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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR9014TRR | - |  | 5215 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Si4931dy-t1-e3 | 1.2300 | | 8988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4931 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a, 4.5V | 1V @ 350 µA | 52NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1402DH-T1-GE3 | - | | 5669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1402 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 77mohm @ 3a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 950MW (TA) | |||||
 | SIHP28N65EF-GE3 | 3.4119 | | 1126 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP28 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 28a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 30V | 3249 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SiHS20N50C-E3 | 5.1592 | | 5843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Sihs20 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 480 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 2942 pf @ 25 V | - | 250MW (TC) | |||||
| SI4840DY-T1-E3 | - | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4840 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.56W (TA) | |||||
 | IRFS9N60A | - | | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFS9N60A | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
 | SIHP33N60EF-GE3 | 6.3700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP33 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 30V | 3454 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| Irf9610pbf-be3 | 1.6700 | | 860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9610PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||
| SI4590DY-T1-GE3 | 0.9500 | | 4861 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4590 | - | 2.4W, 3.4W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 100V | 3.4a, 2.8a | 57mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11.5nc @ 10V | 360pf @ 50V | - | |||||||
 | SQ4050EY-T1_GE3 | 1.0500 | | 1908 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4050 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2406 pf @ 20 V | - | 6W (TC) | ||||||
 | IRFP32N50KPBF | 9.1100 | | 165 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP32 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp32n50kpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 32A (TC) | 10V | 160mohm @ 32a, 10v | 5V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 30V | 5280 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | ||||
 | TN0201K-T1-E3 | - | | 8938 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TN0201 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 420 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 1ohm @ 300mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | - | 350MW (TA) | |||||
 | SIA777EDJ-T1-GE3 | - | | 8542 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA777 | Mosfet (Óxido de metal) | 5W, 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V, 12V | 1.5a, 4.5a | 225mohm @ 1.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.2NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI6465DQ-T1-GE3 | - | | 3452 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6465 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 8.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 12mohm @ 8.8a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 80 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI3430DV-T1-E3 | 1.2500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3430 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 170mohm @ 2.4a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 6.6 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
| IRFR420TRR | - | | 4069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SIHP23N60E-GE3 | 3.2300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 23a (TC) | 10V | 158mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 30V | 2418 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | Irfl014tr | - | | 6279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
| Si4386dy-t1-e3 | 1.4000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4386 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.47W (TA) | ||||||
 | SI7469DP-T1-E3 | 2.6600 | | 74 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7469 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 28a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 10.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| IRF740LC | - | | 8505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF740LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
| IRFP354 | - | | 6022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP354 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRFP354 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 450 V | 14a (TC) | 10V | 350mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| IRF820S | - | | 8597 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF820S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
| SI7186DP-T1-E3 | - | | 5402 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 32A (TC) | 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | ||||
| IRFR024TRR | - | | 7181 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI7309DN-T1-GE3 | 1.0400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7309 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 115mohm @ 3.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
| SI4102DY-T1-GE3 | - | | 4349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4102 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 3.8a (TC) | 6V, 10V | 158mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 50 V | - | 2.4W (TA), 4.8W (TC) | |||||
 | IRFIBC40GLCPBF | 2.3946 | | 3626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRFIBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIBC40GLCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||
| TN0200K-T1-E3 | - | | 1530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TN0200 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 730 mA (TA) | 400mohm @ 600mA, 4.5V | 1V @ 50 µA | 2 NC @ 4.5 V | - |
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