ868EP-T1_GE3 | 0.9800 | | 8598 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj868 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 58a (TC) | 10V | 7.35mohm @ 14a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 2450 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
| SQM50N04-4M0L_GE3 | 1.5475 | | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
| SI7120DN-T1-GE3 | - | | 1466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7120 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 6.3a (TA) | 19mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | - | |||||||||
 | IRFL014TRPBF | 0.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | SI5473DC-T1-E3 | - | | 8297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5473 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | IRFR9120TR | - | | 1952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SiHG22N65E-GE3 | 3.2943 | | 8283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
| SIS448DN-T1-GE3 | - | | 1078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS448 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1575 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||
 | SUP85N02-03-E3 | - | | 3975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 20 V | 85A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3mohm @ 30a, 4.5V | 450mv @ 2mA (min) | 200 NC @ 4.5 V | ± 8V | 21250 pf @ 20 V | - | 250W (TC) | ||||
 | SQ2348CES-T1_GE3 | 0.4300 | | 9162 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sq2348 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | |||||||
 | SIDR610EP-T1-RE3 | 3.7500 | | 4568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR610 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 8.9a (TA), 39.6a (TC) | 7.5V, 10V | 31.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 100 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | |||||
| SI5853DDC-T1-E3 | - | | 7426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5853 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 105mohm @ 2.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12 NC @ 8 V | ± 8V | 320 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.3W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SIHP15N60E-BE3 | 2.9500 | | 977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | |||||||
 | SUD50P04-08-GE3 | 1.5000 | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 159 NC @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 73.5W (TC) | |||||
 | SI3552DV-T1-GE3 | 0.8300 | | 553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3552 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 2.5a | 105mohm @ 2.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 3.2NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI5463EDC-T1-E3 | - | | 7368 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5463 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 62mohm @ 4a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 15 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | SQ1922EEH-T1_GE3 | 0.4900 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1922 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 840MA (TC) | 350mohm @ 400mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.2NC @ 4.5V | 50pf @ 10V | - | |||||||
| SI1433DH-T1-GE3 | - | | 3705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1433 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.9a (TA) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 100 µA | 5 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 950MW (TA) | |||||
| SUD19P06-60L-E3 | 1.3200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud19 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA), 46W (TC) | |||||
 | IRLIZ24GPBF | 0.4772 | | 8689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Irliz24 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||||
 | SI7452DP-T1-E3 | - | | 2169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7452 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 11.5a (TA) | 10V | 8.3mohm @ 19.3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SI7674DP-T1-GE3 | - | | 9853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7674 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 5910 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
| SIHP7N60E-GE3 | 2.0900 | | 4958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHP7N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||
 | SI6954ADQ-T1-GE3 | 0.8800 | | 3618 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6954 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.1A | 53mohm @ 3.4a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 16NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)