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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIS443DN-T1-GE3 | 1.5900 |  | 134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS443 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.7mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 4370 pf @ 20 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Siha22n60e-e3 | 3.9000 | | 4436 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||
 | SIRA14BDP-T1-GE3 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira14 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 64A (TC) | 4.5V, 10V | 5.38mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | +20V, -16V | 917 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | | 742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | SQM50028 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 11900 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1023 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 370MA | 1.2ohm @ 350mA, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 1.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIHB065N60E-GE3 | 6.8400 | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB065 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | IRFPF30 | - | | 6955 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPF30 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPF30 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 3.7ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | IRLR024TR | - | | 9144 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| Sir864dp-t1-ge3 | - | | 8959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir864 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2460 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SI5905DC-T1-E3 | - | | 9289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5905 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 3A | 90mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFPS37N50APBF | - | | 8060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS37 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPS37N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 36A (TC) | 10V | 130mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5579 pf @ 25 V | - | 446W (TC) | ||||
 | SUP85N03-04P-E3 | - | | 2868 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 166W (TC) | ||||
 | SQP100P06-9M3L_GE3 | - | | 5131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sqp100 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 12010 pf @ 25 V | - | 187W (TC) | ||||||
| SI5913DC-T1-GE3 | - | | 5112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3.7a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.7W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SIB433EDK-T1-GE3 | 0.5300 | | 7902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB433 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 58mohm @ 3.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 8 V | ± 8V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||||
 | SI2315BDS-T1-GE3 | 0.6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2315 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3a (TA) | 4.5V | 50mohm @ 3.85a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SQJ454EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 6267 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj454 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 13a (TC) | 4.5V, 10V | 145mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| IRF710StrlPBF | 1.6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||
 | Irfd9220pbf | 2.7600 | | 2009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9220 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 200 V | 560MA (TA) | 10V | 1.5ohm @ 340mA, 10V | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||
| SI7425DN-T1-E3 | - | | 5366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7425 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 16mohm @ 12.6a, 4.5V | 1V @ 300 µA | 39 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SI7617DN-T1-GE3 | 0.8800 | | 241 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7617 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 12.3mohm @ 13.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 25V | 1800 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SQ2361ES-T1_GE3 | 0.6300 | | 7852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | Mosfet (Óxido de metal) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.8a (TC) | 10V | 177mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 2W (TC) | ||||||
 | SIRS4600DP-T1-RE3 | 3.7500 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 58a (TA), 334A (TC) | 7.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 162 NC @ 10 V | ± 20V | 7655 pf @ 30 V | - | 7.4W (TA), 240W (TC) | ||||||
 | Si4124dy-t1-e3 | 0.9497 | | 1384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4124 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 20.5a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3540 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
| SQJA62EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja62 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | Irfi9610g | - | | 3023 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9610g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 2a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
| SIRA50AdP-T1-RE3 | 1.5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira50 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 54.8a (TA), 219a (TC) | 4.5V, 10V | 1.04mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7300 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SiHD240N60E-GE3 | 2.5500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD240 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 240mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 783 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
| SUP60N10-16L-E3 | - | | 9230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3820 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SI5484DU-T1-E3 | - | | 2765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12a (TC) | 2.5V, 4.5V | 16mohm @ 7.6a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 12V | 1600 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) |
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