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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHW47N60E-GE3 | 9.7500 |  | 225 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | SiHW47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 9620 pf @ 100 V | - | 357W (TC) | |||||
 | SQM47N10-24L_GE3 | 2.3700 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm47 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3620 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | Si4483yed-T1-E3 | - | | 9257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 25V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRLZ44S | - | | 2734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLZ44S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4V, 5V | 28mohm @ 31a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 3300 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | |||
 | SI1441EDH-T1-GE3 | 0.5300 | | 9255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1441 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 41mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 8 V | ± 10V | - | 2.8W (TC) | |||||
 | SIHJ10N60E-T1-GE3 | 2.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Cinta de Corte (CT) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sihj10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 360mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 784 pf @ 100 V | - | 89W (TC) | |||||
| IRL3103D1STRR | - | | 9981 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL3103 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 14mohm @ 34a, 10v | 1V @ 250 µA | 43 NC @ 4.5 V | 1900 pf @ 25 V | - | - | ||||||
 | IRFR9210TRLPBF | - | | 6808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 1.9a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SQJA90EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 5904 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja90 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 10V | 7.6mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | Irll110tr | - | | 4799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irll110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 900 mA, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | IRFPS40N50L | - | | 4611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS40 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPS40N50L | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10v | 5V @ 250 µA | 380 NC @ 10 V | ± 30V | 8110 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | |||
 | Irfi640g | - | | 4978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi640g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 9.8a (TC) | 10V | 180mohm @ 5.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||
 | Irfbe20 | - | | 5800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbe20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbe20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 1.8a (TC) | 10V | 6.5ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||
| Si4413ady-t1-ge3 | 1.2191 | | 5694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.5a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 95 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SI5857DU-T1-E3 | - | | 1356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5857 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 58mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 12V | 480 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.3W (TA), 10.4W (TC) | ||||
 | SiHD14N60ET1-GE3 | 2.3000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHD14N60ET1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | ||||||
| Si4411dy-t1-e3 | - | | 4276 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4411 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 65 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| SI1472DH-T1-E3 | - | | 7871 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1472 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.6a (TC) | 4.5V, 10V | 57mohm @ 4.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | ||||
| IRL630SPBF | 2.6300 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL630SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||
 | SIS903DN-T1-GE3 | 0.9800 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SIS903 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6W (TA), 23W (TC) | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6a (TC) | 20.1mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 42NC @ 10V | 2565pf @ 10V | - | |||||||
 | Siz328dt-t1-ge3 | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz328 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.9W (TA), 15W (TC), 3.6W (TA), 16.2W (TC) | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 11.1a (TA), 25.3a (TC), 15a (TA), 30a (TC) | 15mohm @ 5a, 10v, 10mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 6.9nc @ 10V, 11.3nc @ 10V | 325pf @ 10V, 600pf @ 10V | - | |||||||
 | Sir180DP-T1-RE3 | 1.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32.4a (TA), 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.05mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4030 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| SI7172AdP-T1-RE3 | 1.2000 | | 9558 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7172 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 5.3a (TA), 17.2a (TC) | 7.5V, 10V | 50mohm @ 10a, 10v | 3.1V @ 250 µA | 19.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 100 V | - | - | |||||
 | SQA401EEJ-T1_GE3 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Sqa401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.68a (TC) | 2.5V, 4.5V | 113mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.3 NC @ 4.5 V | ± 8V | 375 pf @ 10 V | - | 13.6W (TC) | |||||
 | SIHP30N60AEL-GE3 | - | | 6312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 28a (TC) | 10V | 120mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 2565 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SIHF12N65E-GE3 | 2.5600 | | 4502 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 1224 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||
 | Sish106dn-t1-ge3 | 1.7200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish106 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.2mohm @ 19.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 27 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | SIA922EDJ-T4-GE3 | - | | 4377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA922 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA), 7.8W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.4a (TA), 4.5A (TC) | 64mohm @ 3a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 12NC @ 10V | - | - | |||||||
 | SI2319DDS-T1-GE3 | 0.5000 | | 336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 2.7a (TA), 3.6a (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 2.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 20 V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||
| SIRA12BDP-T1-GE3 | 0.7500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira12 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1470 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 38W (TC) |
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