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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIRA16DP-T1-GE3 | 0.2240 |  | 7092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira16 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2060 pf @ 15 V | - | - | |||||
 | SUP70101EL-GE3 | 2.9700 | | 9952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP70101 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 2.5V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | SQJ560EP-T1_BE3 | 1.3500 | | 2934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ560 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj560ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 30A (TC), 18A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v, 52.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30nc @ 10V, 45nc @ 10V | 1650pf @ 25V | - | |||||||
 | SISA10DN-T1-GE3 | 1.0400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2425 pf @ 15 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SIHP14N60E-GE3 | 2.3600 | | 5682 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | SQD100N03-3M4_GE3 | 1.6100 | | 8822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 7349 pf @ 15 V | - | 136W (TC) | ||||||
 | SI3465DV-T1-E3 | - | | 4278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3465 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 4a, 10v | 3V @ 250 µA | 5.5 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
 | IRFZ34S | - | | 8353 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ34S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
 | Si4426dy-t1-ge3 | - | | 4632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4426 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 6.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 8.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI4800BDY-T1-GE3 | 0.9200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4800 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 9a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 13 NC @ 5 V | ± 25V | - | 1.3W (TA) | ||||||
 | Sum70060e-ge3 | 2.0800 | | 9950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum70060 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 131a (TC) | 7.5V, 10V | 5.6mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3330 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
 | 2N6661JTX02 | - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6661 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 90 V | 860MA (TC) | 5V, 10V | 4ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SQJ444EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 9034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj444 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SQA405CEJW-T1_GE3 | 0.4800 | | 435 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 6-Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®SC-70W-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 39.5mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 13.6W (TC) | ||||||
 | IRFR9214TRPBF | 1.5500 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
| SI7636DP-T1-GE3 | 1.1907 | | 4995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7636 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5600 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | IRF9Z14PBF-BE3 | 1.2900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9Z14PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
 | Sqja70ep-t1_be3 | 0.7500 | | 1477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA70EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14.7a (TC) | 10V | 95mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | ||||||
| SI4465Ady-T1-E3 | 1.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4465 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 8 V | 13.7a (TA), 20a (TC) | 1.8V, 4.5V | 9mohm @ 14a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 85 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | ||||||
 | SQJB46EP-T1_GE3 | 1.2200 | | 4536 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb46 | Mosfet (Óxido de metal) | 34W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3.000 | 2 Canal | 40V | 30A (TC) | 8mohm @ 8a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 1800pf @ 25V | - | |||||||||
| SQJ411EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 60A (TC) | 2.5V, 4.5V | 5.8mohm @ 15a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 150 NC @ 4.5 V | ± 8V | 9100 pf @ 6 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SI5435BDC-T1-E3 | - | | 3502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5435 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.3a (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 4.3a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
| 2N5547JTXL01 | - | | 8055 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 71-6 | 2N5547 | TO-71 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
 | SIE820DF-T1-E3 | - | | 2063 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE820 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 18a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 143 NC @ 10 V | ± 12V | 4300 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
| SI3467DV-T1-GE3 | - | | 6683 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3467 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 4.5V, 10V | 54mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
| SIHB22N60E-GE3 | 4.1200 | | 1632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHB22N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
 | SiHG050N60E-GE3 | 9.8200 | | 8120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg050 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 50mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 3459 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| SI4378DY-T1-E3 | - | | 8021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4378 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 19a (TA) | 2.5V, 4.5V | 2.7mohm @ 25A, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 12V | 8500 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||||
| SiHD5N50D-GE3 | 1.0500 | | 1756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd5 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SI2314EDS-T1-E3 | 0.8300 | | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2314 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.77a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 750MW (TA) |
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