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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHFR430ATRL-GE3 | 0.4263 |  | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR430 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR430ATRL-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
 | SiHF9540S-GE3 | 0.7826 | | 6105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHF9540S-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | Irfr020tr | - | | 2637 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | IRFZ40 | - | | 5889 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | SQJQ148E-T1_GE3 | 2.3700 | | 3705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ148 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ148E-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 375A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 4930 pf @ 25 V | - | 325W (TC) | ||||
| IRFR9120 | - | | 7644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| SIHB17N80E-T1-GE3 | 5.1300 | | 5203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB17 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHB17N80E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2408 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||
 | IRFIB7N50A | - | | 7980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfib7n50a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
 | Irfu220pbf | 1.5200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu220 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu220pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SI7901EDN-T1-GE3 | - | | 8131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI1303EDL-T1-E3 | - | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1303 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 670MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 430mohm @ 1a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 290MW (TA) | |||||
 | Si4831dy-T1-E3 | - | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4831 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||
| IRFIB7N50APBF | 3.1400 | | 838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIB7N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 6.6a (TC) | 10V | 520mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
| IRLR120PBF | 1.6500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRF730L | - | | 9249 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF730 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf730l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | - | |||
 | SI2305ADS-T1-E3 | - | | 8948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2305 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.4a (TC) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 4.1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 740 pf @ 4 V | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||
| IRFR024TRPBF | 1.2900 | | 208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRFR9120TRPBF | 1.4000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Sizf300dt-t1-ge3 | 1.2000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf300 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.8W (TA), 48W (TC), 4.3W (TA), 74W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 23a (TA), 75A (TC), 34A (TA), 141A (TC) | 4.5mohm @ 10a, 10v, 1.84mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V, 62nc @ 10V | 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V | - | |||||||
| Irfbc30l | - | | 9673 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbc30l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | SI3442CDV-T1-GE3 | - | | 6589 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3442 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 2.5V, 10V | 27mohm @ 6.5a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 12V | 335 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||
 | Irll014tr | - | | 2957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irll014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 1.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | IRF9540S | - | | 3034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9540S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | SI7478DP-T1-E3 | 2.8500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7478 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SQ3989EV-T1_GE3 | 0.6000 | | 2652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3989 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.67W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.5A (TC) | 155mohm @ 400 mA, 10V | 1.5V @ 250 µA | 11.1NC @ 10V | - | - | |||||||
 | SI2312CDS-T1-BE3 | 0.3900 | | 4771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5A (TA), 6A (TC) | 1.8V, 4.5V | 31.8mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 8V | 865 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | |||||||
 | Siz910dt-t1-ge3 | - | | 2736 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz910 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W, 100W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 40A | 5.8mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 40nc @ 10V | 1500pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRLZ44 | - | | 8627 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| Sir876dp-t1-ge3 | - | | 1737 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir876 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1640 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | ||||
 | Sum50010e-ge3 | 3.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum50010 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 1.75mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 212 NC @ 10 V | ± 20V | 10895 pf @ 30 V | - | 375W (TC) |
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