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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHP25N60EFL-GE3 | 4.7300 |  | 1625 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 2274 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI1032X-T1-E3 | - | | 5713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1032 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 200MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
 | SIDR608DP-T1-RE3 | 2.4300 | | 6315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR608 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 51a (TA), 208a (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 167 NC @ 10 V | +20V, -16V | 8900 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI2309CDS-T1-E3 | 0.5500 | | 8186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2309 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.6a (TC) | 4.5V, 10V | 345mohm @ 1.25a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 210 pf @ 30 V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
 | SIA527DJ-T1-GE3 | 0.5500 | | 9764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA527 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 29mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 8V | 500pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfpc60pbf | 7.1300 | | 334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC60 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpc60pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | Si9407BDY-T1-E3 | 1.3900 | | 958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9407 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 4.7a (TC) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 3.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||
 | IRFL9014TRPBF | 0.9300 | | 47 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Siha18n60e-e3 | 1.6758 | | 4998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha18 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 202mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
| SIA975DJ-T1-GE3 | 0.6400 | | 179 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA975 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.5a | 41mohm @ 4.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 26nc @ 8V | 1500pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Sish536dn-t1-ge3 | 0.6400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 24.7a (TA), 67.4a (TC) | 4.5V, 10V | 3.25mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | +16V, -12V | 1150 pf @ 15 V | - | 3.57W (TA), 26.5W (TC) | ||||||
 | IRF644StrrPBF | 3.7500 | | 7952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
| SI2315BDS-T1-E3 | 0.5400 | | 174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2315 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 3.85a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | IRFRC20TRPBF | 1.2900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFRC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SI3948DV-T1-E3 | - | | 9061 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | - | 105mohm @ 2.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 3.2NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sq3419ev-t1-ge3 | - | | 1109 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3419 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 7.4a (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1065 pf @ 20 V | - | 5W (TC) | ||||
 | Sqa442ej-t1_ge3 | 0.6300 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Sqa442 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 9A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9.7 NC @ 10 V | ± 20V | 636 pf @ 25 V | - | 13.6W (TC) | |||||
 | SI8416DB-T2-E1 | 0.7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8416 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 16a (TC) | 1.2V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | ± 5V | 1470 pf @ 4 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) | ||||
 | VP0808B-E3 | - | | 2661 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | VP0808 | Mosfet (Óxido de metal) | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 80 V | 880MA (TA) | 10V | 5ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 1MA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TA) | |||||
| Si4563dy-t1-e3 | - | | 6498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4563 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 2V @ 250 µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | ||||||
 | SUM33N20-60P-E3 | - | | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum33 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 33A (TC) | 10V, 15V | 59mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250 µA | 113 NC @ 15 V | ± 25V | 2735 pf @ 25 V | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||||
| SI3442CDV-T1-GE3 | - | | 6589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3442 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 6.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 12V | 335 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||
| Irfl31n20d | - | | 7631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfl31 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl31n20d | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 31a (TA) | - | - | - | - | |||||||
| Si4992ey-t1-ge3 | - | | 6227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4992 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 75V | 3.6a | 48mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 21NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sish402dn-t1-ge3 | 0.9400 | | 480 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish402 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 19A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 19a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Sihd6n62e-ge3 | 0.6918 | | 7517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 578 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||||
 | Si5999Edu-T1-GE3 | - | | 9313 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5999 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6A | 59mohm @ 3.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 496pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SIHP25N40D-GE3 | 3.0600 | | 417 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SIHP25N40DGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 25A (TC) | 10V | 170mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1707 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | ||||
| Si2311ds-T1-E3 | - | | 5828 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2311 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 45mohm @ 3.5a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 8V | 970 pf @ 4 V | - | 710MW (TA) | ||||
| SI4941Edy-T1-E3 | - | | 3427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4941 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.6w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 10A | 21mohm @ 8.3a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 70nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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