- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estoniano
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1046R-T1-GE3 | - |  | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1046 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 606MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 420mohm @ 606mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 1.49 NC @ 5 V | ± 8V | 66 pf @ 10 V | - | 250MW (TA) | ||||
 | SI6913DQ-T1-BE3 | 2.1400 | | 8472 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6913 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW (TA) | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI6913DQ-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.9a (TA) | 21mohm @ 5.8a, 4.5V | 900mv @ 400 µA | 28NC @ 4.5V | - | - | |||||||
 | SiHF22N60S-E3 | - | | 2615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | 2810 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||
 | SI8461DB-T2-E1 | - | | 4611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8461 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 100mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24 NC @ 8 V | ± 8V | 610 pf @ 10 V | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||||
 | Irf614l | - | | 2502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF614 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf614l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | IRLZ44 | - | | 8627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | Siz910dt-t1-ge3 | - | | 2736 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz910 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W, 100W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 40A | 5.8mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 40nc @ 10V | 1500pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI2312CDS-T1-BE3 | 0.3900 | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5A (TA), 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31.8mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 8V | 865 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | |||||||
 | SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7478 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SIHP20N50E-GE3 | 2.9400 | | 5200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 19a (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
| SI7386DP-T1-E3 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7386 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 19a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||
 | SI2304BDS-T1-E3 | 0.4700 | | 41 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2304 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.6a (TA) | 4.5V, 10V | 70mohm @ 2.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 4 NC @ 5 V | ± 20V | 225 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
| SI7860AdP-T1-E3 | - | | 9634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7860 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | IRFP360LC | - | | 3655 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP360 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP360LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
 | Sqja86ep-t1_be3 | 0.9600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||
 | SI4408DY-T1-GE3 | 1.6758 | | 8886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4408 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 21a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 32 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | ||||||
| SQ4431EY-T1_GE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4431 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.8a (TC) | 10V | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | |||||
| Si4563dy-t1-ge3 | - | | 2431 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4563 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 2V @ 250 µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | ||||||
| Si4565ady-t1-ge3 | - | | 8321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4565 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 6.6a, 5.6a | 39mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
| Si4562dy-T1-E3 | - | | 3507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4562 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 20V | - | 25mohm @ 7.1a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 50NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI5458DU-T1-GE3 | 0.2284 | | 3940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5458 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 7.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 325 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 10.4W (TC) | |||||
| SiHW73N60E-GE3 | 6.6456 | | 1202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW73 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10v | 4V @ 250 µA | 362 NC @ 10 V | ± 20V | 7700 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
| IRFP31N50L | - | | 8528 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP31 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp31n50l | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 31a (TC) | 10V | 180mohm @ 19a, 10v | 5V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 30V | 5000 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | |||
 | IRFU9014 | - | | 3953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFU9014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| SIHP35N60EF-GE3 | 6.3500 | | 6869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP35 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 134 NC @ 10 V | ± 30V | 2568 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI5481DU-T1-E3 | - | | 5913 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5481 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 50 NC @ 8 V | ± 8V | 1610 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 17.8W (TC) | ||||
 | SIA923AEDJ-T1-GE3 | 0.6500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA923 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 54mohm @ 3.8a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 25nc @ 8V | 770pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRF830S | - | | 6092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF830S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SIHF12N60E-E3 | 2.8200 | | 8175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHF12N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||
 | Siz790dt-t1-ge3 | - | | 6718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz790 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W, 48W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16a, 35a | 9.3mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 24nc @ 10V | 830pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)