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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL640Strl | - |  | 7857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SISS08DN-T1-GE3 | 1.1400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS08 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 53.9a (TA), 195.5a (TC) | 4.5V, 10V | 1.23mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3670 pf @ 12.5 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||
| Irfbc40strlpbf | 4.4500 | | 3642 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
 | SI2321DS-T1-GE3 | - | | 9653 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2321 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 57mohm @ 3.3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 710MW (TA) | ||||
 | SI7840BDP-T1-GE3 | - | | 8726 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7840 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||
 | Siz926dt-t1-ge3 | 1.3000 | | 221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz926 | Mosfet (Óxido de metal) | 20.2W, 40W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 40A (TC), 60A (TC) | 4.8mohm @ 5a, 10v, 2.2mohm @ 8a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 19NC @ 10V, 41NC @ 10V | 925pf @ 10V, 2150pf @ 10V | - | |||||||
 | IRF734PBF | - | | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf734pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 4.9a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
| Irfz24strr | - | | 4910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SI4890DY-T1-GE3 | - | | 6613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4890 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 11a, 10v | 800MV @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 25V | - | 2.5W (TA) | ||||||
 | IRFR020TRR | - | | 4350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFI740GLC | - | | 4993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFI740GLC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 5.7a (TC) | 10V | 550mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | IRF9Z14LPBF | 0.8663 | | 9779 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF9Z14 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF9Z14LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||
 | Sqm30010el_ge3 | 2.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM30010 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 120a (TC) | 10V | 1.35mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 450 NC @ 10 V | ± 20V | 28000 pf @ 15 V | - | 375W (TC) | |||||
| IRFRC20TRPBF | 0.8236 | | 6797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SIHP17N80E-GE3 | 4.8400 | | 5002 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2408 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||
 | SI1913EDH-T1-E3 | - | | 9757 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1913 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 880 Ma | 490mohm @ 880 mA, 4.5V | 450MV @ 100 µA | 1.8nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFB16N60LPBF | - | | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB16 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb16n60lpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 460mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 2720 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||
| Sir476DP-T1-GE3 | - | | 8203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir476 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 6150 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQD50N04-09H-GE3 | - | | 1451 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd50n | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 9mohm @ 20a, 10v | 5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | 4240 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SQJ912AEP-T1_GE3 | - | | 5227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ912 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 30A | 9.3mohm @ 9.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 38nc @ 10V | 1835pf @ 20V | - | |||||||
 | SI3481DV-T1-E3 | - | | 6926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3481 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 5.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | Irfpg30pbf | 3.5400 | | 161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPG30 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpg30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 1000 V | 3.1a (TC) | 10V | 5ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
| SUD50P04-15-E3 | - | | 9391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||
| IRL640STRPBF | 2.9500 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irf620strlpbf | 2.0400 | | 960 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF620 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SIA936EDJ-T1-GE3 | - | | 3349 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA936 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4.5a | 34mohm @ 4a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 17NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRFR210PBF | 1.1700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| Si4404dy-t1-e3 | - | | 5046 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4404 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 23a, 10v | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | |||||
 | SIB412DK-T1-E3 | - | | 7233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB412 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 6.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8V | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| SiHB22N60E-E3 | 2.1756 | | 7945 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHB22N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) |
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