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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA913DJ-T1-GE3 | - |  | 2829 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA913 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.5a | 70mohm @ 3.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12NC @ 8V | 400pf @ 6V | - | ||||||
 | IRF840LC | - | | 3579 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF840LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | Sud50n03-11-E3 | - | | 4647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 25A, 10V | 800MV @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1130 pf @ 25 V | - | 7.5W (TA), 62.5W (TC) | ||||
 | Irfr1n60atrr | - | | 8416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
 | IRF640SPBF | 2.2000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
 | SI2309CDS-T1-GE3 | 0.5500 | | 83 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.6a (TC) | 4.5V, 10V | 345mohm @ 1.25a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 210 pf @ 30 V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | Irfd214pbf | 0.5880 | | 6004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd214 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd214pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 450mA (TA) | 10V | 2ohm @ 270mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | SI7368DP-T1-E3 | - | | 1746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7368 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 16V | - | 1.7w (TA) | |||||
 | SUM110N08-07P-E3 | - | | 6504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 110A (TC) | 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 4250 pf @ 30 V | - | 3.75W (TA), 208.3W (TC) | ||||
 | SI6969DQ-T1-E3 | - | | 4252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6969 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | - | 34mohm @ 4.6a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 40NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI4038DY-T1-GE3 | - | | 8417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4038 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 42.5a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4070 pf @ 20 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | IRFI840GPBF | 3.0000 | | 729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi840gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.6a (TC) | 10V | 850mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| Si2316ds-T1-E3 | 0.8200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2316 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.9a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.4a, 10V | 800MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 215 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||
 | SQJ940EP-T1_GE3 | 1.4500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj940 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W, 43W | Powerpak® SO-8 dual asimétrico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 15a (TA), 18a (TC) | 16mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20NC @ 20V | 896pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| Si4909dy-t1-ge3 | 1.0400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4909 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 8A | 27mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 63nc @ 10V | 2000pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SIA814DJ-T1-GE3 | - | | 7117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA814 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 61mohm @ 3.3a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 12V | 340 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | ||||
 | SIS447DN-T1-GE3 | 0.9300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS447 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 18a (TC) | 2.5V, 10V | 7.1mohm @ 20a, 10v | 1.2V @ 250 µA | 181 NC @ 10 V | ± 12V | 5590 pf @ 10 V | - | 52W (TC) | ||||||
| SI2314EDS-T1-GE3 | 0.3197 | | 6452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2314 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.77a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 750MW (TA) | |||||
 | SIS456DN-T1-GE3 | - | | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| Sir106DP-T1-RE3 | 1.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir106 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16.1a (TA), 65.8a (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 pf @ 50 V | - | 3.2W (TA), 83.3W (TC) | |||||
 | Irf624l | - | | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF624 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf624l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | - | ||||
| IRF720SPBF | 1.8000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF720SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
 | IRFP460NPBF | - | | 2523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP460NPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 240mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 124 NC @ 10 V | ± 30V | 3540 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| IRF737LCS | - | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF737 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF737LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 6.1a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | - | |||
 | SI1563EDH-T1-E3 | - | | 9088 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI8435DB-T1-E1 | - | | 2179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8435 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TC) | 1.5V, 4.5V | 41mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 5V | 1600 pf @ 10 V | - | 2.78W (TA), 6.25W (TC) | ||||
 | SI3458BDV-T1-E3 | 0.9100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3458 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.1a (TC) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | |||||
| IRF720 | - | | 4275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF720 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SI1305DL-T1-E3 | - | | 3341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1305 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 860MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 280mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
| SI7157DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 1702 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7157 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 60A (TC) | 2.5V, 10V | 1.6mohm @ 25A, 10V | 1.4V @ 250 µA | 625 NC @ 10 V | ± 12V | 22000 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) |
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