- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyán
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir167DP-T1-GE3 | 1.0500 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir167 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 111 NC @ 10 V | ± 25V | 4380 pf @ 15 V | - | 65.8W (TC) | |||||
 | SQS140ELNW-T1_GE3 | 1.1400 | | 4697 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | N-canal | 40 V | 153A (TC) | 4.5V, 10V | 2.53mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 4051 pf @ 25 V | - | 119W (TC) | ||||||||
 | SI4943CDY-T1-GE3 | 1.7000 | | 6726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4943 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 8A | 19.2mohm @ 8.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 1945pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SiHF530-GE3 | - | | 1771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHF530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||
 | SI6562DQ-T1-E3 | - | | 7113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6562 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | - | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 25NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Sir440dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.55mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI3441BDV-T1-GE3 | - | | 4470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3441 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.45a (TA) | 2.5V, 4.5V | 90mohm @ 3.3a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 860MW (TA) | |||||
 | Irfib6n60a | - | | 1946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfib6n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 5.5a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
| SI4542DY-T1-GE3 | - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4542 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | - | 25mohm @ 6.9a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 50nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sq7414aen-t1_be3 | - | | 6320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 742-sq7414aen-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 30 V | - | 62W (TC) | ||||||
 | 3N163-2 | - | | 5994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 3N163 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-72 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | Canal P | 40 V | 50 mA (TA) | 20V | 250ohm @ 100 µA, 20V | 5V @ 10 µA | ± 30V | 3.5 pf @ 15 V | - | 375MW (TA) | |||||
 | Siha105n60ef-ge3 | 3.7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha105 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 102mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1804 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
 | SI1037X-T1-GE3 | - | | 8544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1037 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 770MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 195mohm @ 770 mm, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 170MW (TA) | |||||
| SI7720DN-T1-GE3 | 0.9072 | | 7889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7720 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1790 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| VQ1006P-2 | - | | 5878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1006 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 90V | 400mA | 4.5ohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | - | 60pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIHK155N60EF-T1GE3 | 5.4300 | | 4843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | SiHK155 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 52mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||
 | SIA468DJ-T1-GE3 | 0.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA468 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 37.8a (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 11a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 16 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1290 pf @ 15 V | - | 19W (TC) | |||||
| Sir812dp-t1-ge3 | - | | 5450 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir812 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 335 NC @ 10 V | ± 20V | 10240 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQM120N04-1M9_GE3 | 2.1090 | | 2922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 1.9mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 8790 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
 | IRF737LCSTRR | - | | 6748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||||
 | SiHF840LCS-GE3 | 0.8313 | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHF840LCS-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI5461EDC-T1-E3 | - | | 7426 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5461 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 5a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 20 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
| IRF9Z34StrlPBF | 2.0000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SI8415DB-T1-E1 | - | | 9867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8415 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 37mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.47W (TA) | |||||
| SI3499DV-T1-E3 | - | | 3019 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3499 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 7a, 4.5V | 750MV @ 250 µA | 42 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | SIDR870AdP-T1-GE3 | 2.0500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sidr870 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 95A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2866 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
| SIA430DJ-T1-GE3 | - | | 3481 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
| IRLZ14SPBF | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRL3102L | - | | 6155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL3102 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3102L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 61a (TC) | 4.5V, 7V | 13mohm @ 37a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 58 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2500 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | |||
| 2N5114 | - | | 2077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5114 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | - | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)