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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4168DY-T1-GE3 | 1.1800 |  | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4168 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1720 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | IRL510S | - | | 7784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL510S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | SQJA82EP-T1_GE3 | 1.1900 | | 3840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja82 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.2mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | SiHP38N60E-GE3 | 6.6100 | | 987 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP38 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 43a (TC) | 10V | 65mohm @ 19a, 10v | 4V @ 250 µA | 183 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | |||||
| IRF9540Strr | - | | 2977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||||
| Irfbc30aspbf | 2.2000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbc30aspbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 3.6a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SIS496EDNT-T1-GE3 | - | | 9544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS496 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1515 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | ||||||
 | Irfiz14g | - | | 7773 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfiz14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfiz14g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 8a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||
| Irf9630pbf | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9630pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
| SUP50N10-21P-GE3 | - | | 3675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 6V, 10V | 21mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2055 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
| SUP80090E-GE3 | 3.0600 | | 5898 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP80090 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 128a (TC) | 7.5V, 10V | 9.4mohm @ 30a, 10v | 5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3425 pf @ 75 V | - | 375W (TC) | |||||
| IRLI630G | - | | 7310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irli630g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 6.2a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 3.7a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | IRFR9110TRL | - | | 6310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SI1330EDL-T1-E3 | 0.5300 | | 38 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1330 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 240MA (TA) | 3V, 10V | 2.5ohm @ 250 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 280MW (TA) | |||||
| IRFR9310TR | - | | 9488 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
| SI4431BDY-T1-GE3 | 1.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4431 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 5.7a (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRL530L | - | | 1143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRL530L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 15A (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 9a, 5V | 2V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | - | ||||
| SQS481ENW-T1_GE3 | 0.8800 | | 2849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sqs481 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 4.7a (TC) | 10V | 1.095ohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 385 pf @ 75 V | - | 62.5W (TC) | ||||||
 | SQJB60EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 8867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb60 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 30A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||||||
 | SISB46DN-T1-GE3 | 0.8900 | | 2041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SISB46 | Mosfet (Óxido de metal) | 23W | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 34a (TC) | 11.71mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | 1100pf @ 20V | - | |||||||
 | SQP25N15-52_GE3 | - | | 4977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2360 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||
 | Sqj941ep-t1-ge3 | - | | 3716 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj941 | Mosfet (Óxido de metal) | 55w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 8A | 24mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 55nc @ 10V | 1800pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Irfz48pbf | 3.0900 | | 3851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfz48pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| SiHB22N60S-E3 | - | | 7326 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 22a (TC) | 10V | 190mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2810 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||
| IRFB11N50APBF | 2.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFB11N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | Siud406ed-t1-ge3 | 0.4500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 0806 | Siud406 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 0806 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 500 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.46ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 17 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||
 | Irfu9220pbf | 2.2900 | | 5894 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9220 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9220pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | VQ3001P-E3 | - | | 9429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - | VQ3001 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 NY 2 Canal P | 30V | 850 mA, 600 mA | 1ohm @ 1a, 12v | 2.5V @ 1MA | - | 110pf @ 15V | - | |||||||
| Si4404dy-t1-ge3 | - | | 6796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4404 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 23a, 10v | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | |||||
 | SIE822DF-T1-GE3 | 2.9400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE822 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 18.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) |
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