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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI1539CDL-T1-GE3	0.4300	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1539	Mosfet (Óxido de metal)	340MW	SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Vecino del canal		30V	700 Ma, 500 Ma		388mohm @ 600mA, 10V	2.5V @ 250 µA	1.5nc @ 10V		28pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
SQM110P06-8M9L_GE3	3.2300	RFQ	8396	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SQM110	Mosfet (Óxido de metal)		TO-263 (d²pak)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal P	60 V	110A (TC)	4.5V, 10V	8.9mohm @ 30a, 10v	2.5V @ 250 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	7450 pf @ 25 V	-	230W (TC)
SI7942DP-T1-GE3	2.9100	RFQ	4729	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7942	Mosfet (Óxido de metal)	1.4w	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		100V	3.8a		49mohm @ 5.9a, 10v	4V @ 250 µA	24nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRFS11N50ATRL	-	RFQ	4632	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS11	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	500 V	11a (TC)	10V	520mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250 µA	52 NC @ 10 V	± 30V	1423 pf @ 25 V	-	170W (TC)
SQA470EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	8742	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	Sqa470	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6 Single	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	2.25a (TC)	2.5V, 4.5V	65mohm @ 3a, 4.5V	1.1V @ 250 µA	6 NC @ 4.5 V	± 12V	440 pf @ 20 V	-	13.6W (TC)
V30368-T1-E3	-	RFQ	1524	Vishay Siliconix	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				V30368				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	2.500
Irfd320	-	RFQ	6210	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-DIP (0.300 ", 7.62 mm)	Irfd320	Mosfet (Óxido de metal)		4-hvmdip	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfd320	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	400 V	490MA (TA)	10V	1.8ohm @ 210 mm, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	410 pf @ 25 V	-	1W (TA)
SQJ858AEP-T1_BE3	1.3700	RFQ	7783	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sqj858	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-SQJ858AEP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	58a (TC)		6.3mohm @ 14a, 10v	2.5V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	2450 pf @ 20 V	-	48W (TC)
IRFR9214TR	-	RFQ	9404	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9214	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	250 V	2.7a (TC)	10V	3ohm @ 1.7a, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	220 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IRFR1N60ATRPBF	1.5500	RFQ	985	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR1	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	600 V	1.4a (TC)	10V	7ohm @ 840 mm, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 30V	229 pf @ 25 V	-	36W (TC)
SiHG17N60D-GE3	2.4665	RFQ	5395	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg17	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	600 V	17a (TC)	10V	340mohm @ 8a, 10v	5V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W (TC)
IRF710	-	RFQ	9674	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF710	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF710	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	400 V	2a (TC)	10V	3.6ohm @ 1.2a, 10v	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	36W (TC)
SIHB16N50C-E3	6.4600	RFQ	947	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SiHB16	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	500 V	16a (TC)	10V	380mohm @ 8a, 10v	5V @ 250 µA	68 NC @ 10 V	± 30V	1900 pf @ 25 V	-	250W (TC)
IRFR9024TR	-	RFQ	2242	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9024	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	60 V	8.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.3a, 10V	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI7904DN-T1-GE3	-	RFQ	7903	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8 dual	Si7904	Mosfet (Óxido de metal)	1.3w	Powerpak® 1212-8 dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	5.3a		30mohm @ 7.7a, 4.5V	1V @ 935 µA	15NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
IRFP460A	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP460	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	500 V	20A (TC)	10V	270mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	105 NC @ 10 V	± 30V	3100 pf @ 25 V	-	280W (TC)
SI8851EDB-T2-E1	0.6200	RFQ	7006	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	30-xfbga	Si8851	Mosfet (Óxido de metal)		Power Micro Foot® (2.4x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	20 V	7.7a (TA)	1.8V, 4.5V	8mohm @ 7a, 4.5V	1V @ 250 µA	180 NC @ 8 V	± 8V	6900 pf @ 10 V	-	660MW (TA)
SQ4850EY-T1_GE3	1.3700	RFQ	24	Vishay Siliconix	Automotive, AEC-Q101, Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SQ4850	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	60 V	12a (TC)	4.5V, 10V	22mohm @ 6a, 5V	2.5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W (TC)
Sish434dn-t1-ge3	1.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8SH	Sish434	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8SH	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	17.6a (TA), 35A (TC)	4.5V, 10V	7.6mohm @ 16.2a, 10v	2.2V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1530 pf @ 20 V	-	3.8W (TA), 52W (TC)
IRFI9520GPBF	2.5000	RFQ	7933	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfi9520	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfi9520gpbf	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	100 V	5.2a (TC)	10V	600mohm @ 3.1a, 10V	4V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 20V	390 pf @ 25 V	-	37W (TC)
SiHG70N60EF-GE3	8.8305	RFQ	3473	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg70	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	600 V	70A (TC)	10V	38mohm @ 35a, 10v	4V @ 250 µA	380 NC @ 10 V	± 30V	7500 pf @ 100 V	-	520W (TC)
Irf634l	-	RFQ	6831	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRF634	Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*Irf634l	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	250 V	8.1A (TC)	10V	450mohm @ 5.1a, 10V	4V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	770 pf @ 25 V	-	-
IRF9530STRR	-	RFQ	2934	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9530	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P	100 V	12a (TC)	10V	300mohm @ 7.2a, 10V	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI4804CDY-T1-E3	-	RFQ	3564	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4804	Mosfet (Óxido de metal)	3.1W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	8A		22mohm @ 7.5a, 10v	2.4V @ 250 µA	23nc @ 10V		865pf @ 15V	-
Sum70040m-ge3	3.0600	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	Sum70040	Mosfet (Óxido de metal)		Un 263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	100 V	120a (TC)	7.5V, 10V	3.8mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	120 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 50 V	-	375W (TC)
Si4154dy-t1-ge3	1.4900	RFQ	9625	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4154	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	40 V	36A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	105 NC @ 10 V	± 20V	4230 pf @ 20 V	-	3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI1065X-T1-E3	-	RFQ	8941	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	Si1065	Mosfet (Óxido de metal)		SC-89 (SOT-563F)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	12 V	1.18a (TA)	1.8V, 4.5V	156mohm @ 1.18a, 4.5V	950MV @ 250 µA	10.8 NC @ 5 V	± 8V	480 pf @ 6 V	-	236MW (TA)
SI7846DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7846	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	150 V	4A (TA)	10V	50mohm @ 5a, 10v	4.5V @ 250 µA	36 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SI1404BDH-T1-GE3	-	RFQ	3173	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1404	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	1.9a (TA), 2.37a (TC)	2.5V, 4.5V	238mohm @ 1.9a, 4.5V	1.3V @ 250 µA	2.7 NC @ 4.5 V	± 12V	100 pf @ 15 V	-	1.32W (TA), 2.28W (TC)
IRF830StrlPBF	2.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF830	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	500 V	4.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 2.7a, 10V	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	610 pf @ 25 V	-	74W (TC)