SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
IRFPE30PBF Vishay Siliconix Irfpe30pbf 5.5600
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irfpe30 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 800 V 4.1a (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10v 4V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2303CDS-T1-GE3 0.4500
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SI2303 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 2.7a (TC) 4.5V, 10V 190mohm @ 1.9a, 10v 3V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 155 pf @ 15 V - 1W (TA), 2.3W (TC)
IRF840ASTRR Vishay Siliconix IRF840ATRR -
RFQ
ECAD 5202 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF840 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1018 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir870Adp-T1-GE3 2.0900
RFQ
ECAD 5138 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir870 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 60A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 2866 pf @ 50 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
IRFR9120PBF Vishay Siliconix IRFR9120PBF 1.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 100 V 5.6a (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF710STRR Vishay Siliconix IRF710Strr -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF710 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 36W (TC)
IRFD214PBF Vishay Siliconix Irfd214pbf 0.5880
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd214 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfd214pbf EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 V 450mA (TA) 10V 2ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 140 pf @ 25 V - 1W (TA)
IRFL9110TR Vishay Siliconix Irfl9110tr -
RFQ
ECAD 7383 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irfl9110 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 1.1a (TC) 10V 1.2ohm @ 660ma, 10v 4V @ 250 µA 8.7 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 2W (TA), 3.1W (TC)
IRL530STRR Vishay Siliconix IRL530Strr -
RFQ
ECAD 5589 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRL530 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250 µA 28 NC @ 5 V ± 10V 930 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 88W (TC)
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2392Ads-T1-GE3 0.5400
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2392 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 3.1a (TC) 4.5V, 10V 126mohm @ 2a, 10v 3V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 196 pf @ 50 V - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix SUM110N08-07P-E3 -
RFQ
ECAD 6504 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum110 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 110A (TC) 10V 7mohm @ 20a, 10v 4.5V @ 250 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 4250 pf @ 30 V - 3.75W (TA), 208.3W (TC)
SI4038DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4038DY-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4038 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 42.5a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10v 2.1V @ 250 µA 87 NC @ 10 V ± 20V 4070 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
IRFU9220 Vishay Siliconix IRFU9220 -
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU9 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfu9220 EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 200 V 3.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRL530PBF Vishay Siliconix IRL530PBF 1.6900
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRL530pbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 15A (TC) 4V, 5V 160mohm @ 9a, 5V 2V @ 250 µA 28 NC @ 5 V ± 10V 930 pf @ 25 V - 88W (TC)
IRF644NSPBF Vishay Siliconix IRF644NSPBF -
RFQ
ECAD 5575 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF644 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf644nspbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 240mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 150W (TC)
SUM52N20-39P-E3 Vishay Siliconix SUM52N20-39P-E3 -
RFQ
ECAD 9331 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum52 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 52a (TC) 10V, 15V 38mohm @ 20a, 15V 4.5V @ 250 µA 185 NC @ 15 V ± 25V 4220 pf @ 25 V - 3.12W (TA), 250W (TC)
IRFBG20PBF Vishay Siliconix Irfbg20pbf 1.8300
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Irfbg20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfbg20pbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V 1.4a (TC) 10V 11ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 54W (TC)
SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SI1016 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SC-89 (SOT-563F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 485MA, 370 mA 700mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.75nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
IRFP340 Vishay Siliconix IRFP340 -
RFQ
ECAD 1379 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP340 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFP340 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 400 V 11a (TC) 10V 550mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRLI640GPBF Vishay Siliconix IRLI640GPBF 3.3400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA IRLI640 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRLI640GPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9.9a (TC) 4V, 5V 180mohm @ 5.9a, 5V 2V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 10V 1800 pf @ 25 V - 40W (TC)
SI4963BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4963BDY-T1-GE3 0.7796
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4963 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.9a 32mohm @ 6.5a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 21NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
IRFD213 Vishay Siliconix Irfd213 -
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Irfd213 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip - Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 V 450mA (TA) 2ohm @ 270mA, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V 140 pf @ 25 V - -
IRFP9140PBF Vishay Siliconix IRFP9140PBF 2.9600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP9140 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfp9140pbf EAR99 8541.29.0095 25 Canal P 100 V 21a (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10v 4V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 180W (TC)
IRFR110PBF Vishay Siliconix IRFR110PBF 1.0000
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR110 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 4.3a (TC) 10V 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250 µA 8.3 NC @ 10 V ± 20V 180 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF840LCSPBF Vishay Siliconix IRF840LCSPBF 1.5567
RFQ
ECAD 8924 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF840 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFI644GPBF Vishay Siliconix Irfi644gpbf 2.9500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi644 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfi644gpbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 7.9a (TC) 10V 280mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFI640GPBF Vishay Siliconix IRFI640GPBF 3.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi640 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfi640gpbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9.8a (TC) 10V 180mohm @ 5.9a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRFR010TR Vishay Siliconix Irfr010tr -
RFQ
ECAD 3899 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR010 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 50 V 8.2a (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10v 4V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 25 V - 25W (TC)
IRF640SPBF Vishay Siliconix IRF640SPBF 2.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF640 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRLR110TR Vishay Siliconix IRLR110TR -
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR110 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 4.3a (TC) 4V, 5V 540mohm @ 2.6a, 5V 2V @ 250 µA 6.1 NC @ 5 V ± 10V 250 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock