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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1913DH-T1-E3 | - |  | 7084 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1913 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 880 Ma | 490mohm @ 880 mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | 1.8nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI2312BDS-T1-E3 | 0.5700 | | 72 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2312 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 31mohm @ 5a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 750MW (TA) | ||||
| SI2318DS-T1-E3 | 0.5300 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2318 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 3a (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 3.9a, 10V | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 20 V | - | 750MW (TA) | |||
| SI2325DS-T1-E3 | 1.0000 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2325 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 530 mA (TA) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 750MW (TA) | |||
 | SI3437DV-T1-E3 | 0.9300 | | 294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3437 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 1.4a (TC) | 6V, 10V | 750mohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||
| SI3442BDV-T1-E3 | 0.5900 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3442 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 4a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 295 pf @ 10 V | - | 860MW (TA) | ||||
| SI3493BDV-T1-E3 | 0.9600 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3493 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27.5mohm @ 7a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 43.5 NC @ 5 V | ± 8V | 1805 pf @ 10 V | - | 2.08W (TA), 2.97W (TC) | ||||
| SI3585DV-T1-E3 | - | | 6956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3585 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2a, 1.5a | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 3.2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI3981DV-T1-E3 | - | | 7540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SI3981 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.6a | 185mohm @ 1.9a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI4470EY-T1-E3 | - | | 2790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4470 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 9a (TA) | 6V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 70 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.85W (TA) | ||||
| SI4484EY-T1-E3 | - | | 4026 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4484 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 4.8a (TA) | 6V, 10V | 34mohm @ 6.9a, 10V | 2V @ 250 µA (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||
| Si4569dy-t1-e3 | - | | 5611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4569 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W, 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 7.6a, 7.9a | 27mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 855pf @ 20V | - | |||||
| SI4642DY-T1-E3 | - | | 5922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4642 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 34a (TC) | 4.5V, 10V | 3.75mohm @ 20a, 10v | 3V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5540 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||
 | SI5433BDC-T1-E3 | - | | 5969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5433 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 37mohm @ 4.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 22 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI5858DU-T1-E3 | - | | 3418 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | SI5858 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 16 NC @ 8 V | ± 8V | 520 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.3W (TA), 8.3W (TC) | |||
| SI5947DU-T1-E3 | - | | 8169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5947 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6A | 58mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 10V | 480pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI7220DN-T1-E3 | 2.5000 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7220 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.4a | 60mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7448DP-T1-E3 | - | | 1350 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7448 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 13.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.5mohm @ 22a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.9W (TA) | ||||
| SI7450DP-T1-E3 | 2.9000 | | 475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7450 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 3.2a (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
| SI7464DP-T1-E3 | 1.8900 | | 1559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7464 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | |||||
| SI7476DP-T1-E3 | - | | 9619 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7476 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 177 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||
 | SI7818DN-T1-E3 | 1.6600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7818 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 2.2a (TA) | 6V, 10V | 135mohm @ 3.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI7962DP-T1-E3 | - | | 4984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7962 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.1A | 17mohm @ 11.1a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 70nc @ 10V | - | - | ||||||
| SI7983DP-T1-E3 | - | | 5701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7983 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 7.7a | 17mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 600 µA | 74NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI8901EDB-T2-E1 | - | | 1912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Micro Foot®CSP | SI8901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 6-Micro Foot ™ (2.36x1.56) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (dual) Drenaje Común | 20V | 3.5a | - | 1V @ 350 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SIA811DJ-T1-E3 | - | | 9902 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA811 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 94mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13 NC @ 8 V | ± 8V | 355 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | |||
 | SIE818DF-T1-E3 | 3.9800 | | 5543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE818 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 38 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
| SI2351DS-T1-E3 | - | | 3221 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2351 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.8a (TC) | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.1 NC @ 5 V | 250 pf @ 10 V | - | |||||||
| SI3424DV-T1-E3 | - | | 3434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3424 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 28mohm @ 6.7a, 10v | 800mv @ 250 µA (min) | 18 NC @ 10 V | - | ||||||||
| SI7904BDN-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7904 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6A | 30mohm @ 7.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 8V | 860pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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