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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR214TRR | - |  | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | Sir580dp-T1-RE3 | 1.8900 | | 6082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR580DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 35.8a (TA), 146a (TC) | 7.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 4100 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irf830strr | - | | 7510 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | Sish129dn-t1-ge3 | 0.9300 | | 5287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish129 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 14.4a (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.4mohm @ 14.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3345 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 52.1W (TC) | |||||
 | Sir814dp-t1-ge3 | - | | 9411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir814 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SiHK055N60EF-T1GE3 | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Sihk055 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 58mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 3667 pf @ 100 V | - | 236W (TC) | |||||
 | SI1022R-T1-GE3 | 0.6300 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Si1022 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 330 mA (TA) | 4.5V, 10V | 1.25ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 30 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | ||||
 | SI7844DP-T1-GE3 | - | | 6195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7844 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| IRF9610Strr | - | | 7926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
| SI7980DP-T1-GE3 | 1.0500 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7980 | Mosfet (Óxido de metal) | 19.8W, 21.9W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 20V | 8A | 22mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 1010pf @ 10V | - | |||||||
| IRFR210TR | - | | 5022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| Sir494dp-t1-ge3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir494 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 6 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SQP50N06-09L_GE3 | - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SQ3418AEEV-T1_GE3 | 0.3929 | | 2137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Sq3418 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 8A | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 3.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 528 pf @ 25 V | - | 5W (TC) | |||||
 | Si4906dy-t1-e3 | - | | 9113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4906 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 6.6a | 39mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V | 625pf @ 20V | - | ||||||
| SI9407BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9407 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 4.7a (TC) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 3.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 30 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI3911DV-T1-E3 | - | | 5753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3911 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.8a | 145mohm @ 2.2a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1551DL-T1-E3 | - | | 5875 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1551 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 290MA, 410MA | 1.9ohm @ 290mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI6969BDQ-T1-GE3 | - | | 1758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6969 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4A | 30mohm @ 4.6a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 25NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIDR626DP-T1-GE3 | 2.8400 | | 141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR626 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 42.8a (TA), 100a (TC) | 6V, 10V | 1.7mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5130 pf @ 30 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SI7214DN-T1-E3 | - | | 1688 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7214 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.6a | 40mohm @ 6.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 6.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | Siz900dt-t1-ge3 | - | | 2301 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz900 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W, 100W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 24a, 28a | 7.2mohm @ 19.4a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 45nc @ 10V | 1830pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | | 5246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | SUM40N10-30-E3 | - | | 8392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 6V, 10V | 30mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 107W (TC) | ||||
| IRF820SPBF | 1.8600 | | 590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF820SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| SIF912EDZ-T1-E3 | - | | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 2x5 | SIF912 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w | Powerpak® (2x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | 7.4a | 19mohm @ 7.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Sir470DP-T1-GE3 | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir470 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5660 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SI8904EDB-T2-E1 | - | | 7351 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Micro Foot®CSP | Si8904 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 6-Micro Foot ™ (2.36x1.56) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | 3.8a | - | 1.6V @ 250 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sum90330e-ge3 | 1.7200 | | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90330 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 35.1a (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
| Si4430bdy-t1-ge3 | 1.8500 | | 9321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4430 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 36 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) |
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