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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD35N10-26P-GE3 | 2.1700 |  | 90 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud35 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 7V, 10V | 26mohm @ 12a, 10v | 4.4V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 12 V | - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
 | SI1021R-T1-GE3 | 0.5500 | | 43 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1021 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 190MA (TA) | 4.5V, 10V | 4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.7 NC @ 15 V | ± 20V | 23 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | ||||
 | SQM120N03-1M5L_GE3 | 3.8200 | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 15605 pf @ 15 V | - | 375W (TC) | |||||
 | IRF740SPBF | 2.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | Siss10adn-t1-ge3 | 0.9600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 31.7a (TA), 109A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3030 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 56.8W (TC) | |||||
 | SI7413DN-T1-GE3 | - | | 3638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8.4a (TA) | 1.8V, 4.5V | 15mohm @ 13.2a, 4.5V | 1V @ 400 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SQJQ404E-T1_GE3 | 2.8100 | | 5732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ404 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 10V | 1.72mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 16480 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
| IRF620Strl | - | | 3842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 50W (TC) | ||||
 | IRFR320 | - | | 9221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR320 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | Siha240n60e-ge3 | 2.9600 | | 9526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha240 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 783 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||
 | SIHP11N80E-GE3 | 3.5300 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 12a (TC) | 10V | 440mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||
 | Irf9530pbf | 1.8100 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9530pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||
 | SI5515DC-T1-E3 | - | | 8862 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5515 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4.4a, 3a | 40mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI7112DN-T1-GE3 | 1.7500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7112 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11.3a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 17.8a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 27 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2610 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | IRFP460P | - | | 7115 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP460P | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | 4200 pf @ 25 V | - | - | |||||
 | Si4933dy-t1-e3 | - | | 3964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 7.4a | 14mohm @ 9.8a, 4.5V | 1V @ 500 µA | 70NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA921EDJ-T1-GE3 | 0.6300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA921 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 59mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Irfd224pbf | 1.4900 | | 2298 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd224 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd224pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 630 mA (TA) | 10V | 1.1ohm @ 380mA, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
| IRFB9N60A | - | | 4304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9N60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb9n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
 | IRFL210TRPBF-BE3 | 0.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl210 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFL210TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 960MA (TC) | 1.5ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
| Si4226dy-t1-e3 | - | | 2590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4226 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 19.5mohm @ 7a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 36nc @ 10V | 1255pf @ 15V | - | ||||||
 | Sir401dp-t1-ge3 | 0.9700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 50A (TC) | 2.5V, 10V | 3.2mohm @ 15a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 310 NC @ 10 V | ± 12V | 9080 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 39W (TC) | |||||
| IRFR210 | - | | 8250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SQP90P06-07L_GE3 | - | | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP90 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 60 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 14280 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||
| Sir680Adp-T1-RE3 | 2.3400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir680 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30.7a (TA), 125A (TC) | 7.5V, 10V | 2.88mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 4415 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||
 | SI1051X-T1-GE3 | - | | 2469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1051 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 122mohm @ 1.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 9.45 NC @ 5 V | ± 5V | 560 pf @ 4 V | - | 236MW (TA) | ||||
| SI4880DY-T1-E3 | - | | 8371 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4880 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 13a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 25 NC @ 5 V | ± 25V | - | 2.5W (TA) | |||||
 | SI2301BDS-T1-E3 | 0.4600 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2301 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2.8a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 375 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | ||||
| SI5915DC-T1-E3 | - | | 6494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5915 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 3.4a | 70mohm @ 3.4a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si4620dy-T1-E3 | - | | 9669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4620 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 6A (TA), 7.5A (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 1040 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA), 3.1W (TC) |
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