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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1062X-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 4926 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-89, SOT-490 Si1062 Mosfet (Óxido de metal) SC-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 530 mA (TA) 1.5V, 4.5V 420mohm @ 500 mA, 4.5V 1V @ 250 µA 2.7 NC @ 8 V ± 8V 43 pf @ 10 V - 220MW (TA)
SIHB18N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHB18N60E-GE3 1.7405
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB18 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 202mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 30V 1640 pf @ 100 V - 179W (TC)
SIHH14N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SiHH14N60E-T1-GE3 3.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Sihh14 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 16a (TC) 10V 255mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 30V 1416 pf @ 100 V - 147W (TC)
SIHB33N60ET5-GE3 Vishay Siliconix SiHB33N60ET5-GE3 3.8346
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB33 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 33A (TC) 10V 99mohm @ 16.5a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 30V 3508 pf @ 100 V - 278W (TC)
SI4814BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4814BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8091 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4814 Mosfet (Óxido de metal) 3.3W, 3.5W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canales N (Medio Puente) 30V 10a, 10.5a 18mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 10NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix SIHG20N50C-E3 3.0300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sihg20 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SiHG20N50CE3 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 270mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 76 NC @ 10 V ± 30V 2942 pf @ 25 V - 250W (TC)
SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7454DP-T1-E3 2.0000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7454 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 5A (TA) 6V, 10V 34mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V - 1.9W (TA)
SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8802DB-T2-E1 0.5400
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga Si8802 Mosfet (Óxido de metal) 4-microfoot descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 8 V 3a (TA) 1.2V, 4.5V 54mohm @ 1a, 4.5V 700mv @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 5V - 500MW (TA)
SIA485DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3 0.5800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 SIA485 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 150 V 1.6a (TC) 6V, 10V 2.6ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 250 µA 6.3 NC @ 10 V ± 20V 155 pf @ 75 V - 15.6W (TC)
SI4884BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4884BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7345 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4884 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16.5a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1525 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 4.45W (TC)
SI4850EY-T1 Vishay Siliconix Si4850EY-T1 -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4850 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 6a (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V - 1.7w (TA)
SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3 1.7000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 dual Si7900 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w Powerpak® 1212-8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 6A 26mohm @ 8.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 16NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3 0.4100
RFQ
 ECAD 4096 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1922 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 1.3a 198mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.5nc @ 8V - Puerta de Nivel Lógico
SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 1.7000
RFQ
 ECAD 8440 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SQD25 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 25A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 1975 pf @ 25 V - 62W (TC)
SI4965DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4965DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4965 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 8V - 21mohm @ 8a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 55NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SIHB22N60EL-GE3 Vishay Siliconix SiHB22N60EL-GE3 2.2344
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB22 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 197mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 1690 pf @ 100 V - 227W (TC)
SIHH27N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SiHH27N60EF-T1-GE3 7.0000
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Sihh27 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 8 x 8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 100mohm @ 13.5a, 10V 4V @ 250 µA 135 NC @ 10 V ± 30V 2609 pf @ 100 V - 202W (TC)
SI7366DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7366DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7366 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 13a (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.7w (TA)
SIA445EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA445EDJT-T1-GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 1854 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 SIA445 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 Single descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 12a (TC) 2.5V, 4.5V 16.7mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 12V 2180 pf @ 10 V - 19W (TC)
SIHD6N65ET1-GE3 Vishay Siliconix SiHD6N65ET1-GE3 0.7371
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihd6 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 820 pf @ 100 V - 78W (TC)
SIHP18N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP18N60E-GE3 1.6464
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SiHP18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 202mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 30V 1640 pf @ 100 V - 179W (TC)
SIA465EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA465EDJ-T1-GE3 0.1583
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 SIA465 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 Single descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 12a (TC) 2.5V, 4.5V 16.5mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 12V 2130 pf @ 10 V - 19W (TC)
IRFD120 Vishay Siliconix Irfd120 -
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd120 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 1.3a (TA) 10V 270MOHM @ 780MA, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1 0.4300
RFQ
 ECAD 6815 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga Si8819 Mosfet (Óxido de metal) 4-Micro Foot® (0.8x0.8) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 2.9a (TA) 1.5V, 3.7V 80mohm @ 1.5a, 3.7V 900MV @ 250 µA 17 NC @ 8 V ± 8V 650 pf @ 6 V - 900MW (TA)
SI1413DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1413DH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1413 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 2.3a (TA) 1.8V, 4.5V 115mohm @ 2.9a, 4.5V 800mV @ 100 µA 8.5 NC @ 4.5 V ± 8V - 1W (TA)
SIHB33N60ET1-GE3 Vishay Siliconix SiHB33N60ET1-GE3 6.1800
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SiHB33 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 33A (TC) 10V 99mohm @ 16.5a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 30V 3508 pf @ 100 V - 278W (TC)
SI4816DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4816dy-t1-e3 -
RFQ
 ECAD 6633 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4816 Mosfet (Óxido de metal) 1W, 1.25W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canales N (Medio Puente) 30V 5.3a, 7.7a 22mohm @ 6.3a, 10v 2V @ 250 µA 12NC @ 5V - Puerta de Nivel Lógico
SIHF9540PBF Vishay Siliconix SiHF9540PBF -
RFQ
 ECAD 7246 0.00000000 Vishay Siliconix * Tubo Activo SiHF9540 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50
SISA18DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Sisa18 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 38.3a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 21.5 NC @ 10 V +20V, -16V 1000 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SI4834CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4834CDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4834 Mosfet (Óxido de metal) 2.9w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 8A 20mohm @ 8a, 10v 3V @ 1MA 25nc @ 10V 950pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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