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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
SI3499DV-T1-E3	-	RFQ	3019	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3499	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	8 V	5.3a (TA)	1.5V, 4.5V	23mohm @ 7a, 4.5V	750MV @ 250 µA	42 NC @ 4.5 V	± 5V		-	1.1W (TA)
SIDR870AdP-T1-GE3	2.0500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sidr870	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8DC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	95A (TC)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 20a, 10v	3V @ 250 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	2866 pf @ 50 V	-	125W (TC)
SIA430DJ-T1-GE3	-	RFQ	3481	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	SIA430	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	12a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 7a, 10v	3V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W (TA), 19.2W (TC)
IRLZ14SPBF	1.6300	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRLZ14	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	60 V	10a (TC)	4V, 5V	200mohm @ 6a, 5V	2V @ 250 µA	8.4 NC @ 5 V	± 10V	400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 43W (TC)
IRL3102L	-	RFQ	6155	Vishay Siliconix	-	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRL3102	Mosfet (Óxido de metal)		Un 262-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3102L	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	20 V	61a (TC)	4.5V, 7V	13mohm @ 37a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	58 NC @ 4.5 V	± 10V	2500 pf @ 15 V	-	89W (TC)
2N5114	-	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N5114			TO-206AA (A 18)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	200		-								-
U290	-	RFQ	4132	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN	U290		500 MW	TO-206AC (TO-52)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	200		N-canal								160pf @ 0V			30 V	500 mA @ 10 V	4 V @ 3 Na	3 ohmios
SI4427BDY-T1-GE3	0.8363	RFQ	1982	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4427	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	9.7a (TA)	10V	10.5mohm @ 12.6a, 10V	1.4V @ 250 µA	70 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1.5W (TA)
SI5449DC-T1-GE3	-	RFQ	9950	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5449	Mosfet (Óxido de metal)		1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	3.1a (TA)	2.5V, 4.5V	85mohm @ 3.1a, 4.5V	600mV @ 250 µA (min)	11 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1.3W (TA)
SIHG150N60E-GE3	4.3000	RFQ	8547	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg150	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		742-SiHG150N60E-GE3	EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	600 V	22a (TC)	10V	155mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1514 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SI5511DC-T1-GE3	-	RFQ	3247	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	SI5511	Mosfet (Óxido de metal)	3.1W, 2.6W	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		30V	4a, 3.6a		55mohm @ 4.8a, 4.5V	2V @ 250 µA	7.1NC @ 5V		435pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
SI1012X-T1-GE3	0.4500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	SI1012	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	20 V	500 mA (TA)	1.8V, 4.5V	700mohm @ 600mA, 4.5V	900MV @ 250 µA	0.75 NC @ 4.5 V	± 6V		-	250MW (TA)
SIE810DF-T1-GE3	3.4500	RFQ	9670	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	10-polarpak® (l)	SIE810	Mosfet (Óxido de metal)		10-polarpak® (l)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	20 V	60A (TC)	2.5V, 10V	1.4mohm @ 25A, 10V	2V @ 250 µA	300 NC @ 10 V	± 12V	13000 pf @ 10 V	-	5.2W (TA), 125W (TC)
IRF634NPBF	-	RFQ	2506	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF634	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf634npbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	250 V	8a (TC)	10V	435mohm @ 4.8a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 88W (TC)
SQJ860EP-T1_GE3	0.9600	RFQ	8541	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj860	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	60A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	48W (TC)
IRFR014TRPBF-BE3	1.0000	RFQ	155	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR014	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	-		1 (ilimitado)		742-IRFR014TRPBF-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	60 V	7.7a (TC)	10V	200mohm @ 4.6a, 10v	4V @ 250 µA	11 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
Sir876Adp-T1-GE3	1.6700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir876	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	40A (TC)	4.5V, 10V	10.8mohm @ 20a, 10v	2.8V @ 250 µA	49 NC @ 10 V	± 20V	1630 pf @ 50 V	-	5W (TA), 62.5W (TC)
SQJ560EP-T1_GE3	1.4800	RFQ	11	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	SQJ560	Mosfet (Óxido de metal)	34W (TC)	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		60V	30A (TC), 18A (TC)		12mohm @ 10a, 10v, 52.6mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	30nc @ 10V, 45nc @ 10V		1650pf @ 25V	-
SI5935CDC-T1-GE3	0.5500	RFQ	4202	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5935	Mosfet (Óxido de metal)	3.1W	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		20V	4A		100mohm @ 3.1a, 4.5V	1V @ 250 µA	11NC @ 5V		455pf @ 10V	-
SiHK155N60E-T1-GE3	5.3300	RFQ	6952	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerBSFN	SiHK155	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak®10 x 12	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	19a (TC)	10V	155mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	36 NC @ 10 V	± 30V	1514 pf @ 100 V	-	156W (TC)
SQS142ELNW-T1_GE3	0.9700	RFQ	50	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Geniv	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	Powerpak® 1212-8SLW		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SLW	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)					3.000		N-canal	40 V	86a (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	48 NC @ 10 V	± 20V	2442 pf @ 25 V	-	70W (TC)
SIRA20BDP-T1-GE3	1.6500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sira20	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-SIRA20BDP-T1-GE3CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	25 V	82a (TA), 335A (TC)		0.58mohm @ 20a, 10v	2.1V @ 250 µA	186 NC @ 10 V	+16V, -12V	9950 pf @ 15 V	-	6.3W (TA), 104W (TC)
SQ4840EY-T1_GE3	3.3100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Sq4840	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	40 V	20.7a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 14a, 10v	2.5V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 20V	2440 pf @ 20 V	-	7.1W (TC)
SIHP14N60E-GE3	2.3600	RFQ	5682	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SIHP14	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	13a (TC)	10V	309mohm @ 7a, 10v	4V @ 250 µA	64 NC @ 10 V	± 30V	1205 pf @ 100 V	-	147W (TC)
SISA10DN-T1-GE3	1.0400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sisa10	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 10a, 10v	2.2V @ 250 µA	51 NC @ 10 V	+20V, -16V	2425 pf @ 15 V	-	3.6W (TA), 39W (TC)
SQJ560EP-T1_BE3	1.3500	RFQ	2934	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	SQJ560	Mosfet (Óxido de metal)	34W (TC)	Powerpak® SO-8 Dual	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj560ep-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000	Vecino del canal		60V	30A (TC), 18A (TC)		12mohm @ 10a, 10v, 52.6mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	30nc @ 10V, 45nc @ 10V		1650pf @ 25V	-
SUP70101EL-GE3	2.9700	RFQ	9952	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SUP70101	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable			EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	100 V	120a (TC)	4.5V, 10V		2.5V @ 250 µA	190 NC @ 10 V	± 20V	7000 pf @ 50 V	-	375W (TC)
SI4800BDY-T1-GE3	0.9200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SI4800	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	6.5a (TA)	4.5V, 10V	18.5mohm @ 9a, 10v	1.8V @ 250 µA	13 NC @ 5 V	± 25V		-	1.3W (TA)
IRFZ34S	-	RFQ	8353	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFZ34	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFZ34S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	60 V	30A (TC)	10V	50mohm @ 18a, 10v	4V @ 250 µA	46 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SQJ444EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	9034	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj444	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	60A (TC)	4.5V, 10V	3.2mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	5000 pf @ 25 V	-	68W (TC)