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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID
SUD08P06-155L-BE3	1.0000	RFQ	14	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud08	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)		742-SUD08P06-155L-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	60 V	8.2a (TC)	4.5V, 10V	155mohm @ 5a, 10v	2V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	450 pf @ 25 V	-	1.7W (TA), 20.8W (TC)
Sir182Ldp-T1-RE3	1.9100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	31.7a (TA), 130A (TC)	4.5V, 10V	2.75mohm @ 15a, 10v	2.4V @ 250 µA	84 NC @ 10 V	± 20V	3700 pf @ 30 V	-	5W (TA), 83W (TC)
SI6463BDQ-T1-GE3	-	RFQ	3319	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6463	Mosfet (Óxido de metal)		8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	6.2a (TA)		15mohm @ 7.4a, 4.5V	800mv @ 250 µA	60 NC @ 5 V			-
Sir570DP-T1-RE3	2.4700	RFQ	3731	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen V	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	150 V	19a (TA), 77.4a (TC)	7.5V, 10V	7.9mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	71 NC @ 10 V	± 20V	3740 pf @ 75 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
2N4858JTXL02	-	RFQ	8060	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N4858			TO-206AA (A 18)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	40		-								-
SQ2389ES-T1_GE3	0.6900	RFQ	9362	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	Sq2389	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	40 V	4.1a (TC)	4.5V, 10V	94mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	420 pf @ 20 V	-	3W (TC)
Sq4532aey-t1_be3	0.8700	RFQ	629	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4532	Mosfet (Óxido de metal)	3.3W (TC)	8-Soico	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal		30V	7.3a (TC), 5.3a (TC)		31mohm @ 4.9a, 10v, 70mohm @ 3.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	7.8nc @ 10V, 10.2nc @ 10V		535pf @ 15V, 528pf @ 15V	-
SUD50N10-18P-E3	-	RFQ	5887	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	100 V	8.2a (TA), 50A (TC)	10V	18.5mohm @ 15a, 10v	5V @ 250 µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2600 pf @ 50 V	-	3W (TA), 136.4W (TC)
IRF840BPBF-BE3	1.4000	RFQ	995	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF840	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF840BPBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	500 V	8.7a (TC)		850mohm @ 4a, 10v	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 30V	527 pf @ 100 V	-	156W (TC)
SQJ461EP-T2_GE3	2.0400	RFQ	5466	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-SQJ461EP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	60 V	30A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 14.4a, 10v	2.5V @ 250 µA	140 NC @ 10 V	± 20V	4710 pf @ 30 V	-	83W (TC)
SUM40N02-12P-E3	-	RFQ	8901	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Sum40	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	20 V	40A (TC)	4.5V, 10V	12mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	12 NC @ 4.5 V	± 20V	1000 pf @ 10 V	-	3.75W (TA), 83W (TC)
Sum90100e-ge3	4.0100	RFQ	3633	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-sum90100e-ge3	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	200 V	150A (TC)	7.5V, 10V	11.4mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3930 pf @ 100 V	-	375W (TC)
SI1026X-T1-E3	-	RFQ	7760	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	SI1026	Mosfet (Óxido de metal)	250MW	SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		60V	305 Ma		1.4ohm @ 500 mA, 10V	2.5V @ 250 µA	0.6nc @ 4.5V		30pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
SI6928DQ-T1-GE3	-	RFQ	7157	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6928	Mosfet (Óxido de metal)	1W	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	4A		35mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	14nc @ 5V		-	Puerta de Nivel Lógico
Si4967dy-t1-e3	-	RFQ	2784	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4967	Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal P (Dual)		12V	-		23mohm @ 7.5a, 4.5V	450MV @ 250 µA (min)	55nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI3460DDV-T1-BE3	0.4400	RFQ	8960	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6		Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)		742-SI3460DDV-T1-BE3CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	6.2a (TA), 7.9a (TC)	1.8V, 4.5V	28mohm @ 5.1a, 4.5V	1V @ 250 µA	18 NC @ 8 V	± 8V	666 pf @ 10 V	-	1.7W (TA), 2.7W (TC)
IRFZ14PBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFZ14	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRFZ14PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	60 V	10a (TC)		200mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
SI6562CDQ-T1-BE3	1.0200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6562	Mosfet (Óxido de metal)	1.1W (TA), 1.6W (TC), 1.2W (TA), 1.7W (TC)	8-TSOP	descascar		1 (ilimitado)		742-SI6562CDQ-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		20V	5.7a (TA), 6.7a (TC), 5.1a (TA), 6.1a (TC)		22mohm @ 5.7a, 4.5V, 30mohm @ 5.1a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	23nc @ 10V, 51nc @ 10V		850pf @ 10V, 1200pf @ 10V	-
SQ4182EY-T1_GE3	1.6500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4182	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	32A (TC)	4.5V, 10V	3.8mohm @ 14a, 10v	2.5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	5400 pf @ 15 V	-	7.1W (TC)
2N5547JTXV01	-	RFQ	3922	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	Un 71-6	2N5547			TO-71	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	20		-								-
SIA413ADJ-T1-GE3	0.9200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	SIA413	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6 Single	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	12a (TC)	1.5V, 4.5V	29mohm @ 6.7a, 4.5V	1V @ 250 µA	57 NC @ 8 V	± 8V	1800 pf @ 10 V	-	19W (TC)
SIR690DP-T1-RE3	0.7316	RFQ	3012	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir690	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	34.4a (TC)	7.5V, 10V	35mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 20V	1935 pf @ 100 V	-	104W (TC)
Si4886dy-t1-e3	-	RFQ	5268	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4886	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	9.5a (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 13a, 10v	800MV @ 250 µA (min)	20 NC @ 5 V	± 20V		-	1.56W (TA)
SI8821EDB-T2-E1	0.4800	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-XFBGA, CSPBGA	Si8821	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	30 V	1.6a (TA)	2.5V, 4.5V	135mohm @ 1a, 4.5V	1.3V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 12V	440 pf @ 15 V	-	500MW (TA)
SQM25N15-52_GE3	1.4674	RFQ	2819	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SQM25	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	150 V	25A (TC)	10V	52mohm @ 15a, 10v	4V @ 250 µA	51 NC @ 10 V	± 20V	2360 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IRFR210TRLPBF-BE3	1.1700	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR210	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)		742-IRFR210TRLPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	200 V	2.6a (TC)		1.5ohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
SQD35N05-26L-GE3	-	RFQ	7356	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sqd35n	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	55 V	30A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	18 NC @ 5 V	± 20V	1175 pf @ 25 V	-	50W (TC)
SUD50N02-09P-E3	-	RFQ	9366	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	20 V	20A (TA)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	16 NC @ 4.5 V	± 20V	1300 pf @ 10 V	-	6.5W (TA), 39.5W (TC)
U441-E3	-	RFQ	1468	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 71-6	U441		500 MW	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	200		2 Canal N (Dual)								3pf @ 10V			25 V	6 Ma @ 10 V	1 v @ 1 na
Sir167DP-T1-GE3	1.0500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir167	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	60A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	111 NC @ 10 V	± 25V	4380 pf @ 15 V	-	65.8W (TC)