- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHB22N60AEL-GE3 | 3.9200 |  | 87 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1757 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
 | SiHD5N50D-E3 | 1.2400 | | 6018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | Sir800Adp-T1-RE3 | 0.9300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50.2a (TA), 177A (TC) | 2.5V, 10V | 1.35mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | +12V, -8V | 3415 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | SQS407ENW-T1_GE3 | 1.0300 | | 1260 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Sqs407 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 12a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 4572 pf @ 20 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | SIJ186DP-T1-GE3 | 1.1400 | | 7074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 23a (TA), 79.4a (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SISS70DN-T1-GE3 | 1.3600 | | 9752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss70 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 125 V | 8.5a (TA), 31a (TC) | 10V | 29.8mohm @ 8.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 535 pf @ 62.5 V | - | 5.1W (TA), 65.8W (TC) | |||||
 | Sihg065n60e-ge3 | 7.3900 | | 639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg065 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 74 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SIHP21N80AE-GE3 | 4.3500 | | 976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 17.4a (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 1388 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||
 | SQD50034EL_GE3 | 1.6600 | | 7422 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50034 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 6100 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | |||||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Morir | Squn702 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W (TC), 60W (TC) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N Y Canal P, Drenaje Común | 40V, 200V | 30A (TC), 20A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA, 3.5V @ 250 µA | 23nc @ 20V, 14nc @ 20V, 30.2nc @ 100V | 1474pf @ 20V, 1450pf @ 20V, 1302pf @ 100V | - | |||||||
 | Sisha10dn-t1-ge3 | 0.9500 | | 1701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sisha10 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 25A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2425 pf @ 15 V | - | 3.6W (TA), 39W (TC) | |||||
| SISS60DN-T1-GE3 | 1.5100 | | 1881 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss60 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50.1a (TA), 181.8a (TC) | 4.5V, 10V | 1.31mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 85.5 NC @ 10 V | +16V, -12V | 3960 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 5.1W (TA), 65.8W (TC) | |||||
 | SIDR390DP-T1-RE3 | 2.5900 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR390 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 69.9a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 0.8mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | +20V, -16V | 10180 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Sihu4n80ae-ge3 | 1.6100 | | 1830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 251-3 cables Largos, ipak, un 251ab | Sihu4 | Mosfet (Óxido de metal) | Ipak (un 251) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
 | SQJA38EP-T1_GE3 | 1.1600 | | 5603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja38 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3900 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
| SIHD186N60EF-GE3 | 3.0900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD186 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 201MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1118 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
| SIRA18BDP-T1-GE3 | 0.4900 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira18 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 19a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 6.83mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | +20V, -16V | 680 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 17W (TC) | |||||
| SIHP125N60EF-GE3 | 4.7600 | | 5247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP125 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30V | 1533 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
| SiHFR420TRL-GE3 | 0.3669 | | 5844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SiHFR9120-GE3 | 0.7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihfr9120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | Sihfl9014tr-ge3 | 0.7900 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Sihfl9014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| Sihfl9110tr-ge3 | 0.6000 | | 2077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Sihfl9110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 1.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 660ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | SiHB4N80E-GE3 | 1.1723 | | 9370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB4 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 4.3a (TC) | 10V | 1.27ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 622 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
| SIHP38N60EF-GE3 | 4.3943 | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP38 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 23.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 189 NC @ 10 V | ± 30V | 3576 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | |||||
| SiHL630Strl-Ge3 | 0.7501 | | 7576 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
| SiHF9520S-GE3 | 1.0900 | | 3888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
| SiHF9630Strl-Ge3 | 0.7621 | | 9663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SI2393DS-T1-GE3 | 0.5000 | | 8975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2393 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2393ds-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.1a (TA), 7.5a (TC) | 4.5V, 10V | 22.7mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 25.2 NC @ 10 V | +16V, -20V | 980 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) | |||
 | SIAA02DJ-T1-GE3 | 0.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Siaa02 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-siaa02dj-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 22a (TA), 52A (TC) | 2.5V, 10V | 4.7mohm @ 8a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | +12V, -8V | 1250 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SQD40N06-14L_T4GE3 | 0.6209 | | 3822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD40N06-14L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2105 pf @ 25 V | - | 75W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)