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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4778DY-T1-GE3 | - |  | 8387 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4778 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 16V | 680 pf @ 13 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | IRF9540StrlPBF | 2.9500 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
 | SI1307DL-T1-E3 | - | | 8792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1307 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 850mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 290mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
 | SI1417EDH-T1-E3 | - | | 9487 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1417 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 2.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 3.3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | |||||
| Si4866dy-t1-e3 | 2.2000 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 11a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
 | SI1031X-T1-E3 | - | | 8733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 155MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
 | SI7860AdP-T1-E3 | - | | 9634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7860 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | SQJB80EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJB80 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 30A (TC) | 19mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 1400pf @ 25V | - | |||||||
| SI4565Ady-T1-E3 | - | | 1983 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4565 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 6.6a, 5.6a | 39mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
 | IRFP360LC | - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP360 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP360LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| IRFBC40SPBF | 4.4500 | | 1517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFBC40SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||
| SI1926DL-T1-GE3 | 0.4100 | | 112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1926 | Mosfet (Óxido de metal) | 510MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 370MA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.4nc @ 10V | 18.5pf @ 30V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SISA01DN-T1-GE3 | 0.9300 | | 4089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa01 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 22.4a (TA), 60a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | +16V, -20V | 3490 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Irfz24l | - | | 7664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfz24l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SIA517DJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA517 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 29mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 8V | 500pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI5443DC-T1-GE3 | - | | 5288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5443 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3.6a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 14 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
| SI4202DY-T1-GE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4202 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.7w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 12.1a | 14mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 710pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SiHF22N60S-E3 | - | | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | 2810 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||
 | IRFRC20TRPBF | 1.2900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI3948DV-T1-E3 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | - | 105mohm @ 2.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 3.2NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sq3419ev-t1-ge3 | - | | 1109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3419 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 7.4a (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1065 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||
 | SI8461DB-T2-E1 | - | | 4611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8461 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 100mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 610 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||||
 | VP0808B-E3 | - | | 2661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | VP0808 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 80 V | 880MA (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 1MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TA) | |||||
 | SI8472DB-T2-E1 | 0.5600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8472 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-Micro Foot® (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 44mohm @ 1.5a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8V | 630 pf @ 10 V | - | 780MW (TA) | ||||
| SI3900DV-T1-E3 | 0.7600 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3900 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2a | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI2315BDS-T1-E3 | 0.5400 | | 174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2315 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 3.85a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | ||||
| Sq3418ev-t1-ge3 | - | | 1236 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3418 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 8a (TC) | 32mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | 660 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | SI8416DB-T2-E1 | 0.7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8416 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 16a (TC) | 1.2V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 5V | 1470 pf @ 4 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
| Irfbc30al | - | | 2824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbc30al | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||
 | SI6544BDQ-T1-E3 | - | | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6544 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 15NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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