- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF630StrrPBF | 1.6900 |  | 1169 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||||||
 | SI5856DC-T1-E3 | - | | 8787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5856 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.4a (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.1W (TA) | ||||||||
 | Si4196dy-t1-ge3 | - | | 1559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4196 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 22 NC @ 8 V | ± 8V | 830 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 4.6W (TC) | ||||||||
 | IRFR210TRPBF | 0.5880 | | 8328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||
 | Si6466adq-t1-e3 | - | | 8588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6466 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6.8a (TA) | 2.5V, 4.5V | 14mohm @ 8.1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 27 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | ||||||||
| IRFR9214 | - | | 9365 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9214 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||
| SI4668DY-T1-GE3 | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4668 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 16.2a (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 16V | 1654 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||||||
 | SQD30N05-20L_GE3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1175 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||
| Si4453dy-t1-e3 | - | | 7111 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4453 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 12 V | 10a (TA) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 14a, 4.5V | 900mv @ 600 µA | 165 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | SIA928DJ-T1-GE3 | 0.4800 | | 5011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA928 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5A (TC) | 25mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 4.5nc @ 4.5V | 490pf @ 15V | - | ||||||||||
 | SI7223DN-T1-GE3 | 0.9400 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7223 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6W (TA), 23W (TC) | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 6a (TC) | 26.4mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40nc @ 10V | 1425pf @ 15V | - | ||||||||||
 | 2N4416A-2 | - | | 4254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4416 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | N-canal | 4PF @ 15V | 35 V | 5 Ma @ 15 V | 2.5 v @ 1 na | |||||||||||||
 | IRFR024TRPBF-BE3 | 1.2900 | | 1964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR024TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||
 | SIA431DJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA431 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 25mohm @ 6.5a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 60 NC @ 8 V | ± 8V | 1700 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SiHG47N60AEL-GE3 | 9.2800 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 65mohm @ 23.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 222 NC @ 10 V | ± 30V | 4600 pf @ 100 V | - | 379W (TC) | ||||||||
 | SUM75N15-18P-E3 | - | | 8160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum75 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 75A (TC) | 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4180 pf @ 75 V | - | 3.12W (TA), 312.5W (TC) | |||||||
 | SiHFPS38N60L-GE3 | 7.9800 | | 5183 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHFPS38N60L-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | ||||||||
 | Siha17n80aef-ge3 | 2.9800 | | 3994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-Siha17N80AEF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 6.5a (TC) | 10V | 305mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||||
 | SQJ186EP-T1_GE3 | 1.0800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1942 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||
 | SIRA54AdP-T1-RE3 | 1.9300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira54 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 36.2a (TA), 128a (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3850 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | |||||||||
| SQ4182EY-T1_BE3 | 1.6500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4182 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | 742-SQ4182EY-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 15 V | - | 7.1W (TC) | ||||||||
 | SI3473CDV-T1-BE3 | 0.7100 | | 2129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI3473CDV-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 8a (TA), 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 8.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 65 NC @ 8 V | ± 8V | 2010 PF @ 6 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||||||
 | SI7884BDP-T1-GE3 | 2.0000 | | 3706 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7884 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3540 pf @ 20 V | - | 4.6W (TA), 46W (TC) | ||||||||
 | SI2371EDS-T1-BE3 | 0.4300 | | 2886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI2371EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.7a (TA), 4.8a (TC) | 2.5V, 10V | 45mohm @ 3.7a, 10V | 1.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1W (TA), 1.7W (TC) | ||||||||||
| SiHG17N80AE-GE3 | 3.1200 | | 476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg17 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHG17N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 800 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 1260 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||
| SI3433CDV-T1-BE3 | 0.5100 | | 4370 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.2a (TA), 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 38mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1300 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA), 3.3W (TC) | ||||||||||
 | 2N5115JTXV02 | - | | 2609 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5115 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
| SIA453EDJ-T1-GE3 | - | | 4234 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA453 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 24a (TC) | 2.5V, 10V | 18.5mohm @ 5a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 12V | 1900 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
| SQ4850EY-T1_BE3 | 1.3700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4850 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 6a, 5V | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | |||||||||
| Smma511dj-t1-ge3 | - | | 6946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | Smma511 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 40mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12NC @ 8V | 400pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)