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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7272DP-T1-GE3 | 1.4900 |  | 4163 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7272 | Mosfet (Óxido de metal) | 22W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 25A | 9.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1100pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfbe30strr | - | | 9364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SQJA76EP-T1_GE3 | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja76 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SiJ458DP-T1-GE3 | - | | 4687 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ458 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 4810 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | |||||
 | IRLZ34PBF | 1.9400 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLZ34PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 4V, 5V | 50mohm @ 18a, 5V | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
 | IRFR224 | - | | 1277 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR224 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR224 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SI7882DP-T1-GE3 | - | | 3629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7882 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 13a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.9W (TA) | |||||
| IRFR9110TRPBF | 1.2300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | Irf820al | - | | 5546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf820al | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||
 | SUP40012EL-GE3 | 2.3400 | | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP40012 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 1.79mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 195 NC @ 10 V | ± 20V | 10930 pf @ 20 V | - | 150W (TC) | |||||
 | SI4480DY-T1-E3 | - | | 5504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4480 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 6a (TA) | 6V, 10V | 35mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 50 NC @ 10 V | ± 20V | - | 2.5W (TA) | |||||
 | SI6433BDQ-T1-E3 | - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6433 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 40mohm @ 4.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
 | SIB911DK-T1-E3 | - | | 8880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6L Dual | SIB911 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | Powerpak® SC-75-6L Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.6a | 295mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4NC @ 8V | 115pf @ 10V | - | ||||||
 | SQ4282EY-T1_GE3 | 1.5100 | | 210 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4282 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.9w | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8a (TC) | 12.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 47nc @ 10V | 2367pf @ 15V | - | ||||||||
| Irfr9014ntrr | - | | 5789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| IRLZ14strl | - | | 6846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | Sish625dn-t1-ge3 | 0.6300 | | 8685 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish625 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 17.3a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 4427 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SQD15N06-42L_T4GE3 | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQD15N06-42L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 535 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||||
 | SiHG35N60E-GE3 | 6.6700 | | 4693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG35 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI5904DC-T1-E3 | - | | 9801 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5904 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.1A | 75mohm @ 3.1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFR9310TRPBF | - | | 6199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
| Si444448dy-t1-e3 | - | | 6508 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4448 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 50A (TC) | 1.8V, 4.5V | 1.7mohm @ 20a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 150 NC @ 4.5 V | ± 8V | 12350 pf @ 6 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
| SI7461DP-T1-GE3 | 2.4000 | | 6795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 8.6a (TA) | 4.5V, 10V | 14.5mohm @ 14.4a, 10v | 3V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SQD25N15-52_GE3 | 3.8600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
| SUP60N10-18P-E3 | - | | 7050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 8V, 10V | 18.3mohm @ 15a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 50 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
| IRFP460LCPBF | 5.3900 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP460LCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
 | SiHH21N65E-T1-GE3 | 3.3167 | | 8400 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh21 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 V | 20.3a (TC) | 10V | 170mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 2404 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
| SQM120N04-1M4L_GE3 | - | | 6649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Sqm120n | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 120a (TC) | |||||||||||||||||||||
| SI4922BDY-T1-E3 | 1.6000 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4922 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 62NC @ 10V | 2070pf @ 15V | - | |||||||
 | SIA425EDJ-T1-GE3 | - | | 2797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA425 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | - | 2.9W (TA), 15.6W (TC) |
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