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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SUD50N04-8M8P-4BE3 | 1.2900 |  | 5539 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | - | 1 (ilimitado) | 742-SUD50N04-8M8P-4BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 14A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 48.1W (TC) | |||||
 | 2N5116 | - | | 3587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | - | - | ||||||||||||||
 | IRLR024TRLPBF | 0.7683 | | 2304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Si4396dy-t1-ge3 | 0.8900 | | 378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4396 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1675 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | IRL510Strlpbf | 1.5600 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SI1470DH-T1-GE3 | - | | 6216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1470 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.1a (TC) | 2.5V, 4.5V | 66mohm @ 3.8a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 7.5 NC @ 5 V | ± 12V | 510 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | ||||
 | IRFU9120 | - | | 1132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu9120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | SI1032X-T1-GE3 | 0.4500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1032 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 200MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 0.75 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
 | Siha180n60e-ge3 | 1.7331 | | 1923 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha180 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
 | Irc634pbf | - | | 6297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC634 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc634pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 4.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | Detección real | 74W (TC) | |||
| IRF830SPBF | 2.2500 | | 95 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF830SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
| IRF530StrrPBF | 1.7300 | | 728 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SIA922EDJ-T1-GE3 | - | | 8843 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA922 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5a | 64mohm @ 3a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 12NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI7655Adn-T1-GE3 | 0.9200 | | 42 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Si7655 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 40A (TC) | 2.5V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 1.1V @ 250 µA | 225 NC @ 10 V | ± 12V | 6600 pf @ 10 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
| IRFU9010 | - | | 5645 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu9010 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||
 | SISS4410DN-T1-GE3 | 0.8000 | | 6235 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 14a (TA), 36a (TC) | 7.5V, 10V | 9mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | +20V, -16V | 850 pf @ 20 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | ||||||
 | SIJ128LDP-T1-GE3 | 1.6200 | | 8759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ128 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 10.2a (TA), 25.5a (TC) | 4.5V, 10V | 15.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 40 V | - | 3.6W (TA), 22.3W (TC) | |||||
 | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | | 1999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 15.8a (TA), 59A (TC) | 7.5V, 10V | 8.3mohm @ 15a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | ||||||
 | SI5424DC-T1-E3 | - | | 6943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5424 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 4.8a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 25V | 950 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 6.25W (TC) | ||||
 | Sud80460e-ge3 | 0.9700 | | 8462 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud80460 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 42a (TC) | 10V | 44.7mohm @ 8.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 560 pf @ 50 V | - | 65.2W (TC) | |||||
 | SQJQ900E-T1_GE3 | 1.2246 | | 3428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | Sqjq900 | Mosfet (Óxido de metal) | 75W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 100A (TC) | 3.9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 120NC @ 10V | 5900pf @ 20V | - | |||||||
| SI1431DH-T1-E3 | - | | 6464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1431 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.7a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 2a, 10v | 3V @ 100 µA | 4 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 950MW (TA) | |||||
 | IRFP360LCPBF | 5.8800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP360 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp360lcpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 400 V | 23a (TC) | 10V | 200mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
| Irfr110tr | - | | 2066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | IRC540PBF | - | | 5017 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRC540PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | Detección real | 150W (TC) | |||
| IRF9620SPBF | 2.6600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
 | SIHF12N60E-GE3 | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
 | SI7960DP-T1-E3 | - | | 9652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7960 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFR9024PBF | 1.9600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | IRFI840GLC | - | | 7984 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFI840GLC | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 850mohm @ 2.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 40W (TC) |
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