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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N4391-2 | - |  | 8494 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4391 | 1.8 W | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 50 Ma @ 20 V | 4 v @ 1 na | 30 ohmios | ||||||||||||
| 2N4393-2 | - | | 9700 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4393 | 1.8 W | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 20 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | ||||||||||||
 | 2N4416A-E3 | - | | 3244 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4416 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 4PF @ 15V | 35 V | 5 Ma @ 15 V | 2.5 v @ 1 na | |||||||||||||
| 2N4416-E3 | - | | 6275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4416 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 4PF @ 15V | 30 V | 5 Ma @ 15 V | 3 V @ 1 Na | |||||||||||||
| 2N4859JAN02 | - | | 9247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4859 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N4861JTX02 | - | | 1010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4861 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5114JTXL02 | - | | 6098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5114 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5115-E3 | - | | 4217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5115 | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5115 en enero02 | - | | 2752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5115 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5115JTXL02 | - | | 6135 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5115 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5116JTX02 | - | | 3942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5433 | - | | 9430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | 2N5433 | 300 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 30pf @ 0V | 25 V | 100 mA @ 15 V | 3 V @ 3 Na | |||||||||||||
| 2N5433-2 | - | | 3511 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | 2N5433 | 300 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | N-canal | 30pf @ 0V | 25 V | 100 mA @ 15 V | 3 V @ 3 Na | |||||||||||||
| 2N5433-E3 | - | | 9032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | 2N5433 | 300 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 30pf @ 0V | 25 V | 100 mA @ 15 V | 3 V @ 3 Na | |||||||||||||
| 2N5545JTXL01 | - | | 9006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 71-6 | 2N5545 | TO-71 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5547JTX01 | - | | 8640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 71-6 | 2N5547 | TO-71 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
| 3N163 | - | | 7835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | - | Mosfet (Óxido de metal) | TO-72 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | Canal P | 40 V | 50 mA (TA) | 20V | 250ohm @ 100 µA, 20V | 5V @ 10 µA | ± 30V | 3.5 pf @ 15 V | - | 375MW (TA) | ||||||||
 | SiHB8N50D-GE3 | 0.7765 | | 3374 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB8 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 527 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||||
 | Siha15n60e-e3 | 3.0700 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha15 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||
 | SIA537EDJ-T1-GE3 | 0.6600 | | 9503 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA537 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V, 20V | 4.5a | 28mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 16NC @ 8V | 455pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SQM100N10-10_GE3 | 3.1200 | | 593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm100 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 8050 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | 3.8100 | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6.9mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 345 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||||
| SUM90N08-4M8P-E3 | - | | 4336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 90A (TC) | 4.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | 6460 pf @ 40 V | - | |||||||||||
 | SI4462DY-T1-E3 | - | | 2650 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4462 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 1.15a (TA) | 480mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 9 NC @ 10 V | - | ||||||||||||
 | SI6435AdQ-T1-E3 | - | | 1288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 30mohm @ 5.5a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | - | ||||||||||||
 | SI7844DP-T1-E3 | - | | 1864 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7844 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SI8402DB-T1-E1 | - | | 3231 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8402 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.3a (TA) | 37mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | - | ||||||||||||
 | TP0101K-T1-E3 | - | | 4158 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0101 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 580MA (TA) | 650mohm @ 580 mm, 4.5V | 1V @ 50 µA | 2.2 NC @ 4.5 V | - | ||||||||||||
 | SI1029X-T1-E3 | - | | 3438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1029 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 305MA, 190MA | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | 30pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| SI1071X-T1-E3 | - | | 5143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1071 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 960MA (TA) | 2.5V, 10V | 167mohm @ 960 mm, 10v | 1.45V @ 250 µA | 13.3 NC @ 10 V | ± 12V | 315 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) |
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