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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR110PBF-BE3 | 1.0000 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR110PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | SI1965DH-T1-BE3 | 0.5100 | | 9846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1965 | Mosfet (Óxido de metal) | 740MW (TA), 1.25W (TC) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 1.14a (TA), 1.3a (TC) | 390mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4.2NC @ 8V | 120pf @ 6V | - | |||||||
 | IRF630PBF-BE3 | 1.5300 | | 5671 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF630PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||
| IRFR214PBF-BE3 | 1.4500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR214PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | SI6423ADQ-T1-GE3 | 0.9400 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6423 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si6423adq-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10.3a (TA), 12.5a (TC) | 9.8mohm @ 10a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 168 NC @ 8 V | ± 8V | 5875 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.2W (TC) | ||||
| IRL630PBF-BE3 | 2.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-girl630pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||
| SI1902DL-T1-BE3 | 0.5200 | | 8948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1902 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW (TA) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-SI1902DL-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 660MA (TA) | 385mohm @ 660 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.2NC @ 4.5V | - | - | ||||||
| Irf9510pbf-be3 | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9510PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
 | Siz340bdt-t1-ge3 | 0.7400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz340 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 16.9a (TA), 36a (TC), 25.3a (TA), 69.3a (TC) | 8.56mohm @ 10a, 10v, 4.31mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12.6nc @ 10V, 23.5nc @ 10V | 550pf @ 15V, 1065pf @ 15V | - | ||||||
| IRLZ34PBF-BE3 | 1.9400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-ilz34pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 50mohm @ 18a, 5V | 2V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 10V | 1600 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||
 | Sqj422ep-t1_be3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ422 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj422ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 3.4mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | ||||||
 | IRL510PBF-BE3 | 1.3500 | | 388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-girl510pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
| SI1480DH-T1-BE3 | 0.5100 | | 7675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1480 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si1480DH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 2.1a (TA), 2.6a (TC) | 200mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | 130 pf @ 50 V | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | |||||
| IRF9Z34PBF-BE3 | 1.8300 | | 105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9Z34PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||
| IRFZ40PBF-BE3 | 2.7800 | | 746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ40PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
 | SQJ136ELP-T1_GE3 | 1.6800 | | 8946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ136 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj136elp-t1_ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 350a (TC) | 1.12mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 8015 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||
 | SQW61N65EF-GE3 | 12.3100 | | 380 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101, E | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SQW61 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQW61N65EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 62a (TC) | 52mohm @ 32a, 10v | 4V @ 250 µA | 344 NC @ 10 V | ± 30V | 7379 pf @ 100 V | - | 625W (TC) | ||||||
 | SIRS4400DP-T1-RE3 | 4.2200 | | 5057 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 77a (TA), 440A (TC) | 4.5V, 10V | 0.69mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 295 NC @ 10 V | ± 20V | 13730 pf @ 20 V | - | 7.4W (TA), 240W (TC) | ||||||
 | SiJ4819DP-T1-GE3 | 2.2100 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 11.5a (TA), 44.4a (TC) | 4.5V, 10V | 20.7mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3420 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 73.5W (TC) | ||||||
 | SI8487DB-T1-E1 | 0.6900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8487 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.9a (TA) | 2.5V, 10V | 31mohm @ 2a, 10v | 1.2V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 12V | 2240 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
 | SISS5108DN-T1-GE3 | 1.8100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS5108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 15.4a (TA), 55.9a (TC) | 7.5V, 10V | 10.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
 | SiHG155N60EF-GE3 | 4.5500 | | 7320 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG155 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHG155N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 149mohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
 | SQS164ELNW-T1_GE3 | 0.9000 | | 2628 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Sqs164 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 82a (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2159 pf @ 25 V | - | 104W (TC) | |||||
 | Sizf640dt-t1-ge3 | 2.8000 | | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerDFN | Sizf640 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.2W (TA), 62.5W (TC) | Powerpair® 6x5fs | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 40V | 41a (TA), 159A (TC) | 1.37mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 106nc @ 10V | 5750pf @ 20V | - | |||||||
 | SQJQ186E-T1_GE3 | 3.0100 | | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 245a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 10552 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | |||||
| SQS160ELNW-T1_GE3 | 1.0400 | | 5954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Sqs160 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 141a (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 3866 pf @ 25 V | - | 113W (TC) | |||||
 | SI4155DY-T1-GE3 | 0.8100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4155 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.2a (TA), 13.6a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 25V | 1870 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.5W (TC) | |||||
 | Sir4604ldp-t1-ge3 | 1.4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir4604 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15.6a (TA), 51a (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 3.9W (TA), 41.6W (TC) | |||||
 | SIS4608DN-T1-GE3 | 0.8600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS4608 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 12.4a (TA), 35.7a (TC) | 7.5V, 10V | 11.8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 30 V | - | 3.3W (TA), 27.1W (TC) | |||||
| SIS4608LDN-T1-GE3 | 0.9400 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS4608 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 12.6a (TA), 36.2a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 905 pf @ 30 V | - | 3.3W (TA), 27.1W (TC) |
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